ARM与不同位宽存储器的地址线错位接口,外部总线接口深入.

1、ARM是 32位，地址空间是2的32次幕，4G地址空间。所有的外设（FLASH,RAM,SD 卡等等）都映射到这4G的空间上。比如大部分ARM7都把RAM映射到0x40000000, 所以对RAM勺操作就在0X40000000开始的地址上。FLASH从 0X0开始。使用FLASH 还要 考虑地址重映射，就是选择片内FLASH或片外FLASHFLASH一般是8位或16位，当它接到32位的ARM上时，地址位就会错位。 对于 16 位 FLASH FLASH的 A0 要接 ARM的 A1。对于 8 位 FLASH, FLASH的 A0 要接ARM的 A0。ARM的A0对应8位，ARM勺A1对应16位

2、，ARM的A2对应32 位，如果FLASH是 32位，那么FLASH的 A0接ARM的A232位的FLASH FLASH勺A0要接ARM的A2,因为32位地址表示4个字节, 每次要跳4个字节的话，那么就是从A2开始才变化，A1 A0不变化16位的FLASH FLASH勺A0要接ARM的A1，因为16位地址表示2个字节, 每次要跳2个字节的话，那么就是从A1开始才变化，A0不变化8位的FLASH FLASH勺A0要接ARM勺A0,因为8位地址表示1个字节，每 次要跳1个字节的话，那么就是从A0开始才变化。位 A0 省掉了，对于16位的FLASH,我们可以这样认为：16位存储器的设计者将低 我们只

3、要读取一次就可以得到两个字节，读取的这个地址对应于（偶地址是针对ARM发出的地址的A21.1，即实际上是存储器需要的偶地址 ARM发出的地址而言的）。LPC2200, S3C2410A,S3C244等都是上述这样的，当然也有不同的。IMX27和BF537这两款CPI都是不管存储器是多少位的的,都是直接A0-B0, 没有任何考虑错位的情况，是因为他们的存储控制器已经内部作了处理 了 ,三星的如S3C2443S3C2450S3C641等后续的也都是这样子了再来看看外部总线配置EMC和外部总线功能引脚的关系：0E:输出使能OUT EABLEWE WRITE EABLE写入使能CE：chip EABL

4、E 片选ALE :地址锁存使能（ADRESS LOCK EABLEBLS:字节选择信号重点看 WE BLS 的关系在LPC2200系列ARM中，为了适应外部存储器组的宽度和类型，EMO供了一组字节选择信号，要实现这些功能，RBLE位进行设定。对外部存储器组进行写访问时，对外部存储器组进行读访问时，需要对相应存储器配置寄存器中的RBLE位决定WE信号是否有效；RBLE位决定BLSn信号是否有效。外部存储器的接口取决于存储器组的宽度（32位、16位、8位，由BCFG 的MW位决定）。而且，存储器芯片的选择也需要对BCFG寄存器的RBLE位进行 适当的设置。选择8位或者不按字节区分的的存储器的时候，

5、RBLE位应该为0，在读访问期间EMC将BLS3:0拉高。当存储器组为含有字节选择选 择输入的16 位或32位存储器组成的时候，RBLE位应该为1,在读访问期间EMC各BLS3:0 拉低。注意这里没有对 RBLE为0或1的时候，写访 问期间BLS3:0引脚的电 平作出交代。以16位宽的存储器组连接16位的存储器芯片为例（这种情况比较常见， 周立功的easyarm2200就是这样的）。很显然这里 RBLE位应该为1。 BLS1、BLS0分别接到了存储器芯片的UB LB脚。作为16位的存储器芯片， 要取得16位宽度的字，无论是读访问还是写访问，UB和LB位都必须为低电平0。 作为16位的ram,程

6、序中不可避免的存在对它的写操作。程序能正常运行就说 明对它的写操作是成功的。可以进一步推断在写访问期间，BLS1、BLS0是16位或32位存储器组成的时低电平的。当存储器组为含有字节选择选择输入的EMC候，RBLE位应该为1,在读访问期间EMC将BLS3:0拉低。在写访问周期 同样是将BLS3:0拉低。 这种操作也符合使用8位单片机时候的习惯，Wft&演了“写”的角色。cs -OEWE 一CEOEWEBLS1UBBLSfOLBDi15:D-IO15:0'Aa m;0l.Aa_b:116 bit wide meniory bank interfaced to 16 bit mem

