STM32片内FLASH特定地址写入数据不被擦除方法

1、STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 其中：RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。 ROM又包含：EEPROM和flash。作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。1、STM32 FLASH操作流程Flash操作已经属于嵌入式设备中很

2、底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：1、确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）2、解锁Flash3、对Flash进行操作（写入数据）4、对Flash重新上锁1.1 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址值的方法要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）我此次操作Flash使用的MCU是

3、STM32103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：在数据手册中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下图所示），而STM32103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 00000x0800 FFFF（计算方法参考另一篇博客：STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法）。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，

4、其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的2、Flash基本知识点2.1 Flash容量Flash根据容量大小可以分为以下三种：1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）2.2 ST库对Flash操作的支持ST库中对Flash操作主要

5、提供了以下几类操作API函数：1、Flash解锁、锁定函数 void FLASH_Unlock(void);/解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁void FLASH_Lock(void);/锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁2、Flash写操作函数 FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);/32位字写入函数FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);/16位半字写入函数FLASH_Status F

6、LASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);/用户选择字节写入函数 注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。3、Flash擦除函数 FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Stat

7、us FLASH_EraseOptionBytes(void);4、获取Flash状态 FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); 获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：                    

8、;                             typedef enum                   

9、0;                                                  

10、60;                              FLASH_BUSY = 1,        /忙           &

11、#160;                                       FLASH_ERROR_PG,      /编程错误   &#

12、160;                                               FLASH_ERROR_WRP,

13、60;  /写保护错误                                                &

14、#160;  FLASH_COMPLETE,      /操作完成                                        &#

15、160;          FLASH_TIMEOUT         /操作超时                              

16、;                     FLASH_Status;5、等待操作完成函数 FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout); 注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完

17、成这次操作才能开始。根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读写操作代码如下：3.1 先定义一个Flash操作的起始地址宏定义和Flash状态指示标志位#define STARTADDR 0x0800F000 /STM32F103C8T6适用volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; /Flash操作状态变量3.2 编写各个读写函数/ Name: WriteFlashOneWord/ Function: 向内部Flash写入32位数据/ Input: WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）/ WriteDat

18、a： 写入的数据/void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData) FLASH_UnlockBank1(); FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1; /清空状态指示标志位 FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR); if(FLASHStatus = FLASH_COMPLETE) FLASHStatus = 1; /清空状态指示标志位

19、 FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); /flash.c 中API函数 FLASHStatus = 1; /清空状态指示标志位 FLASH_LockBank1(); / Name: WriteFlashData/ Function: 向内部Flash写入数据/ Input: WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）/ data： 写入的数据首地址/ num： 写入数据的个数/void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t da

20、ta, uint32_t num) uint32_t i = 0; uint16_t temp = 0; FLASH_UnlockBank1(); /解锁flash FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1; /清空状态指示标志位 FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);/擦除整页 if(FLASHStatus = FLASH_COMPLETE)/flash操作完成 FLASHStatus = 1; /清空状态指示标

21、志位 for(i=0; i<num; i+) temp = (uint16_t)datai; FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);/写入数据 FLASHStatus = 1; /清空状态指示标志位 FLASH_LockBank1(); /锁定flash / Name: ReadFlashNBtye/ Function: 从内部Flash读取N字节数据/ Input: ReadAddress：数据地址（偏移地址）/ ReadBuf：读取到的数据存放位置指针/ ReadNum：读取字节个数/ Output: 读取的字节数/int