模拟电子技术学习笔记

1、本证半导体：纯净晶体结构的导体。常用的有硅和锗。在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为 空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。N N 型半导体：在本征半导体中加入+5+5 价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子， N N 型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供， 其浓度取决于温度。整个半导体内先电中性。本征半导体 + +微量正 3 3 价元素，晶格内形成共价键时

2、，少电子而多 空穴，即为多数载流子。电子则为少数载流子。杂质元素称为受主杂质，在外界能量的作用下形成空穴的移动， 留下带负电的杂质离子。主要靠空穴导电，当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载流子数为零， PNPN 结的电流为 0 0 ; PNPN 结交界区形成一个高阻区，称 为耗尽层。扩散电容P P 接电源高电压，N N 接电源低电压，正向电压外加电场与自建场方向相反，阻挡层变窄，促进多子扩散，PNPN 结导通。 势垒电容N N 接电源高电压， P P 接电源低电压外加电场与自建场方向相同，阻挡 层变宽，促进少子漂移，PNPN 结截止，电流方向与正向偏置时相反，称为 反向电

3、流。少子成小电流，反向电 流很小。PNPN 结的导电性电压超过门限值，PNPN击穿不一定PNPN 结的损坏反向电压超过0.0.几 V V 时少子基本在电场作用下，形成漂移电流，少子不因为电压变大而增多，反向电流基本不变，即饱和电流。雪奔击穿（碰撞击穿） 少子能量过 大，与原子碰撞， 从而形成电子一 空穴对。 如此连锁反应， 反向电 流快速增加。齐纳击穿（电场击穿）原子间的 价电子直接拉出， 形成电子 一 空穴对，反向电流急剧增加。工作在击穿条件下，反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。击穿特性门电路二极管的应用:限幅电路三极管的结构及类型集电结集电结集电区集电区b服极服极 h h发射区

4、发射区发射极发射极三极管的接法ecb(a)共基极发射极电流放大系数卩)三极管的放大作ecECIBI(hPMPPMPIE(c)共集电极(b)共发射极无论是 PNPPNP 还是 NPNNPN 型的三极管，都包含三个区：发射区1 1 ：发射结(c)(c)重掺杂。Iea,共CI cBICc+ lb(共基极电流放大系数1N N P P - -1 1N N 发射结发射结/ /0 0N NP PN N集电结发射结正向反向正向饱和状态放大状态反向反向放大截止状态(c)(c)、基区(b)(b)和集电极区(e)(e)。2 2：基区 (e)(e) 很薄。3 3：集电极面积大。三极管的特性曲线:1 1 :当 UceUce 不变时，输入回路中的电流 系曲线称为输入特性2 2:当 lblb 不变时，输出回路中的电流 曲线称为输出特性lblb 与电压 UbeUbe 之间的关lclc 与电压 UceUce 之间的关系共设极的电路:静态工作点不合适基极电流lblb、集电极电流lc=lc= BibBib, UceUce电容开路电感短路信号源短路直流分析：即静态分析，（先画出直流通路 ）1 1、 输入电压与输出电压反相。2 2、 顶部失真，输入回路就出现开始失真。（饱和）UceUce 减小到