7、ory chipi jRBLE-1)i'.下面是32位宽的存储器组连接8位的存储器芯片，很显然这里 位应该为0。网友wag提出这样的问题，能否用 ARM的 WE引脚直接连接到存储器芯片的 引脚。有这样的问题可能是源于以前的习惯，也可能是不清楚RBLE位为0时，写访问期间BLS3:0引脚的状态。上面介绍了 RBL吕0的时候的读写情况。EMC勺WE BLS3:0拉低，将数据送到要写入的地址。对于读RBLEWELP C2210/2220 User Manual 信号没有被使用。在写周期， 周期，BLS3:0拉高。网友sky421提到“我用的是 化，BLS0在变化”2214,接一片8位的RAM

8、写的时候WE脚不会有变我个人理解，如果RBLE= 0, BLS引脚就取代了 WR的功能，WR脚就不可以使用 了。有心的朋友可以用逻辑分析仪测一下，实际情况如何，验证一把。csOEBLS3CE0E WEOEBLS21 V WEoeBLSf l I WEBLSJO 一OEWE0131:24 一A3b:210(701 -j 10(7 03 _rai) 32 bit wde mefpory bank mterfaced to 8 bit niemOfy chips (RE悴?發牟更了 产"号IIOI7 01Aanr01D23 16iO7 0JI A3 _m:00(15 8 - tO7 0J

9、r- Ala.m O总结，当RBL吕1, WR有效，BLS充当字节选择，其随 WR OE的变化而变化, 读、写操作时BLS都是低电平，此时用于有字节选择的外部设备。当RBLE=0 WRt效，此时用于当WF信号，而WR无效。无字节选择的外部设备,BLS可以充不是ARM9 S3C2440的，但是有相似之处!存储器映射：0-1G(0x0000,0000 - 0x3fff,ffff):1- 2G(0x4000,0000 - 0x7fff,ffff):2- 3.5G(0x8000,0000 - 0xbfff,ffff - 0xdfff,ffff):3.5G - 3.75G(0xe000,0000 - 0

10、xefff,ffff): VPB3.75G - 4G(0xf000,0000 - 0xffff,ffff): AHB虽然ARM7的寻址空间为 4G,但是LPC2200片内片内Flash.RAM.系列只提供CS0 - CS3 是A24和A25的译码输岀， 为 bank。- bank3,共 16M*4=64M.复位时,bank0 的总线宽度由为8位。字节定位信号(BLS0 - BLS3)当Memory由字节宽度器件Boot1:0片外存储器。 外设。外设。A0A23总共16M的地址。片选信号 划分 位总线宽度。16 位，bank3将片外存储区这4个bank可以被分别配置为 8/16/32 引脚决定,

11、bank1 为32位，bank2 为0x8000,0000 - 0x83ff,ffff协调总线宽度和外存芯片数据线宽度。”(如62256 )或者朱按照字节区分的多字节器件”组成时，应将RBLE设置为"0"。此时，读访问时 EMC将BLS0BLS3 拉高。当Memory由含有字节选择输入的16位或32位器件”组成时，应将RBLE设置为"1"。此时,读访问时EMC将BLS0BLS3拉低。所以，当Memory由62256组成时，由于不需要片内字节选择输入”，故令RBLE = '0'，则BLS0BLS3只会与nWR同步，可以代替 nWR使用。但是，当Memory由IS61LV25616AL组成时，由于该芯片有 "nLB"和"nUB"控制低/高8位 的输入，故令 RBLE = '1' ，则 BLS0BLS3 与 nRD 和 nWR 都会同步，此时，不可以使用 BLS0BLS3 代替 nWR 信号。地址数据总线： D0 - D31, A0 - A23, OE, WE, CS0 - CS3, BLS0 - BLS3启动后由P 2.7/P 2.6控制引导方式，然后由程序设置MEMMAP决定中断向量的映射。BCFG0 - BCFG3 控制读写延时和总线宽度。