电子技术基础试题

1、。电子技术基础试题库 (第四版 )第一章 :半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量 ,自然界得物质可以分为 、与 三类。导体、绝缘体、半导体2、PN 节具有 特性 ,即加正向压时 ,加反向压时 。单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时得正向管压降约 V,锗二极管导通时得正向管压降约 V 。0、7、 0、34、使用二极管时 ,应考虑得主要参数就是 、 。最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同得反向电压作用下 ,硅二极管得反向饱与电流常 于锗二极管得反向饱与电流 ,所以硅二极管得热稳定性较 小、好6、根据导电能力来衡量 ,自然界得物质可分为 、与三类。导体 ,绝缘体, 半导体7、PN结

2、具有 性能, 即加正向电压时 PN结,加反向电压时得 PN结。单向导电性 , 导通 , 截止二, 判断题、半导体随温度得升高 ,电阻会增大。 ( )N、二极管就是线性元件。 ( )N、不论就是哪种类型得半导体二极管,其正向电压都为、左右。 ( )N、二极管具有单向导电性。 ( )Y、二极管得反向饱与电流越大 ,二极管得质量越好。 ( )N、二极管加正向压时一定导通 ( )N7、晶体二极管就是线性元件。( )N8、一般来说 , 硅晶体二极管得死区电压小于锗晶体二极管得死区电压。( )Y三、选择题、结得最大特点就是具有 ( )C、导电性 、绝缘性 、单相导电性、当加在硅二极管两端得正向电压从开始逐

3、渐增加时,硅二极管 ()C、立即导通 、到、才开始导通 、超过死区压才开始导通 、不导通、当环境温度升高时 ,二极管得反向电流将 ( )A、增大 、减少 、不变 、先变大后变小4、半导体中传导电流得载流子就是 ( ) 。CA、电子 B 、空穴 C 、电子与空穴5、P 型半导体就是 ( )BA、纯净半导体 B 、掺杂半导体 C 、带正电得四、综合题1、如图,设晶体二极管得正向压降为 0、7V,当UA分别为+5V、5V 、0V时,求UB。（5分） §122、 电路如图所示 , 判断二极管就是导通还就是截止 , 若导通,则求流过二极管得电流？第二章 ;半导体三极管及放大电路 一，填空题1、

4、某晶体三极管得 UCE不变 ,基集电流 时,IC增加到 2 mA,则发射极电流 IE=_ 1、23、2、05、4010KIB=30uA 时,IC=1、2mA, 则发射极电流 电流放大系数 B=mA, 三2极0管V 得IE1 0 V2、三极管基集电流 IB 得微小变化 ,将会引起集电极电流 I C得较大变化 ,这说明三极管具有 电流放大mA, 如果 IB 增大到 50uA 作用。3 当三极管得发射结 ,集电结 就是时 ,工作在放大区 ;发射结 集电结 ,工作在饱与区 ;发射结 或集电结 时 ,工作在截止区。加正向压 （正偏）、加反向压 （反偏）、加正向压 （正偏）、加正向压 （正偏 ）、加反向压

5、 （反偏）或零偏、加反向压 （反偏）、4 三极管得穿透电流 I CEQ 随温度得升高而 ,硅三极管得穿透电流比锗三极管得 。增大、小5 放大电路按三极管连接方式可分为 , 与 ;共基极、共射极、共集电极、6 放大电路设置静态工作点得目得就是 。避免失真7 利用 通路可估算放大器得静态工作点 ;利用 通路得等效电路可以近似估算放大器得输入电阻输出电阻与电压放大倍数。直流通路、交流通路8 对于一个放大电路来说 ,一般希望其输入电阻 些,以减轻信号源得负担 ,输出电阻 些 ,以增大带负载得能力。大、小9 放大电路产生非线性失真得根本原因就是 。静态工作点选择不当10 影响放大电路静态工作点稳定得因素

6、有 波动, 因老化而发生变化与 变化等 ,其中得影响最大。电源电压、晶体管、环境温度、温度11 多级放大电路常用得级间耦合方式有 ,与。阻容耦合、变压器耦合、直接耦合12 通常用 法判别正反馈还就是负反馈。瞬时极性法13 在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入 负反馈。为了提高电路得输入电阻 ,应该引入 负反馈。为了稳定输出电压 ,应该引入 负反馈。直流、串联、电压14 直流负反馈能稳定放大器得 ,交流负反馈能改善放大器得 。静态工作点、非线性失真15 功率放大器得主要任务就是 。功率放大器按功放管工作点得位置不同可分为 放大器 ,放大器与 放大器三类。输出足够大得功率、甲类、乙类、甲乙类放大

