微电子技术发展趋势及未来发展展望

1、微电子技术发展趋势及未来发展展望doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术发展趋势及未来发展展望 论文概要： 本文主要介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述了对微电子技术发展趋势的展 望。由于微电子技术应用的广泛性，本文在最后浅析了微电子技术与其他学科的 联系以及其在未来轻兵器上的应用。由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及 时指出文中的错误，以便我及时改正。 一微电子技术发展趋势 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路 及系统的电子学分支，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应 用，并利用它实现信号处理功

2、能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用 性强。 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可 靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化） 、网络化 和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理 和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。 所有这些都只能依赖 于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低 功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。 微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。微 电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯

3、技术、计算机 技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。微电子技术的发展和应用，几乎使 现代战争成为信息战、电子战。在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支 拄性产业，微电子信息技术在我国也正受到越来越多的关注，其重要性也不言而 喻， 如今， 微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志， 微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。 集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。集成电路已发 展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25m)精度和可集成数百万晶体管的水 平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。人们认为：微电子技术的发展和 应用使

4、全球发生了第三次工业革命。 1965年，Intel 公司创始人之一的董事长 Gorden Moore 在研究存贮器芯片 上晶体管增长数的时间关系时发现，每过1824个月，芯片集成度提高一倍。这 一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。 穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。随 着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。其次是物理限制(Physical Limitations)。当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。 DRAM 的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为 V3法则。目前 建设一条月产5000万块

5、16MDRAM 的生产线，至少需要10亿美元。据此，64M 位的 生产线就要17亿美元，256M 位的生产线需要29亿美元，1G 位生产线需要将近50 亿美元。 至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05m 时，制作器件就会碰 -1- 到严重问题。 从集成电路的发展看，每前进一步，线宽将乘上一个0.7的常数。即：如果把 0.25m 看作下一代技术,那么几年后又一代新产品将达到 0.18m(0.25m×0.7)，再过几年则会达到0.13m。依次类推，这样再经过两 三代，集成电路即将到达0.05m。每一代大约需要经过3年左右。 二.微电子技术的发展趋势 几十年来集成电路(IC)技术

6、一直以极高的速度发展。如前文中提到的，著名 的穆尔(Moore)定则指出，IC 的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数)，每3 年左右为一代，每代翻两番。对应于 IC 制作工艺中的特征线宽则每代缩小30。 根据按比例缩小原理(Scaling Down Principle)，特征线条越窄，IC 的工作速 度越快，单元功能消耗的功率越低。所以，IC 的每一代发展不仅使集成度提高， 同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与 IC 加工精度提高的同时， 加工的硅圆片的尺寸却在不断增大，生产硅片的批量也不断提高。以上这些导致 了微电子产品发展的一种奇妙景观：在集成度一代代提高的同时，芯片的性能

7、、 功能不断增强，而价格却不断下跌。这一现象的深远意义在于，随着微电子芯片 技术的快速发展，一切微电子产品(计算机、通信及消费类产品等)也加速更新、 换代；不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，而且价格的越来越便宜又为 电子信息技术的不断推进及其迅速推广应用到各个领域创造了条件， 导致了人类 信息化社会的到来。 由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大，因此必须发展相应的制造技术，即 光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术。 光刻技术 利用波长436nm 光线，形成亚微米尺寸图形，制造出集成度1M 位和4M 位的 DRAM。i 射线(波长365nm)曝光设备问世后，可形成半微米

8、尺寸和深亚微米尺寸 的图形，制造出16M 位和64M 位的 DRAM。 目前，采用 KrF 准分子激光器的光刻设备已经投入实用，可以形成四分之一 微米尺寸的图形，制造出64M 位 DRAM。采用波长更短的 ArF 激光器的光刻设备， 有可能在21世纪初投入实用。当然，为了实现这一目标，必须开发出适用的掩膜 形成技术和光刻胶材料。 X 射线光刻设备的研制开发工作，已经进行了相当的时间，电子束曝光技术 和3nm 真空紫外线曝光技术，也在积极开发之中，哪一种技术将会率先投入实用 并成为下一阶段的主流技术，现在还难以预料。 蚀刻技术 在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术，随

