北京航空航天大学电子电路i-习题课1-2章-概念ppt课件

1、模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）第一章第一章 集成电路元、器件基础集成电路元、器件基础二极管：特性，用途，交流直流电阻二极管：特性，用途，交流直流电阻三极管：特性曲线，工作区，电流间关系，微变等效模型三极管：特性曲线，工作区，电流间关系，微变等效模型FET：各种类型的：各种类型的FET特性曲线，特性方程特性曲线，特性方程模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一） 二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线：曲线：UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.60.8V,0.60.8V,锗锗管管0.20.3V0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压

2、VBR模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）二极管的电阻二极管的电阻直流等效电阻直流等效电阻 RD：DDDIVR 交流动态电阻交流动态电阻 rd：ddQDDdivdvdir22)(1DTQDDdIVdvdir1)(模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共射共共射共EBJT工作原理工作原理以发射极以发射极E极作为公共端，极作为公共端，EB结正偏，结正偏，CB结反偏。结反偏。CBOBCBOCBOBCIiIIii1111令：令：1那么：那么：CBOBCIii)1 (是共射是共射BJT输出交流短路下的交流电流增益输出交流短路下的交流电流增益模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共射共射BJT的伏

3、安特性曲线的伏安特性曲线共射共射BJT的输出特性曲线的输出特性曲线模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）IC(mA )1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,VBEV(BR)后，后，iC开始剧增的区域，开始剧增的区域，iB=0对应的对应的V(BR)为为V(BR)CEO；iE=0对应的对应的V(BR)为为V(BR)CBO；V(BR)CBOV(BR)CEO。输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。参见参见 P12 图图1.3.4模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）3. 饱和区饱和区I

4、C(mA )1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中此区域中VCEVBE,集电集电结正偏，结正偏，IBIC，VCE0.3V称为饱和区。称为饱和区。vCEvBEvCB0vCEvBE发射结合适正偏发射结合适正偏集电结反偏集电结反偏模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一） 小信号等效模型是在小信号条件下，描述小信号等效模型是在小信号条件下，描述BJT极间交流极间交流（动态电压与电流关系的线性电路。（动态电压与电流关系的线性电路。ETeCAceCTETeTCmIVrrIVrIVIVrVIg模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）考虑沟道长度调制效应以后的考虑沟道长

5、度调制效应以后的JFET大信号特性方程：大信号特性方程：N沟道沟道JFET：)1 ()1 (2)(DSoffGSGSDSSDvVvIiP沟道沟道JFET：)1 ()1 (2)(DSoffGSGSDSSDvVvIi上面两式适用于耗尽型上面两式适用于耗尽型JFET工作在恒流区。工作在恒流区。模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）第二章第二章 模拟集成基本单元电路基础模拟集成基本单元电路基础直流交流通路分析方法直流交流通路分析方法电流源：输出电流、输出电阻电流源：输出电流、输出电阻三种组态放大电路：共射、共基、共集，共源、共栅、共漏三种组态放大电路：共射、共基、共集，共源、共栅、共漏Ri, Ro,

6、 Av, 微变等效电路微变等效电路差动放大器：（差模、共模差动放大器：（差模、共模Rid, Rod, Avd, Ric, Roc, Acc, 乙类推挽放大器：工作原理，乙类推挽放大器：工作原理，Po, Pe, 效率效率cc模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）直流通路通常的计算方法：直流通路通常的计算方法： 直流通路的计算主要用于确定半导体器件的工作点，从而为直流通路的计算主要用于确定半导体器件的工作点，从而为进一步的小信号分析提供依据。进一步的小信号分析提供依据。 一般来说，计算工作点是通过近似的方法得到的，通常可以一般来说，计算工作点是通过近似的方法得到的，通常可以近似必须是在可以近似的

