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文档简介

1、运城学院物理与电子工程系运城学院物理与电子工程系 半导体本征半导体导电能力弱杂质半导体N型5价磷P型3价硼不掺杂掺杂 1. 同一块本征半导体掺杂 。 PN结方程结方程D/DR(sat)(1)TvViIeVT：温度的电压当量温度的电压当量，室温时为，室温时为26mV除稳压管外，二极管应避免反向击穿zZzVrI 二极管的类型和参数可查半导体器件手册稳压管起电流控制作用1minmax0.25kZOZVVRII0.25k0.53kR 0.51kR 作业掺杂浓度高薄且掺杂浓度低掺杂浓度低面积大发射区基区集电区INOUT公共端类型发射极E集电极C基极B共基极基极B集电极C发射极E共射极基极B发射极E集电极

2、C共集电极CECCBOEEIIIIICECBOIIICCBOII若 CCBOCEEIIIIIECBIII又BECBO(1)IIICEII所以无电流放大作用CECBOECB IIIIII1令CBCBO111IIICBCBOBCEO(1)IIIIICCEOCB IIII具电流放大作用iB、vBE相当于2个二极管并联iC、vCE 集电结发射结正偏反偏正偏饱和状态放大状态反偏反向放大状态截止状态CBIICECECBvViiCEIICBCBCEvVii01jff0000 (1)1ff其中，011jffff共基极放大电路广泛用于高频段和宽频带放大器0=11jTffff将及代入000(1)(1)TTffff

3、020=11+TTTTfffffffffNJFETPNPMOSFETNP沟道结型场效应管（,耗尽型）沟道沟道场效应管增强型沟道绝缘栅型场效应管（）沟道耗尽型沟道 常数GSUDSDufi)()DSDGSUif u常数2)()()1 (offGSGSsatDDVuIi 耗尽型管耗尽型管加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压DSDGSmVigvRVVIRiZiZ-15- 6-15- 6(1)= 18m A(1)= 18m A0. 50. 5RLLVIRZ Z6 6= 3m A= 3m A2 2ZRRLIII工作正常= 18- 3= 15m A = 18- 3= 15m A RVVIRiZiZ-10- 6-10- 6(2)= 8m A(2)= 8m A0. 50. 5RLLVIRZ Z6 6= 7. 5m A= 7. 5m A0. 80. 8ZRRLIII工作不正常= 8- 7. 5= 0. 5m A = 8- 7. 5= 0. 5m A RVVIRiZiZ-20- 6-20- 6(3)= 28m A(3)= 28m A0. 50. 50R

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