9、着特征尺寸的不断缩小将变得越来越困难。 显然，如果能够研制出一种可以产生均匀的平面状高密度等离子源的技术， 就会获得更为理想的蚀刻效果。 利用 CER(电子回旋共振)等离子源或 ICP(电感耦合等离子)高密度等离子 源，并同特殊气体(如 HBr 等)及静电卡盘(用于精密温度控制)技术相结合，就可 以满足上述电路蚀刻工艺的要求。 扩散氧化技术 -2- 要想以低成本保证晶体的良好质量，必须采用外延生长技术。其理由是，同 在晶体制作上下工夫保证质量所需要花费的成本相比， 外延生长技术的成本低得 多。 离子注入的技术水平已经有很大提高，可以将 MeV(兆电子伏特)的高能量离 子注入到晶体内部达几微米深

10、度。迄今采用的气体扩散法，需要在高温中长时间 地扩散杂质才能形成扩散层。而现在，利用离子注入技术，可以分别地将杂质注 入到任意位置，再经一次低温热处理，就可以获得同样的结果。 同时，低能量离子注入技术也取得很大进展，可以形成深度小于0.1m 的 浅扩散层，而且精度相当高。另外，斜方向离子注入技术也大有进展，可以在任 何位置注入杂质，从而可以在低温条件下按照设计要求，完成决定晶体管性能的 杂质扩散工序作业。用固相扩散法制造源漏极浅结极为有效，已经获得35nm 的 浅结。 多层布线技术 把电阻小于铝的铜，作为下一代布线材料正在引起人们的关注。美国半导体 工业协会(SIA)已经将“以铜代替铝”列入其

11、发展规划，并制定出相应的目标和 技术标准。 铜布线采用镶嵌方法制作，并利用 CMP(化学机械抛光)技术进行研磨，布线 形成则使用半导体级电镀技术。 铜容易在绝缘膜中扩散， 所以， 在采用铜布线时， 需要同时采用能够防止铜扩散的势垒金属技术。 用离子束喷射法替代常用的真空溅射法，将金属喷射到硅圆片表面，这种方 法使硅圆片不需要金属化的一侧带负电荷，然后让金属离子带正电荷，在负电荷 吸引下，金属粒子沉积在硅圆片表面，形成十分均匀的金属薄膜。预计离子喷射 法三年后可达到实用。 在高速电路的布线中，必须同时形成低介电系数的层间膜。氧化膜的介电系 数为4.0，添加氟(F)的氧化膜，其介电系数现在可以达到

12、3.6，利用高密度等离 子 CVD(化学气相淀积)技术可制作含氟的氧化膜。 电容器材料 随着 DRAM 集成度的提高，电容器材料氧化膜的厚度变得越来越薄。进入90 年代以来，氮化硅膜技术不断改进，并改用立体的电容器结构，以确保所必需的 电容值。但是，这种技术似乎已经接近其极限，今后有可能采用迄今没有用过的 新材料，如氧化钽膜(Ta2O5)和高电容率材料(BST)等。 三.微电子技术与其它学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中包括了半导体器件物理、集成 电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及了固体物理学、 量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算

13、机辅助 设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。 微电子学渗透性强，其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。微机电系 统、生物芯片就是这方面的代表，是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技 术。 微电子学技术已经渗透到各个方面，随着科技的发展，其对各个学科的影响 -3- 也会愈加深远，微电子学的发展也会更大的推动社会的发展。 四微电子技术在未来轻兵器上的应用 当今世界，高新技术的浪潮推动着世纪战车，正飞速驶入一个全新的时代。 各类传统观念上的兵器在高技术的洗礼下，都产生了革命性的变化。在诸多高技 术中，雄踞榜首的是微电子技术。 微电子技术是使电子元器件和由它组成的电子设备微型化的技术， 其核心

14、是 集成电路技术。 先进的微电子技术在军事领域中的广泛应用打破了千百年形成的 武器装备唯大、唯多和大规模破坏等传统观念，使武器系统小而轻，功耗低，可 靠性高，作战效能和威力增强。如军用通信指挥系统，高空卫星侦察监视，海底 导弹发射及海、陆、空各军兵种的配合与联络，靠的都是微电子技术。 微电子技术在轻武器中的应用方兴未艾，有许多应用正在研制中，如数字地 图计划：为提供士兵所需要的一切信息，可把天气数据、情报、敌友军的位置、 空中成像等一切信息融合到一起，以数字方式存储，并通过无线计算机网络送到 任何需要的地方，甚至是前线。若将这种数字地图直接接入武器，不仅可以大大 提高武器的精度，而且能使后勤得

