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图9:纳米图案化蓝宝石基板图 3:R-Plane或 Plane蓝宝石基板 3:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板 通常,C面蓝宝石衬底上生长的薄膜是沿着其极性轴即轴方向生长的, 薄膜具有自发极化和压电极化效应,导致薄膜内部(有源层量子阱产生强 大的内建电场,(Quantum Confine Stark Effect, QCSE;史坦克效应大 大地降低了薄膜的发光效率. 在一些非C面蓝宝石衬底(如R面或M 面 和其他一些特殊衬底(如铝酸锂;LiAlO2 上生长的GaN薄膜是非极性和半极 性的,上述由极化场引起的在发光器件中产生的负面效应将得到部分甚至 完全的改善.传统三五族氮化物半导体均成长在c-plane 蓝宝石基板上,若 把这类化合物成长于R-plane 或M-Plane上,可使产生的内建电场平行于 磊晶层,以增加电子电洞对复合的机率。因此,以氮化物磊晶薄膜为主的 LED结构成长R-plane 或M-Plane蓝宝石基板上,相比于传统的C面蓝宝石 磊晶,将可有效解决LED内部量子效率效率低落之问题,并增加元件的发光 强度。最新消息据称非极性LED能使白光的发光效率提高两倍. 由于无极性具有比传统c轴更具有潜力来制作高效率元件,而许多 国际大厂与研究单位都加大了对此类磊晶技术的研究与生产.因此对于Rplane 或M-Plane 蓝宝石基板的需
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