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文档简介
1、模拟电路基础测试题模拟电路基础测试题一:填空题(每题 1 分,共 15 分)特性。1. PN 结的基本特性是下降为 1 时的频率。2. 双极型晶体管(BJT)的特征频率是指使分贝。3.某放大器的电压增益 AV=-70.7 倍。该增益换算成分贝应为。4. 当 N 沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时,VGS和 VDS满足关系式作负载。5. 在集成放大器内部电路中,为了提高电压增益,常采用放大器的一个特有的现象。6. 零点漂移是将决定放大器的截止频7. 当放大器小信号模型中只有一个独立电容时,该电容的率。负反馈。8. 如果要使放大器的输入电阻增加,可以采用条件在其应用电路中能够满足。9.
2、理想运放分析法的实质是。10.放大器增益的对数频率特性曲线又称为工作。11. 变容二极管利用反偏二极管的失12. 当放大器输出信号的频率分量与输入信号不完全相同时,放大器出现了真。失真使得输出波形畸变更严重。13. 乙类功放在小信号工作时,因负反馈。14. 要使负载变化是放大器的输出电压的变化减小,可对放大器采用15. 当集成放大器内部需要微电流时,采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。原因之一是:三:单项选择题(每题 1 分,共 10 分)1. 图 1 所示硅二极管电路中的vi(t)是振幅等于 2v 的低频正弦电压。该电路中,电阻 RL上的电压vo(t)的波形应该为()。B.A.D.C.
3、2. 测得某放大器中一支 BJT 的三个电极的直流电压为:-0.1v,+7.3v 和-0.82v。由此可以判断,该管是()。D. PNP 锗管C. PNP 硅管B. NPN 锗管A. NPN 硅管3. 在下面关于放大器的四钟说法中,只有()是肯定正确的。B. 放大器有电压放大功能A. 放大器有功率放大功能D. 放大器的增益带宽积为常数C. 放大器有电流放大功能4. FET 共漏(CD)放大器与 BJT 放大器中的()组态性能相似。D.CE-CBC. CBB.CEA. CC5. 图 2 是 OTL 功放原理电路,该电路最大输出功率的理论值为()W。D. 2.25C. 4.5B.9A.186. 接
4、上题。在选择功率管 T1和 T2时,每管的集电极最大耗散功率 PCM必须大于()W。D. 0.45C. 0.9EMBED Forms.HTML:Option.1B. 1.87. 接 5 题。在静态时,OTL 功放中与负载串联的电容中的电压应该为()伏。D. 12C. 6a aB. 3A. 1.5a a8. 将图 3 电路中的电阻()换成电容,电路的功能改变为微分电路。D.R4C.R3B.R2A.R19. 如果用电压比表示用信号流图画出的反馈放大器(图 4)的环路传输 T,则 T=()。D.vf/vsC.vs/vfB.vf/ viA.vi/ vf10. 在下面 4 种基本放大器组态中,电路()的小信号范围最小 。B. CS 放大器A. CE 放大器D. CS 差动放大器C. CE 差动放大器11.晶体管特性曲线不能用来()。B. 估算晶体管的一些参数A.判断管子的质量D.图解分析放大器的指标C.分析放大器的频率特性12.通用集成运算放大器内部电路不具有()的特性。B. 输入电阻大A.开环增益高D.输出电阻小C.深度负反馈13.在图 3 所示运放应用电路中,称为“虚地”的点是()点。D.DC.CB.BA.A14.在以下关于深负反馈的论述中,()是错误的。A. 深负反馈,放大器增益与晶体管参数几乎无关B. 深负反馈,放大器不易自激C. 深负反馈,放大器中频段增益稳定性很高D. 深负
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