[精品]模电复习

1、没有空位，这是2） 面 接触型二极管PN 结面积大，用于工频大电流整流电路。3） 平 面型二极管往往用于集成电路制造艺中PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中第二章1、本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体的导电能力很弱。在绝对0度（T=OK ）和没有外界激发时，价电了完全被共价键束缚着，本征半导体中可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0,相当于绝缘体。常温下， 由于热激发， 使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子， 同时共价键上留下一个称为空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外

2、部因素， 半导体的一大特点。本征半导体中电流由两部分组成：（本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。） . 自由电子移动产生的电流。. 空穴移动产生的电流。2、N 型半导体一掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P 型半导体一掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在 N 型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。3、 当外加电压使 PN结中P区电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之为加反向电压，简称反偏。PN 结加正向电压时低电阻大的正向扩散电流PN 结加反向电

3、压时 高电阻 很小的反向漂移电流由此可以得出结论： PN 结具有单向导电性。4、在一定的温度条件下，由本征激发决定的少了浓度是一定的，故少了形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向 压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。5、（ 1）点接触型二极管PN 结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。第三章1、三极管结构特点：, 发射区的掺杂浓度最局；?集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ?基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。2、发射区：发射载流了 基区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子T（ yT3、当 Ic ?ICEO 时， = 工一般 a=0.90.99” = 如1

4、-Q姊4、放大过程的两个条件是：（ 1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（ 2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。5、 饱和区：ic明显受VCE控制的区域，一般 VCB0.7V （硅管）。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 放大区：ic平行于VCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结偏。截止区： ic 接近零的区域，相当 iB=0 的曲线的下方。此时， VBE 小于死区电压。6、直流电源：内阻为零 耦合电容：通交流、隔直流 直流电源和耦合电容对交流相当于短路。7、一般硅管 VBE=0.7V, 铐管 VBE=0.3Vo住流血戦线8 , b

5、e= rb + (1+ )”e其中对于低频小功率管M200QK(mV) 26(mV)r =-= -(T=300K)c 焰(mA) LQ(曲)*2009、 温度T T T输岀特性曲线上移(/ cbo = /CBQ"25? ? e"E ) ?DU 匕 J J温度TT t输入特性曲线左移(Vbe =A 0=25, 0) -(T-7 ； )X2.2X1O-3V )温度TT -?输岀特性曲线族间距增大(温度每升高1 °C, 0要增加0.5%1.0%)10、共射电路：较高电压和电流增益，输入与输岀阻抗中等，输岀电压与输入电压反相。共基电路：电流增益小于或等于 1,电压增益较大

6、，输入阻抗低，输出阻抗高，输出电压与输入电压同相 共集电路：电压增益小于或等于 1,电流增益较大，输入阻抗高，输出阻抗低，输出电压与输入电压同相11、总的放大增益等于各个单级增益的乘积。AA- T*第五早1、甲类：一个周期内均导通乙类：导通角等于 180°甲乙类：导通角大于180。丙类：导通角小于180。4二琮+乌=§（圣盆_凹地）Rl兀4Pn=Po+Pi= 2VCGVemTTRl时,h=*2,乙更双电源帀补刘称功率放人电路1/ (v-* CkS 2p-VIKmV 2_ omp =4i f .OO。V2&RL 2%LHIL1A2鸟2%p71 Vjr =2 =221K

7、m"cc 时，=彳刃8.5%Pv4 Vcc第八早l.瓦催h如共模抑制比反映抑制零漂能力的指标差分式放大电 路Vci 与 1反相*2与同相pci与皿同相VC2 与 Pi2反相VO与反相Uo与阪同相第七章1、并联：反馈量文 f和输入量文接于同一输入端串联：反馈量Xf和输入量R接于不同输入端电压：将负载短路，反馈量为零。 电流：将负载短路，反馈量仍然存在。A. 电压串联串联反馈：输入端电压求和B, 电流并联并联反馈：输入端电流求和2、信号源对反馈效果的影响： 串联反馈：vi最好为恒压源，即信号源内阻 并联反馈：ii最好为恒流源，即信号源内阻(KVL)(KCL)Rs越小越好Rs越大越好。电压

8、负反馈：稳定输出电压电流负反馈：稳定输出电流If/甲A1电踣i«jT jfI-V户=反馈系数X。V6、人=1开环增益（考虑反馈网络的负载效应）X'd=KXS)s人=Q闭环增益人FS=Q=KAf (XjFS X, XJK信号、在四种反馈阻态中的具体形式电压串联电压并联电流串联电流并联V. idV.AA4ytAA;AA7、&=| I +AF|称为反馈深度1+AF|1+人户| 1时，国|网，一般负反馈|1 + AF|? 1时，深度负反馈|1 + AF|1时，国14，正反馈(4) |1 +Af| = 0时，国T8，自激振荡8、负反馈对放大电路性能的改善：闭环增益只取决于反馈网

9、络。当反馈网络由稳定的线性元件组成时，闭环增益将有很高的稳定性。 闭环时增益减小，线性度变好。减少非线性失真。扩展频带：上限频率扩展1+AF倍；下限频率降低 1+AF倍。对输入电阻和输岀电阻的影响：串联负反馈一增大输入电阻并联负反馈减小输入电阻电压负反馈一减小输出电阻，稳定输出电压电流负反馈-增大输出电阻，稳定输出电流9、为改善性能引入负反馈的一般原则：要稳定直流量一引直流负反馈要稳定交流量一一引交流负反馈要稳定输出电压一引电压负反馈要稳定输出电流一引电流负反馈要增大输入电阻一引串联负反馈要减小输入电阻一引并联负反馈第八章1、理想运放的条件 、由于&= 8有：皿="_ “虚短

10、路”u+ -u_ 、由于有：id “ = o “虚断路” riRr0+RL 、由于 T0有：Mo= UOC = UOC "放大倍数与负载无关(电压反馈) .频带宽度F=8 ; .共模抑制比 CMRR=8 ; .失调、漂移和内部噪声为零2、 当U+>U-时，Uo为正饱和值当U+vU-时，Uo为负饱和值3、反相比例运算电路V。= V输岀与输入反相Rlrof=Oo反相放大器的输入电阻if = Ri，输岀电阻4、同相比例运算电路rRuR2VI O殊防J> wV。输岀与输入同相=(1 +同相放大器的输入电阻Ef = 8,输岀电阻rof=05、电压跟随器6、积分电路7、微分运算u _

11、 RC _ o At若输入：=sinM贝U :uo = -RC cos cot - RC sin（ 6iX-90°）第九章1、自激振荡条件:(1)振幅条件：IA "1=1 (2 相位条件：(pA+(pF =17171相位条件意味着振荡电路必须是正反馈；振幅条件可以通过调整放大电路的放大倍数达到-VEE2、?=）= 或 f = f 0=-0 RC0 271RC3、单门限电压比较器v 0=一式中，负号表示 Vo与Vs在相位上是相反的当Vs为阶跃电压时，有vo=一里 fTVi >V REF 时，Vomax = +VCCVI < V REF 时,Vomax = "VEE1. 电路简单。2. 当Ao不够大时，输岀边沿不陡。3. 容易引入干扰。4、反相端输入迟滞比较器祀 範A叫1 二 61:MbnUR? uRt +R2 RUl = u R1+R2 '+ 全一uOM Rx+ R2 R5、同相端输入迟滞比较器穴 "&am