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文档简介

1、SiO2 绝缘层绝缘层结构示意图结构示意图P 型硅衬底型硅衬底源极源极 S栅极栅极 G漏极漏极 D N+N+8.5.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管DSG符号符号 构成：用一块杂质构成：用一块杂质浓度较低的浓度较低的 P 型薄硅片型薄硅片作为衬底，其上扩散两作为衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂个相距很近的高掺杂 N+型区，并在表面生成一型区，并在表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层薄薄的二氧化硅绝缘层。再在两个层。再在两个 N+ 型区之型区之间的二氧化硅绝缘层的间的二氧化硅绝缘层的表面及两个表面及两个N+型区的表型区的表面分别安置三个电极：面分别安置三个电极：栅极栅极 G

2、、源极、源极 S 和漏极和漏极 D。8.5 8.5 绝缘栅型绝缘栅型场效应管场效应管 当在柵极和源极之当在柵极和源极之间加正向电压但数值较间加正向电压但数值较小 时小 时 ( ( 0 UG S UGS(th) )，在栅，在栅极下极下 P 型半导体表面形型半导体表面形成成 N 型层，通常称它型层，通常称它为反型层。这就是沟通为反型层。这就是沟通源区和漏区的源区和漏区的 N 型导型导电沟道电沟道( (与与P型衬底间型衬底间被耗尽层绝缘被耗尽层绝缘) )。UGS 正值越高，导电沟道越正值越高，导电沟道越宽。宽。P型硅衬底型硅衬底N+BSGD。耗尽层耗尽层N 型导电沟道N+N+ UGS +EG 形成导

3、电沟道后，在漏形成导电沟道后，在漏源电压源电压 UDS 的作用下，将产生的作用下，将产生漏极电流漏极电流 ID ，管子导通。，管子导通。P 型硅衬底型硅衬底N+BSGD。UDSIDN+UGSN+N 沟道沟道 在一定的漏在一定的漏源电压源电压UDS 下，使管子由不导通下，使管子由不导通变为导通的临界栅变为导通的临界栅源电源电压 称 为压 称 为 开 启 电 压开 启 电 压 ， 用， 用 UGS(th)表示。表示。 只有当只有当 UGS UGS(th) 后，后， ID 才随栅才随栅源电压的源电压的变化而变化，这就是变化而变化，这就是 N 沟沟道增强型绝缘栅场效应管道增强型绝缘栅场效应管的栅极控制作用。的栅极控制作用。N 沟道增强型绝缘栅沟道增强型绝缘栅场效应管的导通场效应管的导通N 沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管的特性曲线的特性曲线( (1) ) 转移特性转移特性栅栅源电压对漏极电流的控制特性源电压对漏极电流的控制特性( (2) ) 输出特性输出特性ID /mAOUDS / VUGS = 1 V2 V4 V3 VN 沟道增强型管沟道增强型管的的输出特性曲线输出特性曲线ID /mAOUGS /

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