15、到可靠保障。随着光学、电子、材料、机械等 各方面技术的发展，微电子技术必将广泛地应用于轻武器，发挥更大的作用。 小结： 21世纪人类将全面进入信息化社会， 对微电子信息技术将不断提出更高的发展要 求， 微电子技术仍将继续是21世纪若干年代中最为重要的和最有活力的高科技领 域之一，微电子技术的发展也必将对整个社会的发展产生深远的影响。 -4- 1本文由mashuangyi111贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术发展趋势及未来发展展望 论文概要： 本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。针对 日前世界局势

16、紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵 器上的应用。由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以 便我及时改正。 一微电子技术发展趋势 微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。微电子 技术的发展， 大大推动了航天航空技术、 遥测传感技术、 通讯技术、 计算机技术、 网络技术及家用电器产业的迅猛发展。微电子技术的发展和应用，几乎使现代战 争成为信息战、电子战。在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产 业。 如今， 微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。 集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食

17、”。集成电路已发 展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25m)精度和可集成数百万晶体管的水 平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。人们认为：微电子技术的发展和 应用使全球发生了第三次工业革命。 1965年，Intel 公司创始人之一的董事长 Gorden Moore 在研究存贮器芯片 上晶体管增长数的时间关系时发现，每过1824个月，芯片集成度提高一倍。这 一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。 穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。随 着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。其次是物理限制(Physical Li

18、mitations)。当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。 DRAM 的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为 V3法则。目前 建设一条月产5000万块16MDRAM 的生产线，至少需要10亿美元。据此，64M 位的 生产线就要17亿美元，256M 位的生产线需要29亿美元，1G 位生产线需要将近50 亿美元。 至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05m 时，制作器件就会碰 到严重问题。 从集成电路的发展看，每前进一步，线宽将乘上一个0.7的常数。即：如果把 0.25m 看作下一代技术,那么几年后又一代新产品将达到 0.18m(0.25m×0.7)，再过几

19、年则会达到0.13m。依次类推，这样再经过两 三代，集成电路即将到达0.05m。每一代大约需要经过3年左右。 二.微电子技术的发展趋势 几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。如前文中提到的，著名 的穆尔(Moore)定则指出，IC 的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数)，每3 年左右为一代，每代翻两番。对应于 IC 制作工艺中的特征线宽则每代缩小30。 根据按比例缩小原理(Scaling Down Principle)，特征线条越窄，IC 的工作速 度越快，单元功能消耗的功率越低。所以，IC 的每一代发展不仅使集成度提高， 同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与 IC

20、 加工精度提高的同时， 加工的硅圆片的尺寸却在不断增大，生产硅片的批量也不断提高。以上这些导致 了微电子产品发展的一种奇妙景观：在集成度一代代提高的同时，芯片的性能、 功能不断增强，而价格却不断下跌。这一现象的深远意义在于，随着微电子芯片 技术的快速发展，一切微电子产品(计算机、通信及消费类产品等)也加速更新、 换代；不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，而且价格的越来越便宜又为 电子信息技术的不断推进及其迅速推广应用到各个领域创造了条件， 导致了人类 信息化社会的到来。 由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大，因此必须发展相应的制造技术，即 光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材

21、料技术。 光刻技术 利用波长436nm 光线，形成亚微米尺寸图形，制造出集成度1M 位和4M 位的 DRAM。i 射线(波长365nm)曝光设备问世后，可形成半微米尺寸和深亚微米尺寸 的图形，制造出16M 位和64M 位的 DRAM。 目前，采用 KrF 准分子激光器的光刻设备已经投入实用，可以形成四分之一 微米尺寸的图形，制造出64M 位 DRAM。采用波长更短的 ArF 激光器的光刻设备， 有可能在21世纪初投入实用。当然，为了实现这一目标，必须开发出适用的掩膜 形成技术和光刻胶材料。 X 射线光刻设备的研制开发工作，已经进行了相当的时间，电子束曝光技术 和3nm 真空紫外线曝光技术，也在

22、积极开发之中，哪一种技术将会率先投入实用 并成为下一阶段的主流技术，现在还难以预料。 蚀刻技术 在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术，随 着特征尺寸的不断缩小将变得越来越困难。 显然，如果能够研制出一种可以产生均匀的平面状高密度等离子源的技术， 就会获得更为理想的蚀刻效果。 利用 CER(电子回旋共振)等离子源或 ICP(电感耦合等离子)高密度等离子 源，并同特殊气体(如 HBr 等)及静电卡盘(用于精密温度控制)技术相结合，就可 以满足上述电路蚀刻工艺的要求。 扩散氧化技术 要想以低成本保证晶体的良好质量，必须采用外延生长技术。其理由是，同 在晶体制作上下工夫保证质