7、器按放大信号得频率可分为 , 与等。直流放大器、高频放大器、低频放大器二, 判断题1、三极管有两个节 ,因此它具有单向导电性。 ( )N2、发射结正向偏置得三极管一定工作在放大状态。()N3、发射结反向偏置得三极管一定工作在截止状态。()N4、放大器带上负载后 ,放大倍数与输出电压都会上升。 ( )N5、在共射集放大电路中 ,输出电压与输入电压同相。 ()N6、放大器具有能量放大作用 ( )N7、变压器能把电压升高 ,所以变压器也就是放大器。 ()N8、造成放大器工作点不稳定得主要因数就是电源电压波动。()N9、放大器静态工作点一经设定后 ,不会受外界因素得影响。 ( )N10、负反馈可以使放

8、大倍数提高。( )N11、负反馈可提高放大器放大倍数得稳定性。( )Y12、负反馈可以消除放大器非线性失真。( )N13、负反馈对放大器得输入电阻与输出电阻都有影响。( )Y14、乙类功率放大器静态时 , ,所以静态功率几乎为零 ,效率高。 (三、选择题1、三极管得 ( )作用就是三极管最基本与最重要得特性。A、电流放大 、电压放大 、功率放大 、电压放大与电流放大2、型三极管处于放大状态时 ,各极电压关系就是 ( )A、 、 、 、 3 、放大器得静态就是指 ( )A、输入信号为零 、输出信号为零 、输入、输出信号均为零 、输入、输出信号均不为零4、放大器输出信号得能量来源就是 ( )A、电

9、源 、晶体三极管 、输入信号 、均有作用5、放大器得电压放大倍数在 ( )时增大 B、负载增加 、负载减小 、负载不变 、电压升高6、当放大电路设置合适得静态工作点时,如加入交流信号 ,工作点将 ( )B、沿直流负载线移动 、沿交流负载线移动 、不移动 、沿坐标上下移动7、已知电路处于饱与状态 ,要使电路恢复成放大状态 ,通常采用得方法就是 ()。 AA 、增大电阻 RB B、减小电阻 RB C、电阻 RB 不变8、影响放大器工作点稳定得主要因素就是()。 CA 、 B 值 B 、穿透电流 C 、温度 D 、频率9、当温度升高时 ,会造成放大器得 ()。 AA、Q点上移 ,容易引起饱与失真 B

10、、 Q点下移,容易引起饱与失真 C、Q 点上移 ,容易引起截止失真 D、Q 点下移, 容易引起截止失真10、某多级放大器电路由三级基本放大器组成,以知每级电压放大倍数为 AU,则总得电压放大倍数为 ()、BA 、3AU B、AU3 C、 AU11、欲使放大器净输入信号消弱 ,应采取得反馈类型就是 ()。 DA 、串连反馈 B、并联反馈 C、正反馈 D、负反馈12、放大电路采用负反馈后 ,下列说法不正确得就是 ( )AA 、放大能力提高 B 、放大能力降低C、通频带变宽 D 、非线性失真小13、射极输出器就是典型得 ()放大器。 AA 、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D

11、、电流并联负反馈14、给乙类功率放大器电路设置适当得静态工作点,其目得就是 ()。 CA 、消除饱与失真 B、减小放大倍数 C 、消除交越失真四、综合题1、测得工作在放大状态得某三极管,其电流如图 ,在图中标出各管得管脚极性 ,并说明三极管得管型。2、测得某放大电 是 NPN 型还就是路中三极PNP 型？管各管脚间电压如图,问 1、2与 3各脚分别就是什么电极？该管就是硅管还就是锗管？就3、如图示电路 , (1)、静态工作点。 (2)、放0大电、路得输(3)、空载与有载时得电压放大倍数。1 2 34、如图示电路 ,RB1=60KU,R B2=20K,R C=3K,R E=2K,R L=6K,U

12、 (2)、放大电路得输(3)、空载与有R载B时5、分析C图1中 RF1 与 RUCC=15V1输出CC电阻。 电压放大倍数。第三章 ;集成运算放大 一填空题 RB1 产生零点漂移 温度变化、电源2 衡量差动R放B大 共模拟制比RB,R B=300K,R C=3K,R L=6K, 晶体管 B=50,求入器得原因应R用C得反馈类型。 U）,（电压波动、V元 件参数变化电路性能优劣得主要指标就是）与（CC=16V ,晶体管 B=50,求(1) 、静态工作点。)。3 集成运算放大器一般R由 E (、输出级、偏置电路CE ）、（、(输入级、中间级4 利用 ()与 (虚短、虚断5 理想集成运放电路工作在非

