静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns_第1页
静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns_第2页
静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns_第3页
静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对芯片造成损伤。 最有效的方法是使用保护元件来将电流导离较敏感的元件。也就是在电子系统的连接器或端口处放置ESD保护元件，使得电流流经保护元件，且不流经敏感元件，以维持敏感元件的低电压，使其免受ESD应力影响，进入有效控制ESD事件的发生 图一图二 ESD图二展示在输入或输出引脚通常用二极管和电阻来保护，二极管用n+到p衬底构成，电阻一般直接用p阱构成。图三 ESD常见保护原理ADS800ESD保护：对于GND管脚，一般用三极管作为二极管作用来钳位保护。当电压低于-0.7V或者高于VDD+0.

2、7.时，起到保护作用。如下图所示：图三 GND保护图四 输出管脚保护 输出管脚主要还是有MOS管构成二极管起到保护作用。前面那部分是OE控制输出状态。其他ESD保护元件压敏电阻：为双向保护元件，在低电压时，呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压都相当低，同时电流也相当小；而在较高电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。聚合物：带导电粒子的聚合物，在正常电压下，这些材料拥有相当高的电阻，但当发生ESD冲击时，导电粒子间的小间隙会成为突波音隙阵列，从而带来低电阻路径瞬态电压抑 制器(TVS)：采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要针对能够以低动态电阻承载大电流的要求进行优化 。静电放电一般有两种破坏：一是由高电压引起栅级电介质破坏；二是由热量引起的物质熔化（H=J*E）测试ESD鲁棒性最主要的工业测试主要是HBM、MM、CDM。HBM是测试ESD最具资

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 辅导培训

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论