23、量所需要花费的成本相比， 外延生长技术的成本低得 多。 离子注入的技术水平已经有很大提高，可以将 MeV(兆电子伏特)的高能量离 子注入到晶体内部达几微米深度。迄今采用的气体扩散法，需要在高温中长时间 地扩散杂质才能形成扩散层。而现在，利用离子注入技术，可以分别地将杂质注 入到任意位置，再经一次低温热处理，就可以获得同样的结果。 同时，低能量离子注入技术也取得很大进展，可以形成深度小于0.1m 的 浅扩散层，而且精度相当高。另外，斜方向离子注入技术也大有进展，可以在任 何位置注入杂质，从而可以在低温条件下按照设计要求，完成决定晶体管性能的 杂质扩散工序作业。用固相扩散法制造源漏极浅结极为有效，

24、已经获得35nm 的 浅结。 多层布线技术 把电阻小于铝的铜，作为下一代布线材料正在引起人们的关注。美国半导体 工业协会(SIA)已经将“以铜代替铝”列入其发展规划，并制定出相应的目标和 技术标准。 铜布线采用镶嵌方法制作，并利用 CMP(化学机械抛光)技术进行研磨，布线 形成则使用半导体级电镀技术。 铜容易在绝缘膜中扩散， 所以， 在采用铜布线时， 需要同时采用能够防止铜扩散的势垒金属技术。 用离子束喷射法替代常用的真空溅射法，将金属喷射到硅圆片表面，这种方 法使硅圆片不需要金属化的一侧带负电荷，然后让金属离子带正电荷，在负电荷 吸引下，金属粒子沉积在硅圆片表面，形成十分均匀的金属薄膜。预计

25、离子喷射 法三年后可达到实用。 在高速电路的布线中，必须同时形成低介电系数的层间膜。氧化膜的介电系 数为4.0，添加氟(F)的氧化膜，其介电系数现在可以达到3.6，利用高密度等离 子 CVD(化学气相淀积)技术可制作含氟的氧化膜。 电容器材料 随着 DRAM 集成度的提高，电容器材料氧化膜的厚度变得越来越薄。进入90 年代以来，氮化硅膜技术不断改进，并改用立体的电容器结构，以确保所必需的 电容值。但是，这种技术似乎已经接近其极限，今后有可能采用迄今没有用过的 新材料，如氧化钽膜(Ta2O5)和高电容率材料(BST)等。 三微电子技术在未来轻兵器上的应用 当今世界，高新技术的浪潮推动着世纪战车，

26、正飞速驶入一个全新的时代。各类 传统观念上的兵器在 高技术的洗礼下，都产生了革命性的变化。在诸多高技术中，雄踞榜首的是微电 子技术。 微电子技术是使电子元器件和由它组成的电子设备微型化的技术， 其核心是集成 电路技术。 先进的微电子技术在军事领域中的广泛应用打破了千百年形成的武器 装备唯大、唯多和大规模破坏等传统观念，使武器系统小而轻，功耗低，可靠性 高，作战效能和威力增强。如军用通信指挥系统，高空卫星侦察监视，海底导弹 发射及海、陆、空各军兵种的配合与联络，靠的都是微电子技术。 微电子技术在轻武器中的应用方兴未艾，有许多应用正在研制中，如数字地图计 划：为提供士兵所需要的一切信息，可把天气数

27、据、情报、敌友军的位置、空中 成像等一切信息融合到一起，以数字方式存储，并通过无线计算机网络送到任何 需要的地方，甚至是前线。若将这种数字地图直接接入武器，不仅可以大大提高 武器的精度，而且能使后勤得到可靠保障。随着光学、电子、材料、 机械等各方面技术的发展，微电子技术必将广泛地应用于轻武器，发挥更大的作 用。 小结： 21世纪人类将全面进入信息化社会，对微电子信息技术 将不断提出更高的发展要求， 微电子技术仍将继续是21世纪若干年代中最为重要 的和最有活力的高科技领域之一。 参考文献： 1 蒋建飞蔡琪玉.纳米电子学电子学的前沿.固体电子学研究与发 ，1997； 17(3)：218226 2

28、汤庭熬面向21世纪微电子发展预测和一些关键技术介绍. （第一届半导体与集 成电路成品率研讨会） ，1997年11月 3 邵虞.穆尔定律，B/B 值和硅周期评介.电子产品世界，1999(10)：67 4 李志坚21世纪微电子技术发展展望 ，2001年 0 世纪 90 年代中期，由于 BGA、CSP 封装方式的引入，IC 产业迈 入高密度封装时 代。目前它的主要特征及发展趋势是：IC 封装正从 引线封装向球栅阵列封装发展。 BGA 封装正向增强型 BGA、倒装片积 层多层基板 BGA、带载 BGA 等方向进展，以适应 多端子、大芯片、薄型 封装及高频信号的要求。CSP 的球栅节距正由 1.0mm

