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文档简介

1、北京交通大学硕士学位论文便携式心电图仪存储与控制模块设计与实现姓名:宋健申请学位级别:硕士专业:计算机系统结构指导教师:陈连坤20080601 北京交通大学硕士学位论文NOR器件的读取速度比NAND块,而写入速度比NAND慢,但由于NOR的擦除单元较大,因而NOR的擦除时间是NAND的数倍。3.容量成本NAND器件的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单, NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR FALSH占据了容量为I"-'16MB闪存市场的大部分,而NAND FLASH多用在8一-128MB的产品当中。但由于NAND结

2、构原因,NAND器件容易出现坏块,因而使用前需要进行坏块检测。在考虑主存储器的需求分析和以上NAND和NOR技术特性对比,我们选择SAMSUNG的NAND FLASH芯片K9F1208UOC作为系统的主存储器。K9F1208UOC是Samsung公司采用CMOS浮置门技术和与非存储结构技术生产的NAND FLASH存储器【12】,存储容量为64M X8bit,内部存储结构为528字节X32页x4096块,每页有16字节的空闲存储区。K9F1208UOB读一页的平均值为50ns,写一页的典型值为200us,写之前要进行擦除操作,擦除是以块(32页为单位,擦除一块的典型值为2ms,能够满足主存储器的性能要求。K9F1208UOC工作电压为2.7V3.6V,TSOPl封装的引脚排列如图3.5所示,各引脚功能见表

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