淄博功率IC项目可行性研究报告范文

1、泓域咨询/淄博功率IC项目可行性研究报告淄博功率IC项目可行性研究报告xx公司目录第一章 总论10一、 项目名称及建设性质10二、 项目承办单位10三、 项目定位及建设理由11四、 报告编制说明12五、 项目建设选址14六、 项目生产规模14七、 建筑物建设规模14八、 环境影响14九、 项目总投资及资金构成15十、 资金筹措方案15十一、 项目预期经济效益规划目标16十二、 项目建设进度规划16主要经济指标一览表17第二章 项目建设背景、必要性19一、 二极管、晶体管行业的基本情况19二、 MOSFET产品的行业基本情况21三、 TVS产品的行业基本情况22四、 积极主动融入和服务新发展格局

2、25五、 全面提升创新驱动发展水平28第三章 行业发展分析32一、 行业基本情况32二、 发电源管理IC产品的行业基本情况33三、 行业发展趋势（机遇与挑战）34第四章 建筑工程说明39一、 项目工程设计总体要求39二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表41第五章 产品规划方案43一、 建设规模及主要建设内容43二、 产品规划方案及生产纲领43产品规划方案一览表43第六章 选址方案分析45一、 项目选址原则45二、 建设区基本情况45三、 大力优化开放布局49四、 项目选址综合评价50第七章 发展规划52一、 公司发展规划52二、 保障措施53第八章 法人治理结构55一

3、、 股东权利及义务55二、 董事60三、 高级管理人员65四、 监事68第九章 运营模式71一、 公司经营宗旨71二、 公司的目标、主要职责71三、 各部门职责及权限72四、 财务会计制度75第十章 工艺技术分析82一、 企业技术研发分析82二、 项目技术工艺分析84三、 质量管理85四、 设备选型方案86主要设备购置一览表87第十一章 环保分析88一、 环境保护综述88二、 建设期大气环境影响分析89三、 建设期水环境影响分析91四、 建设期固体废弃物环境影响分析91五、 建设期声环境影响分析91六、 环境影响综合评价92第十二章 劳动安全分析93一、 编制依据93二、 防范措施96三、 预

4、期效果评价100第十三章 节能方案说明101一、 项目节能概述101二、 能源消费种类和数量分析102能耗分析一览表102三、 项目节能措施103四、 节能综合评价104第十四章 进度规划方案105一、 项目进度安排105项目实施进度计划一览表105二、 项目实施保障措施106第十五章 组织机构管理107一、 人力资源配置107劳动定员一览表107二、 员工技能培训107第十六章 投资估算及资金筹措109一、 投资估算的依据和说明109二、 建设投资估算110建设投资估算表112三、 建设期利息112建设期利息估算表112四、 流动资金114流动资金估算表114五、 总投资115总投资及构成一

5、览表115六、 资金筹措与投资计划116项目投资计划与资金筹措一览表117第十七章 项目经济效益118一、 经济评价财务测算118营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表123二、 项目盈利能力分析123项目投资现金流量表125三、 偿债能力分析126借款还本付息计划表127第十八章 项目风险防范分析129一、 项目风险分析129二、 项目风险对策131第十九章 项目招标、投标分析134一、 项目招标依据134二、 项目招标范围134三、 招标要求134四、 招标组织方式137五、 招标信息发

6、布137第二十章 项目综合评价说明138第二十一章 附表附件140建设投资估算表140建设期利息估算表140固定资产投资估算表141流动资金估算表142总投资及构成一览表143项目投资计划与资金筹措一览表144营业收入、税金及附加和增值税估算表145综合总成本费用估算表146固定资产折旧费估算表147无形资产和其他资产摊销估算表148利润及利润分配表148项目投资现金流量表149报告说明2019年全球MOSFET市场规模达76亿美元，2016-2023年复合增速达5%；中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元，中国市场在全球占比约48%。2020年，全球MOSFET市场规模达80.67亿美元，

7、2021年在全球尤其是中国的5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年，MOSFET每年的增速将不低于6.7%，预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据，2020年，全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前2大厂商英飞凌和安森美营收之和占比为40.9%，前10大公司营收之和占比高达80.4%。根据谨慎财务估算，项目总投资16016.20万元，其中：建设投资12307.19万元，占项目总投资的76.8

