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1、31一种可控硅过零触发电路的设计陈家新彭宁嵩(洛阳工学院计算机系河南471039可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用,其过零触发控制方式由于对电网无污染,在许多调功设备中都采用这种触发方式。市场上提供了几种过零触发的集成电路,由于没有必要的保护,一旦电路出现故障,将危及与之相连接的其它设备,并没有受到用户的青睐,很多用户自己研制可控硅控制电路。图3所给出的可控硅触发电路,采用了二级保护措施,经在多台调功设备上使用,证明工作稳定,有很高的可靠性。图1中DOPT1DOPT3为交流光耦,图1中A 1、B 1、C 1各点的输出波形如图2所示。交流电压过零时,光敏三极管截止,产生输出负脉冲,输出

2、点A 1的波形如图2中U A 1所示:U A1经过施密特触发器整形、反向后波形图2中U B1所示:我们看到U A 1和U B1的脉冲均跨越过零点左右,如果直接作为发出脉冲,会导致可控硅结温过快升高,影响器件寿命,为此,用一个电阻和一个电容构成一个单稳态移相电路,处理后的C 1点的同步输出脉冲如图2中U C1所示。图3中,RW M 是占空比为0-100%的时间比例脉冲,经与同步脉冲相遇后,产生决定可控硅通断的触发脉冲,作为光控可控硅MC3061的输出驱动大功率可控硅,控制可控硅的通断,以调节负载功率。经过脉宽调制后负载的波形如图2中UOUT 所示。为了对可控硅进行保护,光控可控硅支路串联一个50 的电阻,和二阳极和门控段间并联一个100 的电阻。陈家新等:一种可控硅过零触发电路的设计图1 过零同步脉冲检测电路设计 应用32现代电子技术07/2000第7期(总第114期现代电子技术Mo rde rn Ele ct r

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