三极管的命名参数及测试

1、.三极管的命名和参数三极管的命名和参数.半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式第一部分第一部分数字数字 字母字母 字母字母(汉拼汉拼) 数字数字 字母字母(汉拼汉拼) 电极数电极数 材料和极性材料和极性 器件类型器件类型 序号序号 规格号规格号3 三极管三极管第二部分第二部分第三部分第三部分X 低频小功率管低频小功率管G 高频小功率管高频小功率管D 低频大功率管低频大功率管A 高频大功率管高频大功率管第四部分第四部分第五部分第五部分例：例： 3AX31 3DG12B 3DD6PNP低频小功率锗三极管低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管低频大

2、功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管硅开关三极管 D 硅材料硅材料 NPNC 硅材料硅材料 PNPA 锗材料锗材料 PNPB 锗材料锗材料 NPN. 2.1.6 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号

3、的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管.1. 电流放大系数电流放大系数 ， 当晶体管接成共发射极电路时，在静态当晶体管接成共发射极电路时，在静态( (无输入信号无输入信号) )时集时集电极电流与基极电流的比值称为电极电流与基极电流的比值称为静态电流静态电流( (直流直流) )放大放大系数系数 BCII 当晶体管工作在动态当晶体管工作在动态( (有输入信号有输入信号) )时，基极电流的变化时，基极电流的变化量为量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与与 IB的比值称为的比值称为动态

4、电流动态电流( (交流交流) )放大系数放大系数 BCII 在输出特性曲线近于平行等距并且在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下较小的情况下,可近似认为可近似认为 ，但二者含义不同。，但二者含义不同。 电流放大系数一般在电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取能不稳定。一般取3080为宜。为宜。 (1)(1)直流参数直流参数. 极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向

5、饱和电流。 指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。EC ICBO. 2.集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和和ICBO有如下关系有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线特性曲线IB=0那条曲线所对应的那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。坐标的数值。如下图所示。ECICEO饱和区饱和区截止区截止区IC / mAUCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0

6、O 3 6 9 1243212.31.5放放 大大 区区 .1.集电极集电极 基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO。 反向饱和电流随反向饱和电流随温度温度增加而增加，是管子工作状态增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能判断管子性能的的重要依据。重要依据。硅硅管管反向饱和电流反向饱和电流远远小小于于锗锗管，在温度变化管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。范围大的工作环境应选用硅管。 二、极间反向饱和电流二、极间反向饱和电流CBOCEO)1 (II2.集电极集电极 发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流ICEO。 (2.1.

7、7).1. 电流放大系数电流放大系数 ， 当晶体管接成共发射极电路时，在静态当晶体管接成共发射极电路时，在静态( (无输入信号无输入信号) )时集时集电极电流与基极电流的比值称为电极电流与基极电流的比值称为静态电流静态电流( (直流直流) )放大放大系数系数 BCII 当晶体管工作在动态当晶体管工作在动态( (有输入信号有输入信号) )时，基极电流的变化时，基极电流的变化量为量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与与 IB的比值称为的比值称为动态电流动态电流( (交流交流) )放大系数放大系数 BCII 在输出特性曲线近于平行等距并且在输出特性曲

8、线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下较小的情况下,可近似认为可近似认为 ，但二者含义不同。，但二者含义不同。 电流放大系数一般在电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取能不稳定。一般取3080为宜。为宜。 (2)(2)交流参数交流参数.下下降降到到 1 1 时时所所对对应应的的频频率率 fT 与与结结电电容容 CD、CT有有关关1fTf 特征频率特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示

9、。(2)(2)交流参数交流参数. 当当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM 。1. 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM (3)极限参数极限参数. 基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集称为集射反相击穿电压射反相击穿电压 U(BR)CEO 。 2.V(BR)CEO发射极开路时的集电结击穿电压。发射极开路时的集电结击穿电压。下标下标BR代表击穿之意，是代表击穿之意，是Breakdown的字头，的字头，CB代表集电极和基极，

10、代表集电极和基极，O代表第三个电极代表第三个电极B开路。开路。 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。导致热击穿会损坏管子。2. 集电极集电极 发射极间反向击穿电压发射极间反向击穿电压V(BR)CEO. 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。ICICMU(BR)CEOUCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区 由由 ICM 、 U(BR)CEO 、 PCM 三者共同确定晶体管三者共同确定晶体管的安全工作区。的安全工作区。返回返回正常工作时，正常工作时，I IC C流过集电结要消耗功率，而使三极管发热流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该使集电极消耗的功率该使集电极消耗的功率P PC C P PCMCM3. 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM.3. 集电极最大允许功耗集电极最