8、4%；建设期利息127.76万元，占项目总投资的0.80%；流动资金3581.25万元，占项目总投资的22.36%。项目正常运营每年营业收入34300.00万元，综合总成本费用26991.92万元，净利润5348.03万元，财务内部收益率25.65%，财务净现值11059.02万元，全部投资回收期5.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目

9、的实施不但是可行而且是十分必要的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称淄博功率IC项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx公司（二）项目联系人何xx（三）项目建设单位概况经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第

10、一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司以负责任的方式为消费者提供

11、符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。三、 项目定位及建设理由根据OMDIA发布的研究报告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市场规模约为16.21亿美元，预计2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元。2020年全球ESD保护器件市场规模约为10.55亿美元，预计2023年全球ESD保护器件市场规

12、模约为13.20亿美元。城市竞争力持续增强，新旧动能转换不断加快，老工业城市产业转型升级示范区建设3次获表彰；城市现代化水平显著提升，乡村振兴战略扎实推进，城乡区域发展更加协调；脱贫攻坚坚定有力，全面消除绝对贫困，474个省定贫困村稳定退出，15.7万建档立卡贫困人口实现脱贫；创新实施“全员环保”工作机制，生态环境质量持续改善；对外开放不断扩大，国家级综合保税区成功获批；群众生活持续改善，就业、社保、文化、教育、医疗、养老等民生社会事业加快发展；积极应对风险挑战，成功抗击“利奇马”台风，新冠肺炎疫情防控取得重大战略成果；城市文明程度不断提升，实现全国文明城市“四连冠”、国家卫生城市“二十五连冠

13、”；市域社会治理能力明显提升，实现全国社会治安综合治理优秀市“三连冠”；军地军民团结关系进一步巩固发展，荣获全国双拥模范城“九连冠”；全面从严治党呈现崭新气象，政治生态持续向好，干部群众精神面貌向新向上。经过全市上下共同努力，“十三五”规划目标任务即将完成，全面建成小康社会胜利在望。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）报告编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑

14、辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。（二） 报告主要内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面

15、积约40.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件功率IC的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积37826.84，其中：生产工程26504.01，仓储工程4465.13，行政办公及生活服务设施5065.68，公共工程1792.02。八、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理；项目建设具有较明显的社会、经济综合效益；项目实施后能满足区域环境质量与环境功能的要求，但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响，只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度，

16、切实落实各项环境保护措施，加强环境管理，认真对待和解决环境保护问题，对污染物做到达标排放。从环保角度上讲，项目的建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资16016.20万元，其中：建设投资12307.19万元，占项目总投资的76.84%；建设期利息127.76万元，占项目总投资的0.80%；流动资金3581.25万元，占项目总投资的22.36%。（二）建设投资构成本期项目建设投资12307.19万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用10395.55万元，工程建设其他费用1

17、603.53万元，预备费308.11万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资16016.20万元，其中申请银行长期贷款5214.69万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：34300.00万元。2、综合总成本费用（TC）：26991.92万元。3、净利润（NP）：5348.03万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.18年。2、财务内部收益率：25.65%。3、财务净现值：11059.02万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划1

18、2个月。十四、项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积26667.00约40.00亩1.1总建筑面积37826.841.2基底面积14933.521.3投资强度万元/亩287.642总投资万元16016.202.1建设投资万元12307.192.1.1工程费用万元10395.552.1.2其他费用万元1603.532.1.3预备费万元308.112.2建设期利息万元127.762.3流动

19、资金万元3581.253资金筹措万元16016.203.1自筹资金万元10801.513.2银行贷款万元5214.694营业收入万元34300.00正常运营年份5总成本费用万元26991.926利润总额万元7130.717净利润万元5348.038所得税万元1782.689增值税万元1478.1510税金及附加万元177.3711纳税总额万元3438.2012工业增加值万元11140.4913盈亏平衡点万元13260.96产值14回收期年5.1815内部收益率25.65%所得税后16财务净现值万元11059.02所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 二极管、晶体管行业的基本情况1、二极管、

20、晶体管简介半导体二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性二端器件，其产品结构比较简单，一般为单个PN节结构，只允许电流从单一方向流过。自20世纪50年代面世至今，陆续发展出整流二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、TVS二极管等系列的二极管，广泛应用于整流、稳压、检波、保护等电路中。二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，是电子工程上用途最广的电子元器件之一。晶体管是一种使用半导体材料制作而成的三端器件，具有放大、开关、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压或输入电流控制输出电流。晶体管根据结构特点和功能主要分为绝缘栅双极型晶体管(In

