大学材料学院材料科学与工程试卷及答案

1、大学材料学院材料科学与工程试卷及答案福州大学材料学院材料科学与工程专业（班）2年级材料科学基础课程20052006学年第2学期（A）卷期末考试题（120分钟）考生姓名学号考试时间2006年7月5日题号得分分数主考教师：阅卷教师:一、名词解释（18分，每个3分）1 .晶体缺陷2 .反应扩散3 .非均匀形核4 .伪共品5 .成分过冷6 .再结晶二、填空（22分，第10题每个2分，其余每个1分）1 .空位平衡浓度的数学表达式就是。温度越高，空位浓度2 .位错可以滑移与攀移，位错可以交滑移。3 .扩散的驱动力就是。4 .相律的数学表达式为。5 .金属凝固的驱动力就是,阻力就是。6 .写出Hall-Pa

2、tch公式:。7 .面心立方晶体的滑移面为，滑移方向为,挛生面为,挛生方向为。8 .FeC合金中从奥氏体中析出的渗碳体称为，从铁素体中析出的渗碳体称为。第一页，共3页9.下图为A-B-C三元共晶投影图，合金ni,n2n3的室温组织分别为10.位错反应的条件就是：1）,2）。三、问答题（60分）（6、7两题任选一题）1 .分析实际晶体强度低于理论强度的原因。提高晶体强度的原则就是什么？具体的方法有哪些？其中哪些方法可以提高纯金属的强度？2 .10钢（含碳0、1%）在930c渗碳,渗层厚度定义为从表面测量至碳含量为0、3%的位置，求渗层厚度与时间的关系式。表面碳浓度达到碳在奥氏体中的饱与值Cs=1

3、、3%,此时Dc3.6102mm2/h,erf（）0,863 .根据下图所示的二元合金相图，指出：1）各水平线的反应类型。2）分析合金I、II的冷却过程，画出冷却曲线，指出室温时组织组成物与相组成物。第二页，共3页大学材料学院材料科学与工程试卷及答案4 .AB合金相图如下所示。某课题组有很多含B40%的AB合金。因研究急需少量纯共晶合金（含B60%）,请设计一种实验方案，利用现有的合金制备这种纯共晶合金0V » S5 h5 .有一70MP而力作用在fcc晶体的001方向上，求作用在（111）彳01与（111）彳10滑移系上的分切应力。（以下两题,任选一题）6 .塑性变形对金属组织结构

4、与性能有何影响？如何消除这些影响？7 .将一契型铜片置于间距恒定的两轧辗间轧制，如下图所示。1）画出此铜片经完全再结晶后沿片长度方向晶粒大小变化的示意图。并说明原因。2）如果在较低温度退火，何处先发生再结晶？为什么？1.2.3.4.5.6.标准答案及评分标准（A卷）、名词解释（每个3分）晶体中微区原子排列不规则或不完整。伴随有新相形成的扩散。品胚依附在其它基体表面形成核心。共品点附近非共晶成分的合金非平衡凝固后得到的共晶组织。合金凝固时在液-固界面前沿，由溶质重新分布引起的过冷。在塑性变形组织加热过程中，形成新的等轴晶粒取代变形组织的过程。、填空（22分，第10题每个2分，其余每个1分）1 .

5、CC0eQ/KT,高2 .刃型位错，螺型位错3 .化学位梯度4 .fcp2,fcp1（恒压）6.0 Kd 1/25 .液相与固相体积自有能差，固相与液相界面能7.111,<110>8、(111),112,9、次渗碳体，三次渗碳体11、10. A+(A+B+C),B+(B+C)+(A+B+C),(A+B+C)1）几何条件：反应后各位错柏氏矢量之与b等于反应前各位错柏氏矢量之与叫222）能量条件：反应后各位错的总能量b2后应小于反应前各位错能量之与b2三、问答题（每体10分）10.1） 际晶体存在位错，位错在晶体中逐步运动所需的应力比整体刚性滑移低得多。（2分）2）阻碍位错的萌生与运动

6、，或制备不含位错的晶体（2分）3）固溶强化，细晶强化，弥散相强化（沉淀相强化）,加工硬化（应变强化）（每个1分）4）加工硬化，细晶强化（2分）2. C(5分)Cs(CsC°)erf()将有关数据代入得2Dtx 一0.3 1.3 （1.3 0.1）erf （）（32* Dt分）xxerf （） 0.83 0.86 2 % Dt2, Dt（1分）x 0.37 .t （mm）（13.1）包晶转变L共品转变L2）冷却过程：I合金：12L一 , 2 L（1分）室温组织：2, （1分）（1 分）（1 分）,3 -4 L ,45,5 -6）组成相（1分）II合金:23L,3L（）,3以下不变（1分）室温组织：（）（1分）组成相（1分）冷却曲线：（各1分）4.合金的小于1,合金熔化后在瓷舟中从一端开始凝固，先凝固为a固溶体，剩余液体溶质浓度不断升高，使溶质完全混合，当剩余液体溶质浓度达到共晶成分60%时，剩余液体同时发生共晶转变，瓷舟后面的固体即为（a+B）共晶，将a固溶体切除，即得（a5.cos cos（2分）1）对（111）彳01cos,3cos 328.57MPa（4分）.32）对（111）110cos0,cos30（4分）6.1）晶粒内部出现大量的滑移带或李晶带（2分）晶粒沿变形方向伸长位错密度升高，不均匀分布-缠结-逐渐形成胞状亚结构2）加工硬化（6分）电阻率增高