ICP刻蚀工艺要点

1、ICP刻蚀工艺要点ICP考试题库,选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ）RPMB 32000D18000A 20000C 40000 2、北微ICP本底真空和漏率指标为（A ） 时，设备能够正常工作B >2.5mTA 00.1mT<1mT/m in<2mT/minC 0.3-0.5mT <1.0mT/min>0.5mT <2.5mT/min 3、NMC刻蚀机当前SRF时间为（C ）时，要求 对设备进行开腔清洁A 50HC 200HB 100HD 2000H4、SLRICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程（ABC）A:用DI水喷淋托盘（底盘

2、和盖子）、耐高温 橡皮条（7根）、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准 作业流程（ABCD ）A. 用DI水浸泡石英托盘20minB. 用DI水冲洗一遍C. 用N2吹干D. 用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程（ABC ）A. 用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧 开，放回固定位置B. 用手轻轻地取出石英盖C用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤（ABC ）A.B.用小起子将铝盖轻轻翘开移开铝板c.用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里1.75

3、um底径是300S二,填空题。1. 蚀刻好的晶片测得的高度是2.74um那么需要进行补刻大约4Torr当实际2. 蚀刻时一般设置氦气的压力是压力超过5.2Torr会报警氦漏3. NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000RPM4. 在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片（托盘） 氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片5. 1 Torr = 133 P a有机物 异6. 清洗晶片时丙酮的作用是清洗丙酮丙醇的作用是清洗7. 曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方，负胶未被光照 地方，光刻胶被显影液反应掉 8.ICP的清洁没有做好会造成晶片死区盲区等缺陷9. 造成马赛克的因素

4、有晶片的平整度胶的均匀性，曝光台的清洁度10. NMC机台连续工作 _5小时需要做Dryclea n11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第 一个金属环时应添加异丙醇12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台 进行一次预热动作13. 作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14. 实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片 当成废片作为陪片刻蚀不可另外15. 实验片刻蚀完放回原来的盒子中单独存放16. 每蚀刻完一个RUN抽取两片进行检测，检 测数据如有异常，立即报告工艺人员17. 拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表 面，避免晶片污染导致测量误差18. 每班下班前保证有三盒有

5、胶废片,用过的废 片满一盒后要及时送往清洗站19. 蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、 针孔等缺陷超过Q2mm的不能蚀刻，收集到返工 盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20. 每次做完PM后连续做5个SEASO接着做4 片实验，若实验片数据和外观 OK就正常生产， 负责在做3个SEASONS生片实验，直到能够生 产为止三，判断题：1, IC P刻蚀的工艺气体是三氟甲烷 ( X )2, Corial冷冻机里面装的是 ACE ( X )3，ICP石英托盘用ACE清洁 (X )4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固 ( V )5, 每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM空室 (

6、V )6, 操作员可更改ICP生产程序 ( 四，问答题：1. 在检测发现有很多的废片如满天星；边不对 称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。 答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中 光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没 有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片 上，3机台长久没有做PMI：有颗粒掉在晶片边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英 盖时造成晶片移位。刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检 时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到 晶片。击手动模式再点击托盘同步，在“设置托2. NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一 个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上， 但是系 统

7、显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？ 答：点盘存在状态下设置腔室的选项为 托盘不存在,机械手臂为托盘存在托盘123,4,5 的位置 “与系统记录同 与设备信号同步”此时机械手臂上会都设置为 托盘不存在 然后点击“击步”点显示有托盘，其他地方都没有托盘，这样就可以 进行接下来的操作了。3. 什么叫做选择比？如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um，要刻出高度约为1.55um的产品，那 么理想的选择比应该是多少？答：选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻 光刻胶的速度的比值。要刻出高度为1.55um的晶片理想的选择比应该是0.62以上选择比=1.55 / 2.5=0.624. 下图是一张简化的NM（机

8、台的工艺配方，描述 一下各个参数的含义。参数Sta ble 1Et ch1Sta ble2Et ch2St ab le3Et ch3flowP ressure(mTo rr)33331.51.50SRF Po wer(W)0190001400019000BRF Po wer0200020007000Helium Pressu re(Torr)4444444GasBCL3(300s ccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060Pen vlv Positi on DelayTime0000001000SRFReflect Po wer(W)50505050

9、505050BRFReflect Po wer(W)50505050505050C5Set Poi nt40404040404040答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W) 上电极加载功率，BRF Po wer下电极加载功率，HeliumPressure(Torr) 氦气压 力，GasBCL3(300sccm三氯化硼流量，Time(sec) 蚀刻时间，Pen viv Positio nDelayTime PV 摆阀 位置，SRFReflect Po wer(W)上电极反射功率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率， C5SetPoint等离子体密度。