21、sulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和双极性结型晶体管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗称三极管）。 2、二极管、晶体管行业的市场规模及竞争格局2018年全球二极管市场规模达63.93亿美元，市场空间广阔。根据中国电子信息产业统计年鉴数据，中国二极管销量从2014年的2,856亿只增长到了2018年的16,950亿只。根据芯谋研究的有关数据，2020年全球二极管营收前十大厂商中以欧、美、日厂商

22、为主。晶体管主要分为双极性结型晶体管（三极管）、MOSFET和IGBT。根据三种晶体管的市场规模估算，2019年，晶体管总的市场规模约为138.27亿美元；2020年，晶体管总市场规模约为147.88亿美元。由于双极性结型晶体管存在功耗偏大等问题，随着全球节能减排的推行，其市场规模总体趋于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市场规模则以较高速度增长。市场竞争格局方面，三极管、MOSFET和IGBT三类产品的市场竞争格局有所不同。其中，全球三极管市场比较分散，MOSFET和IGBT市场集中度较高。3、二极管、晶体管行业的未来发展趋势二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，随

23、着市场的扩展而成长。二极管在部分细分领域的中高端产品，对技术创新要求较高，会随着应用领域的技术要求不断提升，推动产品的技术升级，尤其是在消费类电子领域。晶体管中，双极性结型晶体管（三极管）是电流型功率开关器件，价格低、功耗大，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来，消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。二、 MOSFET产品的行业基本情况1、MOSFET简介MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字

24、电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽结构MOSFET于1990年左右逐步研发成功。2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET。对国内市场而言，MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。2、MOSFET的市场规模及竞争格局2019年全球MOSFET市场规模达76亿美元，2016-2023年复合增速达5%；中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元，中国市场在全球占比约48%。2020年，全球MOSFET市场规模达80.67亿美元，2021年在全球尤其是中国的5G基础设施

25、和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年，MOSFET每年的增速将不低于6.7%，预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据，2020年，全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前2大厂商英飞凌和安森美营收之和占比为40.9%，前10大公司营收之和占比高达80.4%。3、MOSFET的未来发展趋势近二十年来，各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流，技术上MOSFET朝着低

26、阻抗发展。中国MOSFET市场规模增长迅速，据统计，2016年-2019年MOSFET市场的复合增长率为12.0%。MOSFET增速与全球功率器件增速接近，占据功率器件22%的市场份额，长期来看仍将保持重要地位。全球功率器件市场规模稳步增长，MOSFET需求长期稳定。三、 TVS产品的行业基本情况1、TVS/ESD保护器件简介普通的TVS二极管在20世纪80年代开始出现，与大多数二极管正向导通的特性不同，其基于反向击穿特性，通过对浪涌的快速泄放，可以起到对电子产品的保护作用，对初级浪涌防护效果较好。普通TVS二极管也是采用单个PN节结构，主要采用台面结构技术。21世纪初期以来，随着半导体芯片制

27、程的发展，集成电路芯片呈现出小型化趋势，线宽变窄，同时追求更高的集成度和更低的工作电压，致使集成电路芯片变得更加敏感，极易受到静电和浪涌冲击，造成损坏。普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中新提出的防静电和浪涌冲击的保护要求，于是新型的具备漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且兼具防浪涌能力等特点的用于ESD（Electro-Staticdischarge，静电放电）保护的TVS（以下简称为“ESD保护器件”）在近十几年被开发出来并不断创新、升级。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成，结构单一，工艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高，结构更

28、加复杂，一般设计成多路PN结集成结构，采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着当前TVS的技术水平和发展方向。目前，功率半导体行业内部分国际企业已将ESD保护器件在内的TVS单独分类。比如，安世半导体已将ESD保护、TVS单独分类，将其与二极管、MOSFET、逻辑和模拟IC等产品类别共同列为主要产品类别；安森美将ESD保护单独分类，与二极管、MOSFET、晶体管等产品类别并列为安森美的主要产品类别；英飞凌、意法半导体、商升特等亦将ESD保护等单独分类。2、TVS/ESD保护器件的市场规模及竞争格局根据OMDIA发布的研究报告TVS-ESD