7、条件下的有：近似必须是在可以近似的条件下的有： 二极管的二极管的PN结正向导通电压：结正向导通电压：0.60.7V 稳压管的两端的电压：稳压值稳压管的两端的电压：稳压值 三极管的三极管的BE结正向导通电压：结正向导通电压：0.60.7V 三极管的三极管的Ib电流：忽略电流：忽略 三极管的三极管的Ie和和Ic：近似相等：近似相等 FET的栅级流入的电流：忽略的栅级流入的电流：忽略 对于对于BJT，根据偏置电阻和电流源计算出三极管的，根据偏置电阻和电流源计算出三极管的Ic。 对于对于FET，根据偏置，根据偏置Id, Vgs的传输方程计算出的传输方程计算出Id, Vgs模拟电路习题课（一）模拟电路习

8、题课（一）电流传输特性动态输出电阻基本电流镜接入共集管的电流镜串接电流镜威尔逊电流源比例电流源微电流源主要镜像电流源主要镜像电流源 书书P70模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）三种基本组态放大电路特性与分析三种基本组态放大电路特性与分析三种组态为：三种组态为：BJT的共射、共基、共集的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏的共源、共栅、共漏BJTFET差放共射共射（带反馈Re）共集共基共源共漏共栅差模共模微变等效电路p74RiRoAv模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共射小信号微变等效分析共射小信号微变等效分析输入电阻、输出电阻和增益输入电阻、输出电阻和增益bibbeiiiRR

9、RrivR/cocceoooRRRrivR/beLceiovrRrvvA)/(共射放大器的共射放大器的Ri一般比较大一般比较大电压放大倍数为负数反向），一般比较大电压放大倍数为负数反向），一般比较大共射放大器的共射放大器的Ro一般比较小一般比较小模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共集射随器的微变等效分析共集射随器的微变等效分析LbeiRrR)1 (1共集放大器的共集放大器的Ri比共射大很多比共射大很多1)1 ()1 (11LbeLiovRrRvvA电压放大倍数接近于电压放大倍数接近于1小于小于1因此称为射随器因此称为射随器1111/1becebeorrrRooooRrRR/2共集放大器的

10、共集放大器的Ro比共射的小很多比共射的小很多模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共基小信号微变等效分析共基小信号微变等效分析1beeiirivRieiiiRRivR/共基共基Ri比共射低很多，比较小比共射低很多，比较小LmbeLvRgrRAvo和和vi同相，其值和共射放大器的同相，其值和共射放大器的Av相同相同bescebessoorRrrRRivR/)1 (cebessorrRRR)1 (共基输出电阻大于共基输出电阻大于rce，比较大，比较大模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）串接放大电路与达林顿组态串接放大电路与达林顿组态JFET 放大电路放大电路对应存在三种组态：对应存在三种组态

11、：共源共射共源共射共栅共集共栅共集共漏共基共漏共基模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）基本共射差放理想对称时的微变等效分析基本共射差放理想对称时的微变等效分析模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）共射对称差放双端输出时的共射对称差放双端输出时的Avd等于半边差模等效电路等于半边差模等效电路（即单管共射电路的电压增益。如果差放带有负反馈电阻（即单管共射电路的电压增益。如果差放带有负反馈电阻Re，分析方法和带有负反馈电阻分析方法和带有负反馈电阻Re的共射放大器一样的共射放大器一样bebLidodvdrRRvvA2/2LmvdRgA 近似)(2bebidrRRcccodRRRR2单端时：单端时：codRRvdddAA21低频差模特性低频差模特性模拟电路习题课（一）模拟电路习题课（一）可见，可见，Rcm只对共模有很强的负反馈，对差模无负反馈只对共模有很强的负反馈，对差模无负反馈故称故称Rcm为共模负反馈电阻，为共模负反馈电阻，Rcm越大共模干扰抑制能越大共模干扰抑制能力越强，因此要尽量增大力越强，因此要尽量增大RcmcmcccRRA22/2cecmbicicrRivRcocRR低频共模特性低频共模特性共模共模-共模抑制比：共模