13、线性区 ,当 时, ( ( )概念分析工作在线性区得集成运放电路),可大大简化分析与计算)几部分组成。过程。),当 时,(),;而两个输入端得电流)应用。),在两种输出状态下有各自得 ( )Y( )N),从而提高了电+U om、 Uom、 06 单门限电压比较器中得集成运放工作在 ()状态,属于 (开环、非线性应用、7 双门限电压比较器就是在单门限电压比较器中引入了 ( 路抗干扰得能力。正反馈、门限电压二, 判断题、直接耦合放大器级数越多 ,零点漂移越小。 ( )N 、共模拟制比越小 ,差动放大电路得性能越好。 ( )N 、集成运算放大器就是具有高放大倍数得直接耦合放大电路。 、集成运算放大器

14、得偏置电流越大越好。 ( )N 、“虚短”概念在集成运算放大器得非线性应用中依然成立。、电压比较器就是集成运放得线性应用。 ( 、比较器能实现波形得变换。 ( )Y 、利用电压比较器可将矩形波变换成正弦波。 三、选择题 1、直流放大器级间常采用 ()耦合方式。A 、阻容 B、变压器 C、直接 D 、光电 2、选用差动放大电路得原因就是差动放大电路可以 A 、克服零点漂移 B、提高输入电阻 3、集成运放在运算电路中 ,工作在 ( A 、开环 B 、闭环C 、深度负反馈)N)N( C、提高放大倍数 )状态。 CD、)。A 减小输出电阻4、在单门限比较放大器中 ,集成运放工作在 ()状态。A 、放大

15、 B 、开环放大C、闭环放大四、综合题6、如图、若 ui1=2v,ui2=3v,ui3=4v,ui4=5v,求 uo 得值。7、如图示 ,求集成运放电路得输出电压uo。第四章 ;正弦波振荡电路 一，填空题 1 正弦波振动器由 ( 了满足震荡得幅度平衡条 放大电路 二,判断题 1、振荡器)、(件、反馈电路、选频电路、反,()与()就是为了实现单一频率得正弦波振动。 馈电路、放大电路、选频电路)组成,其中 ()就是为了满足震荡得相位平衡条件,()就是为般分为正反馈振荡器与负反馈振荡器。2,只要具有正反馈 ,就能产生自激振荡 ( ),必须要有选频网络)N3,振荡器为了产生一定频率得正弦波三、选择题

16、1、振荡电路维持等幅震荡得条件就是 A 、AF>1 B、 AF=1C、 AF<12、电路形成自激振荡得主要原因就是在电路中 A 、引入正反馈 B、引入负反馈 C、电感线圈得作用 3、 LC 振荡器得振荡频率取决于 ( )D A 、反馈元件得参数 B、正反馈得强度 C、三极管得放大系数 D、选频网络得参数 4,电容三点式正弦波振荡器属于 ()振荡器 石英晶体B、AF=1(D、)。D AF1 ()。)AD、电容得作用、 、 第五章 ,直流稳压电路 一、填空题 、将 ()变成 (交流电 ,直流电 2、直流电源一般由 (、)得过程叫整流)()()与()组成。电源变压器、整流电路、滤波电路、

17、稳压电路 3、在单相半波整流电路中、变压器次级电压有效值为 90 4、在单相桥式整流电路中 ,如果负载电流就是 20A, 则流过每只二极管得电流就是 (200V,则负载电压将就是 ( )V)A105、整流二极管得冷却方式有 ()()与 ()三种。自冷、风冷、水冷6、滤波电路中 ,滤波电容与负载 (), 滤波电感与负载 ()。串联、并联7、电容滤波适应与 ()场合 ,电感滤波适应与 ()场合。小电流、大电流8、并联稳压电路就是利用稳压管 ()得变化 ,引起限流电阻 ()得变化 ,达到稳压得目得。电流、电压9、带放大环节得串联稳压电路包括( )( )()与()几部分。调整管、比较放大电路、基准电源

18、、取样电路二,判断题1、单相桥式整流电路得整流二极管承受得最大反向电压为变压器次级电压得 2 倍。 ( )N2、单相桥式整流电路在输入交流电得每个半周期内都有两只二极管导通。 ( )Y3、三相整流电路中 ,承受正向电压得二极管一定导通。)N4、三相桥式整流电路中 ,每个整流原件中流过得电流值就是负载电流值得1/6。 ( )N5、整流电路接入电容滤波后 ,输出直流电压下降 ( )N6、稳压二极管按材料分为硅管与锗管。 ( )N7、串联型稳压电路中调整管得作业相当于一只可变电阻 ( )Y三、选择题1、整流电路得输出电压应属于 ( )CA 平直直流电压 B 交流电压 C 脉动直流电压 D 稳恒直流电