29、ComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市场规模约为16.21亿美元，预计2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元。2020年全球ESD保护器件市场规模约为10.55亿美元，预计2023年全球ESD保护器件市场规模约为13.20亿美元。根据韦尔股份2019年年度报告，在TVS领域，韦尔股份在消费类市场中的出货量稳居国内第一，其主要竞争对手是外资器件厂家，包括英飞凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半导体（NXP），商升特半导体（Semtech）等。根据韦尔股份2020年年度报告，其2020年TVS销售额为5.03

30、亿元。ESD保护器件的市场目前主要由欧美厂商主导，根据OMDIA发布的研究报告，全球前五大厂商分别为安世半导体（Nexperia）、意法半导体（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大厂商2020年销售额为7.08亿美元，占全球市场份额约为67.12%。3、TVS/ESD保护器件的未来发展趋势TVS/ESD保护器件的应用领域广泛，随着在5G基础设施和5G手机、电动汽车充电桩、个人电脑、工业电子等市场的推动下，预计TVS/ESD保护器件将以较大幅度增长。在消费类电子领域，由于产品集成度高，技术要

31、求不断提升，产品更新换代较快，相应地对ESD保护器件的技术创新要求也较高，未来的发展趋势为小型化、集成化。ESD保护器件通常具有响应时间短、具备静电防护和浪涌吸收能力强等优点，可用于保护设备电路免受各类静电及浪涌的损伤，顺应了集成电路芯片发展的趋势和需要，市场前景广阔。四、 积极主动融入和服务新发展格局坚持改革和发展深度融合，促进有效市场和有为政府更好结合，加快建设高水平开放型城市，努力在新发展格局中争当重要支点城市和重要链接平台，为高质量发展注入新的动力活力。（一）精准发力扩大内需适应消费升级大趋势，完善扩大内需支持政策，加大多元化、个性化、多层次供给，繁荣会展经济、夜间经济、体育经济、文娱

32、经济、节日经济，提升传统消费、培育新型消费、适当增加公共消费，推动汽车、住房等大宗消费健康发展，形成需求牵引供给、供给创造需求的高水平动态平衡。畅通城乡消费市场衔接，鼓励本地产品消费吸纳，优化净化消费环境，强化消费者权益保护。优化投资结构，保持投资合理增长，发挥投资对优化供给结构的关键作用。围绕产业基础高级化、产业链现代化，坚持不懈抓好重大产业项目、园区项目、技改项目和平台类项目建设。组织实施新基建三年行动计划，推进新型城镇化、轨道交通、能源水利等重大工程建设，补齐基础设施、市政工程、农业农村、公共安全、生态环保、公共卫生、物资储备、防灾减灾、民生保障等领域短板。坚持“要素跟着项目走”，建立全

33、链条管理服务机制和高效率保障机制，推动项目快落地快开工快建设快投用。发挥政府投资撬动作用，激发释放民间投资潜力活力，形成市场主导的投资内生增长机制。（二）建设高标准市场体系落实国家市场体系基础制度，实施高标准市场体系建设行动，构建高效规范、公平竞争的市域统一市场。实行非禁即入、非禁即准，严格落实公平竞争审查制度，破除妨碍统一市场和公平竞争的各种壁垒。深化土地管理制度改革，推进土地要素市场化配置。深化城乡户籍制度改革，提升人力资源市场效能，推动劳动力要素自由流动。发展技术要素市场，完善技术技能评价制度。建立完善全市公共资源交易平台，推动用能权、用水权、排污权、碳排放权等权益要素交易。培育发展数据

34、要素市场，建设淄博大数据交易中心，推动数据开发交易。持续开展降低实体经济企业成本行动，切实减轻企业负担。完善市场出清机制，促进要素资源向高效市场主体流动。（三）激发市场主体活力毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。优化国有资本布局结构，推动市属国有资本向“四强”产业、新经济、基础建设、公共服务领域集聚。深化劳动、人事、分配制度改革，推行经理层成员任期制和契约化管理，实现党的领导融入公司治理，推动市属国有企业健全完善中国特色现代企业制度。破除制约民营企业发展的各种壁垒，推进能源、道路、通讯、公用事业等行业竞争性环节市场化改革，鼓励民营资本参与国有企业改制重组、合