10、5. 简述CORIAL ICP作业流程图检查 N2、BCb、系统开机打开传输腔放置托盘选择刻蚀程蚀刻作业蚀刻结束，卸6. 简述CORIAL ICP装片工艺步骤1.装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝 盖、蓝宝石晶片；2.3.4.,用真空吸笔吸取晶片背用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖； 将密封圈均匀内陷于铝板小槽中； 石英托盘背面朝面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平边 对准托盘平边；5.将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入 托盘小槽中；6. 装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰到' 晶片表面。7. 简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程

11、图DIW浸泡石英托盘DIW冲中洗无尘布擦拭N2吹干IPA擦拭8. 简述CORIAL ICP清洗反应室作业流程图打开反应室DI水清洗腔壁和石英窗口IPA擦拭用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条放置真空密封橡皮条安装石英细管关闭反应室9. 简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程A. 用DI水浸泡石英托盘20min;B. 用DI水冲洗一遍；C. 用N2吹干；D. 用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入 <maintenance> 状态， 选择 vSequenee ” Vent Reactor ” >B. 点击vLo

12、ad Sequence>显示步骤，再点击 vRun Seque nce>C. 等待VSequence>束，反应室处于破真空4颗锁紧螺丝，打状态，拧掉反应炉室开反应室；DIW擦D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸 洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸 上IPA擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈 是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最 后清洁完后，按照图示安装石英细管；E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置 好；F. 在 <maintenance> 状态，选择 <sequenee“ Reset Current Run Counter” >，将 <Curre

13、nt Run Counter> 清零，vReset Counter> 自动加 1 ；不用拧紧，点maintenance mode,，等机台进入 vacuum ready状态，拧紧反应室上的螺丝.。11.简述ELEDE ICP作业流程图G. 结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先 击 vEXIT mode退出检查 N2、BCb、系统开机,启动上打开传输腔放置石英托抽真空蚀刻作业蚀刻结束，卸12. 简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程A. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）；B. 用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图），以边缘均匀盖住密 封圈为准

14、（除平边），如左下图（不含石英盖） 所示；C. 放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石 英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封圈为 准（除平边），如右下图（含石英盖）所示；D. 拧上螺丝（注意不拧紧，避免衣袖、手套碰到 晶片表面）；E. 用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一 次，分2次拧紧，1次检查；F. 检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹 扫一遍；G. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将 IPA沾到晶片上；H. 将装载托盘轻放至片盒13. 简述ELEDE ICP虫刻作业操作1，打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上， 好卡住定位销，切忌左右移动片盒；2,点配方,打开方的工艺参数

15、；击 片盒配方，打开所选的片盒配方；若 没有要选择的配方，则新建一个；3,点艺配方 ，检查所选配击 开始工艺;击主界面 ,查看片盒配方详细信息，确 认无误，点5,待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒 及托盘，卸下晶片；14. 简述ELEDECP清洗石英盖、铝盘、螺丝作 业流程图DIW浸泡石英盖、铝盘螺丝超声波振动DIW中洗用无尘布擦拭N吹干IPA擦拭15. 简述ELEDE ICP青洗反应室作业流程图打开反应室取出石英件、陶瓷件、铝件、密封圈用DI水擦拭石英件、陶瓷件、铝件、密封圈用IPA擦拭石英件、陶瓷件、铝件、密圭寸圈安装反应室零部件关闭反应室16. 简述ELEDE ICP螺丝清洗标准作业

16、流程 超声波振动10min ;A把螺丝装在小烧杯里倒入IPA覆盖为宜，B.用N2把螺丝吹干17. 简述ELEDE ICP青洗反应室方法及步骤A. 进入维护/工艺模块，在腔室操作中点 击吹扫,至少吹扫100次；B. 吹扫完毕后，点击吹大气，进行腔室破真 空动作；C.D.按照正确的流程打开反应室；移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内 衬、压环等）；E.先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁， 再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不 到残余物的颜色为止；F.按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特 别是真空测量孔；G.手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布 擦拭三针；H.用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦

17、环表 面；I.等）;J .安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环衬、压环等）；K .关闭反应室；L恢复反应室状态18. 简述SLR ICP作业流程图19. 简述SLR ICP装晶片标准操作流程A：用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘 的各个小槽上；B：判断托盘的方向，以中间的区域为标准， 若定位横边往下的，则托盘两边的两个小 孔分别为左右两孔；C:用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置 上，并对准位置；D:把螺丝放在盖子的小孔里；E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘 的左边位置，小心地放在底盘上；F:用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。 第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对均匀地稍微拧紧；G:用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一 遍。20. 简述SLR ICP清洗托盘、螺丝作业流程图21. 简述SLR ICP清洗反应室作业流程图打开反