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文档简介

1、习题 一、填空题1 .晶体管工作在放大区时,具有发射结 正偏、 集电结反偏的特点。2 .晶体管工作在饱和区时,具有发射结 正偏、 集电结正偏的特点。3 .饱和失真和截止失真属于非线性失真,频率失真属于线性失真。4 .共集电极放大器又叫射极输出器,它的特点是:输入电阻 高 (高、低);输出电阻 低 (高、低);电压放大倍数约为二。5 .多级放大器由输入级、中间级和输出级组成;其耦合方式有阻容耦合一和直 接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用的是直接耦合 耦合方式。6 .三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、共发射极 和一共集电极。其中输入电阻最大的是 共集电极电路,而输出电阻最小的是

2、共集电极 电路。7 .多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的学乙。输入电阻约等于第一级 的输入电阻电阻,而输出电阻约等于输出级的输出电阻电阻。8 多级放大器总的上限频率比其中任何一级的上限频率都要低_(高/低),而下限频率比任 何一级的下限频率都要高一(高/低)。9 .若使放大器不产生频率失真,则要求其直频口顷率响应和r醒,顷率响应均不产生 失真。10 .晶体管的内部结电容和负载电容主要影响放大器的置频特性,而耦合电容和旁路电 容主要影响放大器的一蟀特性。二、选择题1 .为了放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应该采用(A )耦合方式;为了实现阻抗变换, 放大电路应采用(C )耦合方式。A

3、.直接B.阻容C.变压器D.光电2 .阻容耦合和直接耦合多级器之间的主要不同是(A A.所放大的信号不同B.交流通路不同C.直接通路不同3.直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频特性(A A好B差C差不多4 .具有相同参数和相同放大倍数的两级放大器,在组成它的各个单极放大器的截止频率处, 总的电压放大倍数下降(A A.3dBB.6dBC.9dB D.20dB5 .多级放大电路与单极放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都(D XA.大B.小C.宽D.窄6 .当信号频率等于放大电路的人或左时,放大倍数的值约下降到中频时的(B 1A.0.5B.0.7 倍 C.0.97 .放大电路

4、在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B ),而低频信号作用时放大倍 数下降的原因是(A A.耦合电容和旁路电容存在B.半导体极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适8 .gs=0时,能够工作在恒流区的场效应管有(A )和(C )。A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管三.分析与计算题1 .试判别题图3-1所示各电路能否对正弦信号进行电压放大?为什么?各电容对电信号可 视作短路。°UccBUKb1104 C*re*Ce00(a) Q-O(C) r <+%刍%J=J(d )Ucc? RcfL-Cl网中iAReJre 01(e)

5、题图3-1(f)解:图(a ):因为输出信号被短路了,所以不能进行电压放大。图(b ):因为输入信号被Cb短路了,所以不能进行电压放大。图中管子截止,电路不能正常放大。应将&改接在b极与地之间。图(d ):晶体管基极偏置为零,不能进行放大。图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路,因而电路不能正常放大,应在b极至I区r之间 接偏置电阻Rb。图(f)中电路可以正常放大。2.电路题图3-2所示,晶体管的夕=60,(1)求电路的Q点、A”、R和R)。(2)设” = iow ,问"=?、Uo = ?若a开路则u, = ?、t/o = ?题3-2图解:Q点:1BQr 314A= A。= 1

6、867AUCEQVCC-IEQ(R+R) 4.56V人、Rj和一的分析:曹力?。, A(=_m)_95I EQ%K = &%=952Q ,R0 = R, =3a设a = 10/ni/ (有效值),贝uUt = U=3.2mV ;R、+ RiS=|AJa=304mV若Q开路,贝!J:R 1; RR,=凡限+(1+m.- 51.3m , 4。-= _L5 KeRU. = 一!U,=9.61V ,u = A|.u =14.4*。R、+ & sn 13.已知题图3-3 ( a )所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b 1 ( c )所(1)利用图解法求解Q点;(2 )利用等