35、资经营和混合所有制改革。完善促进中小微企业和个体工商户发展的环境和政策体系，依法平等保护民营企业产权和企业家合法权益。弘扬企业家精神，健全完善城市发展合伙人制度，持续落实关心关爱企业家十条措施，深化党政领导干部担任服务重点企业联络员制度，构建亲清政商关系。（四）打造市场化法治化国际化营商环境持续推出优化营商环境“一号改革工程”加强版，着力塑造效率最高、服务最优、收费最低的政务服务环境，资源跟着项目走的要素保障环境，让企业家放心投资、舒心经营的市场监管环境，最具安全感的社会法治环境，一切活力充分涌动、竞相迸发的创新创业环境。深化简政放权、放管结合、优化服务改革，全面实行政府权责清单制度，深入推进

36、政务公开，加快政府职能转变。实施涉企经营许可事项清单管理，对新产业新业态实行包容审慎监管。全面实施“一网通办、智慧秒批、精准服务”模式，推行政策找人、上门服务。健全以发展规划为导向，财政、就业、产业、投资、消费、环保等紧密配合的政策体系，增强政策稳定性和可预期性。实行重要政策、重大事项事前评估和事后评价制度，畅通社会各界参与政策制定渠道。建设数字政府，推动公共数据汇聚共享和社会数据融合应用。深化行业协会、商会和中介机构改革。五、 全面提升创新驱动发展水平坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，以创新驱动发展战略为指引，完善创新体系，聚力打造科教强市、人才强市。（一）持续提升科技创新能力聚焦创新战

37、略布局，制定落实科技强市行动方案，打造区域性创新高地。围绕产业链布局创新链，加强共性应用技术平台建设，加快建设北方创新药研发中心、山东氢能产业创新工程中心、化工新材料研究中心、综合性石化产业中试基地、无人驾驶实验室、数字农业研究院等研发转化平台，用优势平台聚合高端研发成果，集聚更多工程化、产业化的应用型研发机构，力争全市省级以上创新平台实现质量跨越、数量翻番。逐步把新材料产业博览会、新材料技术论坛等打造成为国家级论坛，更加有效地链接国内外创新资源和人才。围绕创新链布局产业链，着眼全市产业转型升级，聚焦集成电路、新材料、MEMS、人工智能、生物医药、无人驾驶、氢能、数字经济等领域，集中力量突破一

38、批“卡脖子”技术、共性关键技术。（二）强化企业技术创新主体地位推动产学研深度融合，支持骨干企业牵头成立创新联合体和知识产权联盟，推动产业链全链条、大中小企业融通创新，争取实施一批国家重大科技项目。落实国家支持企业基础研究的税收优惠政策，鼓励企业开展科技、产品、品牌、业态、模式全方位创新。实施高新技术企业和科技型中小企业培育工程，培育更多“专精特新”企业。强化基金引导作用，运用投贷联动、股债联合等方式，引导中长期社会资金和民间资本进入企业自主创新领域。（三）打造创新人才集聚区贯彻“四个尊重”方针，完善落实“人才金政37条”，深入开展“淄博英才计划”，实施新一轮“十万大学生集聚计划”，继续开展“名

39、校人才特招行动”，培育引进更多科技领军人才和创新团队。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的人才评价制度，落实科技攻关“揭榜制”、首席专家“组阁制”、项目经费“包干制”，构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制，充分激发创新积极性。实施知识更新、技术提升工程，培育数量充足、匹配精准的高素质创新型、应用型、技能型人才队伍。（四）大力优化创新生态构建“基础研究工程应用研究公共服务科技成果转化”创新平台联动发展新机制，健全“创业苗圃+孵化器+加速器+产业园区”全生命周期创新创业载体链条，把淄博打造成为科技创新成果转化的标杆城市。放大产业技术创新战略联盟作用，围绕优势产业链和特色集群，加速

40、集聚优质支撑要素，集中打造“政产学研金服用”创新创业共同体。丰富产业中试、检验检测、成果熟化、示范应用生态配套，推动更多创新成果在本地转移转化。加强知识产权保护运用，健全技术经纪人制度。（五）推动校城深度融合发展扎实推进国家级产教融合试点城市建设，落实省市共建山东理工大学工作，支持山东理工大学建设高水平研究型大学，建设环理工大学创新带，支持山东农业工程学院、山东轻工职业学院、齐鲁医药学院、淄博职业学院、山东工业职业学院、淄博技师学院、淄博师范高等专科学校转型跨越发展。实施高校院所集聚行动，加快推进淄博大学城、科学城建设，建设青岛科技大学教科产融合基地、山东工艺美术学院教科产融合基地、山东科技大