29、向 0.8m m、0.5mm， 封装厚度正向 0.5mm 以下的方向发展，以适应超小型封装的要求。晶 圆级的封装工艺(wafer level package，WLP)则采用将半导体技术与高 密度封装技术 有机结合在一起，其工艺特点是：在硅圆片状态下，在 芯片表面再布线，并由树脂作 绝缘保护，构成球形凸点后再切片。由 此可以获得真正与芯片尺寸大小一致的 CSP 封 装，以降低单位芯片的生 产成本。为适应市场快速增长的以手机、笔记本电脑、平 板显示等 为代表的便携式电子产品的需求，IC 封装正在向着微型化、薄型化、 不对 称化、低成本化方向发展。为了适应绿色环保的需要，IC 封装 正向无铅化、无溴

30、阻 燃化、无毒低毒化方向快速发展。为了适应多 功能化需要，多芯片封装成为发展潮 流，采用两芯片重叠，三芯片重 叠或多芯片叠装构成存储器模块等方式，以满足系统 功能的需要。 三维封装可实现超大容量存储，有利于高速信号传播，最大限度地提 高封装密度，并有可能降低价格，因此，它将成为发展高密度封装的 一大亮点。 从封装产业角度来看，集成电路产业已经逐步演变为设计、制造 和封装三个相对 独立的产业。 根据 SEMI 资料， 2003 年-2007 年集成电 路制造业与封装业产值预测对比 如下图所示： 目前台湾日月光(ASE)公司和美国安可科技(Amkor)公司， 分别占据世界前两大封 装测试厂的位置。

31、而新加坡新科封装测试(STATS) 公司与金朋(ChipPAC)公司于 2004 年三季度起正式合并后，实 力大增，其封装产量已与台湾第二大封装测试厂家 矽品公司不 相上下(见下图)。 近年国内集成电路封装企业的产量和销售额均大幅度增长， 封装 业已成为我国集 成电路产业的重要组成部分。2004 年我国集成电路封 装业的销售收入为 282 亿元，比 2003 年增长 14.63%。 目前，我国集成电路封装企业集中分布在长江三角洲地区，并已 形成以北京、上 海、天津、江苏、广东为主的集成电路封装规模化生 产基地。许多国外大型集成电路 生产企业在中国建立了独资的集成电 路封装厂，如 Motorol

32、a、Intel、三星、AMD 等。 IC 封装业的市场发展，推动了为其所配套的封装材料业的发展。 从 SEMI 的最新 统计数据，可了解到世界主要 IC 封装材料生产现状(见 下图)。 我国封装材料业现状 喜忧参半 目前，电子产品高性能、多功能、小型化、便携式的趋势，不 但对集成电路的性 能要求在不断提升，而且对电子封装密度有了更高 的要求。其中包括：封装的引脚数 越来越多；布线节距越来越小；封 装厚度越来越薄；封装体在基板上所占的面积比例 越来越大；需要采 用低介电常数、高导热材料等。这些更高要求，是伴随封装技术进 步 和封装材料性能改进而实现的。 封装材料是实现封装新技术的依托， 封装技术

33、的进 步，要求其材料在性能有所提高，以适应新技术条件。 封装技术的变革，也带来了封 装材料市场格局上的转变。 1.引线框架。引线框架作为集成电路的芯片载体，是一 种借助于键合金丝实现芯 片内部电路引出端(键合点)与外引线的电气 连接，形成电气回路的关键结构件。 目前，国内引线框架生产单位共有十余家，主要从事二极管、三 极管和集成电路 引线框架的生产。国内引线框架生产工艺为冲制型和 刻蚀型两大类，现以冲制型生产 方式为主流。根据 SEMI 预测，到 2005 年后，引线框架国际市场将萎缩，但对于国内 来说，由于封装技术水 平参差不齐，需要引线框架的封装企业还很多，对引线框架需 求反而 有一定增长，并带动对引线框架铜带的需求。 2.键合金丝。键合金丝是一种具备优异电气、导热、机械性能以 及化学稳定性极 好的内引线材料。从 1995 年到 2004 年，我国键合金丝 市场年均增长率达到了 38.3