7、效电路法求解Au、R和Ro。题图3-3 (a)题图3-3( b)题3-3图(c )解:在转移特性中作直线%s =-。凡,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ = 1mA, U= -2V。如下图所示。(a)(b)在输出特性中作直流负载线,伉=VDD-iDRd +6),与Ugsq = -2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,3V。如解图(b)所示。(2)首先画出交追效电路(图略),然后进行动态分析。gm= TT- Lns = p/dss【dq = V / V3'gS I UGS(off)A=-g”,&= 5 ; R. = R, = IM。; R.=勺=5k14.如题图3-

8、4所示的电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知:Vcc = 12V, Rbz = 3kQ , Re = IkQ , Rc = 2O,三极管为硅管, =50 ,欲使 Uc* = 6V t问基极上的偏置电阻&i应为多大?此时Ibq和Icq各为多少?解:根据直流通路可知:题图3YCQUdcE = 12-6 = 2以Rc + Rb: 2 + 1=/c0/ = 2/50 = 40/24U. = ICORE=21 = 2V(7=(7+(/ =2 + 0.7 = 2.7V KCotZUb =心 UccRbiU”bU 及=12*3 - 2.7*3=okqUb2.75 .电路如题图3-5所示。设F

9、ET参数为:勿ss = 3 mA , %义协=3 V。当RD=3.9。时,判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区?o题图3-5解:我们采用假设法来判断,首先假设管子工作在恒流区,根据结型场效应管恒流区iD 和UGS的关系式可以求出电流iD :(u. X (of=1 dss 1 - = 3 1 -= 37A< U GSoj) 7 L 3).根据输出回路方程可以求出UDSoUns =15-3x3.9 = 3.3V因此可得Ugd- Ugs_Uds3.3V。在假设条件下得出的结论是uGD<uGsOff,说明靠近漏极处的沟道被夹断,管子进入恒 流区。分析结果与假设相符,可以得出结论:管子工作

10、在恒流区。6,放大电路如图所示,已知晶体管的4=50,Ube" = 07 Y ,各电容对信号可视为短路。计算。ra obb=2t7cc=xl2 = 3.8 ( V)BB Rbi + Rrz 8.2 +3.87 Ubb-Ube" 3.8-0.7cq « /碰=员=-W1(八)%= Ucc-%Rc-IeqRe - 12-1(3 + 3)= 6 (V)7,放大电路如题图3-7 ( a )所示,已知0 = 5。/ UBe=0.7V / UCbe=O /Rc=2KdRi = 20 KdU” =12V.若已知该电路的交、直流负载线如图(b )所示,试求:Ucc=? Rc =

11、? Uceq二? Icq二? Rl二? Rb=?输出动态范围UOpp=?题图3-7解:(1)要求动态范围最大,应满足1 CqRl = UCEQ UCES = Ucc CQC CES 即/“(220) = 12 2/g 一 0.7U cc -U beKb =;BQ=c。. 712-0.70.06=0.06mA 3= 188KQ(2)由直流负载线可知:12,2Ucc = 12V,= 5VJCO = 2mA. R, = Rc/Rf =4/Rf =- = 1,C CL 3L上 Yv VL L L乙 2即兄=L3KQ.而。=- = = 0.04酒则Q p 50n -I2 cc U BE=;BQ12

12、76;-7 = 283KQ 0.04U四= 2U-4) = 4V8.电路如题图3-8所示,晶体管的0=80 , rbb =100kQo分别计算Rl=8和氐=31。时的Q点、Au、R 和 Ro。解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、心均相等,它们分别为:题图3-8Vbeq U.QBQ 凡2 22/Mcq = NbqxL76mA士1.3mZ1 ”、26w rbe = rhh(i + P) / £0空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:UCEQ =Vcc - ICqR, X 62V ;R = RbWL3kd ;Ro = Rc = 5ko4=3&Q时,静态管

