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半导体光电子学下集4.1异质结半导体激光器概述第四章 异质结半导体激光器半导体光电子学下集4.1异质结半导体激光器概述一.形成激光器的具备条件v有源介质有源层 谐振腔解理面 泵浦源 电流源直流交流 - 调制4.1 概述半导体光电子学下集4.1异质结半导体激光器概述二.LD的分类依据有源层的结构、材料LD同质结LD异质结LD单异质结双异质结 块状材料（Bulk）（有源层由一种材料组成） 量子阱（QW）（有源层由多层异质结组成）宽面LD条形LDSQWMQW半导体光电子学下集4.1异质结半导体激光器概述 条形 依电极或有源层的宽窄划分 宽面 应变LD 依据有源区是否存在应变 无应变LD半导体光电子学下集4.1异质结半导体激光器概述v1967年用液相外延生长出 异质结（单异质结）v1970年双异质结LD 条形LDv70代中期，DBF（分布反馈）、DBR（分布布拉格反射）、QW LDGaAsAsAlGaxx1

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