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文档简介
1、泓域咨询/哈尔滨碳化硅项目投资计划书哈尔滨碳化硅项目投资计划书xxx投资管理公司目录第一章 背景及必要性10一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越10二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期11三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临13四、 保障循环畅通15五、 以系列政策鼓励支持创新15六、 项目实施的必要性16第二章 行业发展分析18一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%18二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期19三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心20第三章 项目建设单位说明23一、 公司基本信息23二、 公司
2、简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第四章 总论31一、 项目名称及项目单位31二、 项目建设地点31三、 可行性研究范围31四、 编制依据和技术原则31五、 建设背景、规模33六、 项目建设进度34七、 环境影响34八、 建设投资估算34九、 项目主要技术经济指标35主要经济指标一览表35十、 主要结论及建议37第五章 建筑工程方案分析38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第六章 产品方案41一
3、、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表41第七章 选址方案分析43一、 项目选址原则43二、 建设区基本情况43三、 持续壮大民营经济44四、 以创新做强和催生更多市场主体45五、 项目选址综合评价45第八章 SWOT分析说明46一、 优势分析(S)46二、 劣势分析(W)48三、 机会分析(O)48四、 威胁分析(T)49第九章 法人治理53一、 股东权利及义务53二、 董事55三、 高级管理人员59四、 监事61第十章 项目节能说明64一、 项目节能概述64二、 能源消费种类和数量分析65能耗分析一览表65三、 项目节能措施66四、 节能综合评价6
4、8第十一章 环保方案分析69一、 编制依据69二、 环境影响合理性分析69三、 建设期大气环境影响分析70四、 建设期水环境影响分析72五、 建设期固体废弃物环境影响分析72六、 建设期声环境影响分析73七、 环境管理分析73八、 结论及建议75第十二章 进度实施计划77一、 项目进度安排77项目实施进度计划一览表77二、 项目实施保障措施78第十三章 劳动安全生产79一、 编制依据79二、 防范措施82三、 预期效果评价86第十四章 工艺技术说明87一、 企业技术研发分析87二、 项目技术工艺分析89三、 质量管理90四、 设备选型方案91主要设备购置一览表92第十五章 投资估算及资金筹措9
5、3一、 投资估算的编制说明93二、 建设投资估算93建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表96四、 流动资金97流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表100第十六章 经济收益分析102一、 基本假设及基础参数选取102二、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表104利润及利润分配表106三、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表108四、 财务生存能力分析109五、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111六、 经济评价结论111第十七章 项目风险防
6、范分析113一、 项目风险分析113二、 项目风险对策115第十八章 项目招标及投标分析118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十九章 项目总结122第二十章 附表124建设投资估算表124建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表130固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算表132利润及利润分配表132项目投资现金流量表133报告说明SiC碳化硅是制作高温
7、、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。根据谨慎财务估算,项目总投资17445.10万元,其中:建
8、设投资13345.86万元,占项目总投资的76.50%;建设期利息148.88万元,占项目总投资的0.85%;流动资金3950.36万元,占项目总投资的22.64%。项目正常运营每年营业收入37500.00万元,综合总成本费用31023.26万元,净利润4727.56万元,财务内部收益率18.94%,财务净现值6368.38万元,全部投资回收期5.90年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本报告为模板参考范文,不作为
9、投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景及必要性一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁
10、带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受
11、更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电
12、桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMO
13、SFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一
14、步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计202
15、5年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标
16、准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解
17、决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰
18、田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。四、 保障循环畅通依托哈尔滨地处东北亚中心的区位优势和省会城市集聚
19、辐射功能,坚持南联北开、错位发展,突出供给特色和质量,提高人员流动、货物畅通和资金融通水平。组建物流企业联盟,完善多式联运和智慧物流服务平台,建设国内物流枢纽区域中心。加快建设机场第二跑道,谋划开通哈尔滨至北美、莫斯科等国际航线,推动哈俄、哈欧国际班列加密运营和24小时货运无障碍通关,建设国际交通枢纽城市。完善金融服务体系,落实国家关于稳企稳岗等金融政策扩大对中小企业信贷支持,提高企业在资本市场直接融资能力,建设对俄跨境人民币结算中心,增强金融服务实体经济能力。用足用好扩大投资消费外贸等政策措施,为畅通双循环提供有力支撑。五、 以系列政策鼓励支持创新深入实施“雏鹰计划”“展翅计划”“瞪羚计划”
20、和“紫丁香计划”,促进企业从无到有、从小到大、从弱到强。加大“两化”融合支持力度,分行业、分阶段持续促进企业信息化改造。围绕重点产业和重大民生需求推出科研项目,鼓励所有市场主体揭榜挂帅、公平获得市场机会。用足用好鼓励来哈就业创业落户政策,实施大工匠、技能大师、技术能手等高技能人才奖补政策,大力推进人力资源服务产业发展,吸引更多高层次人才留哈来哈创业发展。六、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资
21、源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业发展分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46
22、%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产
23、射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(
24、Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国
25、内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主
26、),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspe
27、ed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300°C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-
28、60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。第三章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称:xxx投资管理公司2、法定代表人:吴xx3、注册资本:570万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxx
29、xx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2015-5-27、营业期限:2015-5-2至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事碳化硅材料相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为
30、核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。三、 公司竞争优势(一)工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新,通过引入
31、国际先进的设备,不断加大自主技术研发和工艺改进力度,形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点,制定相应的工艺技术参数,以满足客户需求,已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发,公司已经建立了丰富完整的产品生产线,配备了行业先进的设备,形成了门类齐全、品种丰富的工艺,可为客户提供一体化综合服务。(二)节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念,依托科技创新,注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放,实现污染的源头和过程控制,通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产,提高三废末端治理水平,保障环境绩效。经过持续加大环保投入,公司已在节能减