41、学淄博产业技术学院，推动山东理工大学与德国比勒菲尔德应用科技大学共建山东中德智能制造学院，推动淄博职业学院与俏江南、山东莱茵科斯特智能科技等共建产业学院，推动山东轻工职业学院与山东工艺美术学院共建山东丝绸设计学院。大力实施驻淄高校专业设置调整优化工程，积极推动品牌专业建设，加快构建适应地方经济社会发展和产业转型升级需求的专业布局，建立定期向驻淄高校提供就业信息制度，稳步提升毕业生留淄就业比例。建立产业导师特设岗位，推动院校专任教师到企业实践锻炼制度化。建立地方科技、艺术类人才到大学兼职教授制度，促进校城人才双向流动。深化高校院所内部治理改革，推行高层次人才年薪制、协议工资制、项目工资制。第三章

42、 行业发展分析一、 行业基本情况半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是整个信息产业的发展基石，是电子产品的核心组成部分。从应用领域看，半导体产品主要应用领域集中于PC、消费类电子、手机、汽车电子等领域。此外，随着电子产品的升级，半导体在电子产品的含量将逐步提高，未来在下游电子产品市场需求增长的带动下，半导体产业将保持较好的增长态势。半导体器件是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。功率半导体是对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件，不但实施电能的存储、传输、处理和控制，保障电能安全、可靠、高效和经济的运行，而且将能源与信息高度地集成在一起。虽然

43、功率半导体器件在电力电子装置中的成本占比通常仅20%-30%，但是对设备的使用性能、过载能力、响应速度、安全性和可靠性影响极为重大，是决定其性价比的核心器件。在日常生活中，凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的，均离不开功率半导体。功率半导体器件作为不可替代的基础性产品，广泛应用于国民经济建设的各个领域。从产品类型来看，功率半导体可以分为功率器件和功率IC。功率器件属于分立器件，可进一步分为二极管、晶体管、晶闸管等，其中二极管主要包括TVS二极管、肖特基二极管、整流二极管等，晶体管主要包括MOSFET、IGBT、双极性晶体管等；功率IC属于集成电路中的模拟IC，可进一步分为AC/DC

44、、DC/DC、电源管理IC、驱动IC等。二、 发电源管理IC产品的行业基本情况1、电源管理IC简介电源管理IC在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测等功能，是电子设备中不可或缺的芯片。电源管理IC可应用于手机、可穿戴设备等消费类电子领域以及网络通讯、工业、安防等领域的各类终端产品，是模拟芯片的重要组成部分。2、电源管理IC的市场规模及竞争格局根据Frost&Sullivan统计，全球电源管理IC拥有广阔的市场空间。2020年全球电源管理芯片市场规模约328.8亿美元，2016年至2020年年复合增长率为13.52%。国际市场调研机构TMR预测，到2026年全球电源管理芯片市场规模将达到

45、565亿美元，年复合增长率高达10.69%。其中以大陆为主的亚太地区是未来全球电源管理芯片最大的成长动力。全球电源管理芯片被美、欧等国际厂商垄断，前五大供应商占据71%市场份额。目前，虽然欧美发达国家及地区电源管理芯片厂商在产品线的完整性及整体技术水平上保持领先优势，但随着国内集成电路市场的不断扩大，部分本土企业在激烈的市场竞争中逐渐崛起，整体技术水平和国外设计公司的差距不断缩小。3、电源管理IC的未来发展趋势随着电子产品的种类、功能和应用场景的持续增加，消费端对电子产品的稳定性、能效、体积等要求也越来越高。为顺应终端电子产品的需求，电源管理IC将朝着高效能，微型化及集成化等方向发展，技术上追