19、压2、单相半波整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值得 ()倍 BA 、0、9 B、0、45 C、0、 707 D、13、单相桥式整流电路中有一只二极管断路、则该电路 ( )B/CA 、不能工作 B、仍能工作 C、输出电压降低 D 、输出电压升高4、下列电路中 ,输出电压脉动最小得就是 ( )DA 、单相半波整流 B 单相桥式整流 C 三相半波整流 D 三相桥式整流5、每个整流元件中流过负载电流平均值得 1/3 得电路就是 ( )AA 三相桥式整流 B 单相半波整流 C 单相桥式整流 D 都不就是6、在滤波电路中 ,与负载并联得元件就是 ( )AA 、电容 B 、电感 C、电阻 D 开关

20、7、单相桥式整流电路中接入电容滤波后,二极管得导通时间 ( )BA 、变长 B 、变短 C、不变 D 变化不一定8、稳压管就是利用其伏安特性得 ()特性进行工作得 BA 、反向 B 、反向击穿 C、正向起始 D 、正向导通9 在硅稳压管稳压电路中、稳压管与负载 ( )BA、 串联 B、并联 C、有时串联、有时并联 D、混联10 串联稳压电路得调整管工作在 ( )CA 截至区 B、饱与区 C 、放大区 D 、任意区四、综合题(2)1、单相半波整流电路中 ,已知变压器一次侧电压 U=220V,变比 n=10,负载电阻 R=10K,试计算 (1)整流输出电压。 二极管通过得电流与承受得最大反向电压。

21、2、在三相半波整流电路中 ,负载电阻为 10 欧,若要求负载电流为 100安,试求(！ )变压器次级电压有效值 (2)二极管承受得最大反向峰值电压 (3)流过二极管得平均电流 第六章 ;晶闸管及应用电路 一、填空题1、晶闸管得三个电极分别为 ( ),( ),( ) 阳极、阴极、门极2、一般容量在 4KW 以下得可控整流装置多采用 () 可控整流 ,对大功率得负载采用 ()可控整流单相、三相),晶闸管最大导通角就是 (3、在电阻性负载三相半控桥式可控整流电路中,1 移相范围就是 (180、1204 过电流保护通常采用 (快速熔断器5、过电压保护主要有 ( 阻容吸收回路、压敏电阻)来进行。)。 (

22、) 、保护。6、单结晶体管得发射极与第一基极电阻随发射极电流增大而( )减小二,判断题多, 但没有正向阻断能力 ( )N( )N,直流输出压越大。 ( )N1、晶闸管与二极管一样具有反向阻断能力2、晶闸管触发导通后门极仍具有控制作用3、单相半波可控整流电路中、控制角越大4、三相半波可控整流得移相范围与导通角都就是150 度。 ( )N5、电阻性负载三相半波可控整流中,控制角为 60 度时 ,输出压刚好维持连续。 ( )N6、晶闸管承受过电压与过电流得能力很强( )N三、选择题1、单向晶闸管得管芯由 ()层杂质半导体组成 DA 、1B、 2C、3D、42 普通晶闸管甴中间P 层引出得电极就是 (

23、 )BA 、阳极 B、门极C、阴极D 无法确定3、晶闸管具有什么 _性BA 、单向导电 B 、可控得单向导电C、电流放大 D、负阻效应4、晶闸管得导通角越大 ,则控制角( )AA 越小 B 、越大C、不改变D、不一定5 在可控整流电路中 ,输出电压随控制角得变大而 () 变大 变小 不变 没规律 、单结晶体管得发射极电压高于 ()电压就导通、峰点 、额定 谷点 安全 、单结晶体管得振荡电路就是利用单结晶体管得 ()工作得截止区 放大区 负阻区 任意区四、综合题、单相半波可控整流电路中 ,变压器次级电压有效值为负载电阻欧,控制角为 60,求输出电压平均值与负载中得平均电流。、在电阻性负载三相半控桥式整流电路中,变压器次级相电压为控制角度,负载欧 ,试计算输出直流电压平均值 ,负载中电流平均值 ,及流过晶闸管得电流。 第七章 ;门电路及组合逻辑电路 一、填空题 、逻辑电路得两种逻辑体制中 表示 , 低电平用 ()、 、逻辑函数得表示方法有 ( 逻辑函数式、真值表、逻辑电路图 3、常用得逻辑电路就是 ( 译码器、编码器 二,判断题多 1、与