13、压降、电压放大倍数分别为:Rm.3V4=,("715Ao-4-34.7% + && = 4/屐f产13m=5M9.电路如题图3-9所示,晶体管的0=80 , rbe=lkQo (1)求出Q点;(2 )分别求出Rl=oo和Rl=3I。时电路的Au、R和Roo题图3-9解:求解Q点:IBQJUbeq“+("/?)凡r 32.3AIEQ = (i+fi)IBQ 2.61mA uceq=Vcc IeqR了 7.17V(2)求解放大倍数和输入、输出电阻:a=&鼠+(1 + 0凡卜110女。、0.992(1+ /?)(4)七+ (1+2)(凡4)R = &

14、; 晨 + (1+2)(凡 / 76kd输出电阻:. +艮与37Q 01 + /710.电路如题图3-10所示,晶体管的0=60 , rbbz=100Q(1)求解 Q 点、Au、Ri 和 R。;(2 )设 Us=10mV(有效值),问 Ui=?Uo=?W C3 开路,则 Ui=?Uo=?题图3-10解答:与第二题完全相同。该题属于重复。11.电路如题图3-11所示,BJT的夕=100 ,=0 ,= 26 mA ,基极静态电流由电 流源Ib提供,设 =20 A , Rs=0.15。仆=勺=2 k C。试计算A“ =、R,和此。电容C对信号可视为短路。题图3-11解:Icq = Bl bq =阿

15、x 20 = 2 ( mA )k=夕生=100型= 1.3 ( kC ),C22其小信号等效电路如图所示。K =+ (1 + PRe R)= L3 + (1 + 100*22)a 1023 ( kQ )Au。=Uu Q“XReR). Ri"u, Ui 5Rj&+凡二 中 西)心101(2 2)& + 仁 + (1 + 飒 &) -。 15 + 1S23=0.986用辅助电源法可求得输出电阻为氏 + 90.15+L3Ro = 口1 H = 2« 14.4( Q)°£1 + P10112.组合放大电路如题图3-12所示。已知两个晶体管

16、的参数相同:r. = 0 , z = lkQ ,)3 = 50 , %, = 8 ; Rc = RL = 5 k C , & = 1 k Q , & = 150 k Q。(1)画出该电路的交流通路。(2 )求该电路的输入电阻&、A” ="电压增益和输出电阻R()。解:(1)该电路的交流通路如图(b)所示。(2)用=以卜,+(1 + 0%=22-51。,A,、125 , (“5k。13 .已知某放大器的幅频特性如题图3-13所示。(1)试说明该放大器的中频增益、上限频率所和下限频率力、通频带BW。1 n(2)当出 =1055(4乃4064/)+20 5加(201

17、0,“)和% = 10加(2万-5“,亚)+20加(2»104“川)时,输出信号有无失真?是何种性质的失真?分别说明之。解:(1)由题图可得:中频增益为40dB ,即100倍,力二106出,和10Hz (在加和处,增益比中频增益下降30dB ), 8W = IO*5 _10、lO'/Zz。(2)当均=10的?(4乃106“%)+20的?(2不乂1()4"”)时,其中U104Hz的频率在中频段,而/ = 2 x IO,出的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。当q =10s?(2万5“/亚)+20 5/力(2乃乂104“”)时,七5Hz的频率在低频段,61

18、04Hz的频率在中频段,所以输出要产生失真,即低频失真。14 .某一放大器的中频增益为Aui=40dB ,上限频率为布二2MHz ,下限频率/=100Hz ,输 出不失真的动态范围为Uopp=10Vo输入下列信号时会产生什么失真?(IX Ui(t)=0.1sin(2nxl04t)(V)(21 ui(t)=10sin(2nx3xl0&t)(mV)(3 Ui(t)=10sin(2nx400t)+ 10sin(2nxl06t) (mV)(4 Ui(t)=10sin(2nxl0t)+ 10sin(2nx5xl04t) (mV)(5 1 Ui(t)=10sin(2nxl03t)+ 10sin(2nxl07t) (mV)解:(1)输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅 度较大(为0.1V ),经100倍的放大后峰峰值为0.1x2xl00 = 20V ,已大大超过输出不失 真动态范围(Uopp=10V ),故输出信号将产生严重的非线性失真(波形出现限幅状态1(2)输入信号为单一频率正弦波,虽然处于高频区,但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小,为10m V,经放大后峰峰

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