46、求更高的直流耐压，更小的导通阻抗，以及更小的封装尺寸。随着5G通信、物联网、智能家居、汽车电子、工业控制等新兴应用领域的发展，电源管理芯片下游市场有望持续发展。三、 行业发展趋势（机遇与挑战）1、全球经济发展态势和电子系统产品市场将是带动全球半导体市场发展的主要因素ICInsights发布的麦克林报告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半导体市场与全球GDP总量增长的关系图，指出全球经济增长状况是影响全球半导体市场起伏的最主要因素，特别是2010年以后，全球半导体市场增长与全球GDP总量增长呈现高度相关性，2010-2018年的相关系数高达0.86。2016年、2017年、2

47、018年全球GDP总量增速分别为2.4%、3.1%、3.0%左右，而推动全球半导体市场增速分别达3.0%、25%、16%左右。ICInsights预测2019-2023年全球半导体市场增长与全球GDP总量增长的相关系数为0.93。ICInsights认为原因来自两个，一是越来越多的兼并和收购事件导致主要半导体制造商和供应商数量减少，这是供应基础的一个重大变化，也说明了该行业愈发成熟，这有助于促进全球GDP成长与半导体市场之间更密切的关联性。二是消费者驱动的IC市场持续转型。20年前大约60%的半导体市场是由商务应用程序推动、40%是由消费者应用程序驱动的，如今这两者所占百分比已经互换。因此，随

48、着消费者为导向的环境推动电子系统销售和半导体市场的作用愈显重要。2、国家出台多项政策驱动产业繁荣发展国家高度重视半导体行业发展，近年来出台了多项扶持产业发展政策，鼓励技术进步。2014年6月，国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要，以设计、制造、封装测试以及装备材料等环节作为集成电路行业发展重点，提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%；到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。2014年9月24日，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“大基金一期”）正式设立；2019年10月22日，

49、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（简称“大基金二期”）注册成立。大基金一期和大基金二期重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理，充分展现了国家扶持半导体行业的信心，将大力促进行业增长。功率半导体作为半导体行业的重要组成部分，将大受裨益。国家的政策支持为行业创造了良好的政策环境和投融资环境，为功率半导体行业发展带来了良好的发展机遇，促进行业发展的同时加速产业的转移进程，国内功率半导体行业有望进入长期快速增长通道。3、下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的产品需求功率器件应用领域十分广泛，下游终端产品类别繁多，随着社会发展和技术发展

50、，下游终端产品对电能转换效率、稳定性、高压大功率提出了更高的需求，产品设计将更加复杂化，产品功能将更加多样化。下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的需求，促进功率器件的技术发展，促使功率器件朝着更高性能、更快速度、更小体积方向发展。4、新兴产业需求和技术创新将引领半导体行业发展随着汽车电子、智能制造、人工智能、5G、高端应用处理器、高性能计算、汽车驾驶辅助系统、虚拟货币等新兴领域的快速发展，相关IC产品将被更为广泛地应用在各类智能移动终端、工业机器人、新能源汽车、可穿戴设备等新兴产品中。这些需求将刺激我国IC产品的技术创新和产业发展，对我国IC设计、制造企业带来增长机遇。同时，我国功率半导体

51、企业一直紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动产品升级，并积极向中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争。随着计算机、网络通信、智能家居、汽车电子等行业的技术发展和市场增长，我国功率半导体技术水平也将不断提升，为国内功率半导体相关企业赢得更多的发展机遇。5、市场空间巨大半导体产业是全球性产业，全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提，但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美，日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚，但近年来，国家高度重视半导体行业的发展，不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双

52、循环格局发展，国内功率半导体产品需求继续增加，国内功率半导体设计企业不断成长，未来发展空间巨大。根据顾问机构InternationalBusinessStrategies（IBS）预测，到2030年中国的半导体市场供应将达到5,385亿美元。2020-2030年中国市场的半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升，到2030年将达到39.8%。预计到2030年，69%的消费量将来自中国本土公司，需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。第四章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求（一）设计依据1、根据中国地震动参数区划图（GB18306-2015），拟建项目所在地区地震烈度为7

53、度，本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防，其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况，所用材料当地都能解决。特殊建材（如：隔热、防水、耐腐蚀材料）也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决，可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定，以及省标、国标等，因地制宜、方便施工。（二）建筑设计的原则1、应遵守国家现行标准、规范和规程，确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件，因地制宜，积极结合当地的材料、构件供应和

54、施工条件，采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面，应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要求。二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB

55、400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保护层1、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积37826.84，其中：生产工程26504.01，仓储工程4465.13，行政办公及生活服务设施5065.68，公共工程1792.02。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1