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文档简介

水平结晶法（HDC） § 其生长原理如上图所示，将原料放入船形坩埚之中，船形坩埚之 船头部位主要是放置晶种，接着使坩埚经过一加热器，邻近加热 器之部份原料最先熔化形成熔汤，形成熔汤之原料便与船头之晶 种接触，即开始生长晶体，当坩埚完全经过加热器后，便可得一 单晶体。为了晶体品质及晶体生张结束后，方便取出晶体，坩埚 应采用不沾其熔汤之材料所製，如石英、氧化镁、氧化铝、氧化 铍以及石墨等。加热器可以使用电阻炉，也可使用高频炉。用此 方法生长单晶，设备简单，又可得到纯度很高和杂质分布十分均 匀的晶体。但此方法所生长的晶体与坩埚接触，难免有坩埚成分 之元素析出到晶体，且不易制得完整性高的大直径单晶 欢 迎 提 问 Q&A 内部文件V1.0

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