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文档简介
二极管级单晶硅片 技术参数 项目 生长方式 导电类型 参杂剂 晶向 电阻率(.cm) 电阻率径向不均匀性 直径(mm) 切方规格(mm) 少子寿命(s) 氧含量(atoms/cm3) 碳含量(atoms/cm3) 位错密度(m2) 硅片形态 硅片厚度(m) 厚度公差(m) 总厚度偏差(m) 弯曲度(m) 表面质量 二极管级单晶硅片 CZ / MCZ N 磷P <111> 5-100 15%(MCZ) 75-103 N/A 100 1×1018 6×1017(MCZ 5×1016 1×1016(MCZ 100 磨片 150-600 ±5 10 10 无孔洞、无裂纹、 无氧化花纹及用户其他 要求 (隆基硅产业集团产品规格) 31 第一单元 内容总结 n n n n n n n 硅晶胞:金刚石结构的立方晶胞 基本参数 111晶面解理性 硅晶体缺陷 结团作用;缺陷的去除 硅中杂质;固溶体;固溶度 相图 硅单晶片制备 多晶硅制备;直拉法原理;提拉速 度;分凝; 硅片制备流程;主要晶向、晶面的定位方式 32
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