32、排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。(三)智能生产优势近年来,公司着重打造 “智慧工厂”,通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统,将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合,搭建完整的现代化生产平台,智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化,在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期,提高了公司的竞争力,增强了对客户的服务能力。(四)区位优势公司地处产业集聚区,在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验,能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。(五)经营管理优势公司
33、拥有一支敬业务实的经营管理团队,主要高级管理人员长期专注于印染行业,对行业具有深刻的洞察和理解,对行业的发展动态有着较为准确的把握,对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式,建立了一支团结进取的核心管理团队,形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解,能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整,为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7266.735813.385450.05负债总额3364.172
34、691.342523.13股东权益合计3902.563122.052926.92公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入29622.5523698.0422216.91营业利润4787.923830.343590.94利润总额4488.393590.713366.29净利润3366.292625.712423.73归属于母公司所有者的净利润3366.292625.712423.73五、 核心人员介绍1、吴xx,中国国籍,1976年出生,本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理;2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司
35、执行董事、总经理;2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。2、唐xx,中国国籍,无永久境外居留权,1961年出生,本科学历,高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。3、李xx,1974年出生,研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司;2006年8月至2011年3月,任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长;2019年8月至今任公司监事会主席。4、谢xx,1957年出生,大专学历。1994年5月至2002年6月就职于
36、xxx有限公司;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、郑xx,中国国籍,无永久境外居留权,1958年出生,本科学历,高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长;2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理;2019年3月至今任公司董事。6、胡xx,中国国籍,无永久境外居留权,1959年出生,大专学历,高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问;2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任
37、公司董事、副总经理、总工程师。7、谭xx,中国国籍,1977年出生,本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任,2017年8月至今任公司监事。8、郑xx,中国国籍,无永久境外居留权,1971年出生,本科学历,中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。六、 经营宗旨自主创新,诚实守信,让世界分享中国创造的魅力。七、 公司发展规划(一)战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案,为成为百亿级产业领军企业而努力奋
38、斗。(二)措施及实施效果公司立足于本行业,以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求,为国内外生产商率先提供多种产品,为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献,同时通过与产业链优质客户紧密合作,为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合,建立创新引领、合作共赢的模式,再造行业新格局。(三)未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念,充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力,为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年,公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售,在消费升级带来
39、的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年,以蓬勃发展的中国市场为核心,利用中国“一带一路”发展机遇,利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法,掌握国际领先的技术,使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称:哈尔滨碳化硅项目项目单位:xxx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约37.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概
40、况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落实科学发展观
41、、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全
42、生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模(一)项目背景半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90
43、年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积24667.00(折合约37.00亩),预计场区规划总建筑面积44472.11。其中:生产工程28795.26,仓储工程10026.26,行政办公及生活服务设施4261.34,公共工程1389.25。项目建成后,形成年产xx吨碳
44、化硅材料的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理;项目建设具有较明显的社会、经济综合效益;项目实施后能满足区域环境质量与环境功能的要求,但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响,只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度,切实落实各项环境保护措施,加强环境管理,认真对待和解决环境保护问题,对污染物做到达标排放。从环保角度上讲,项目的建设是可行的。八、 建设投资估
45、算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资17445.10万元,其中:建设投资13345.86万元,占项目总投资的76.50%;建设期利息148.88万元,占项目总投资的0.85%;流动资金3950.36万元,占项目总投资的22.64%。(二)建设投资构成本期项目建设投资13345.86万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用11481.45万元,工程建设其他费用1501.05万元,预备费363.36万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入37500.00万元,综
46、合总成本费用31023.26万元,纳税总额3193.64万元,净利润4727.56万元,财务内部收益率18.94%,财务净现值6368.38万元,全部投资回收期5.90年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积24667.00约37.00亩1.1总建筑面积44472.111.2基底面积15786.881.3投资强度万元/亩348.062总投资万元17445.102.1建设投资万元13345.862.1.1工程费用万元11481.452.1.2其他费用万元1501.052.1.3预备费万元363.362.2建设期利息万元148.882.3流动资金万元3950.
47、363资金筹措万元17445.103.1自筹资金万元11368.333.2银行贷款万元6076.774营业收入万元37500.00正常运营年份5总成本费用万元31023.26""6利润总额万元6303.41""7净利润万元4727.56""8所得税万元1575.85""9增值税万元1444.46""10税金及附加万元173.33""11纳税总额万元3193.64""12工业增加值万元10788.83""13盈亏平衡点万元16012.42
48、产值14回收期年5.9015内部收益率18.94%所得税后16财务净现值万元6368.38所得税后十、 主要结论及建议本项目生产线设备技术先进,即提高了产品质量,又增加了产品附加值,具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势,主要原材料从本地市场采购,保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述,项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义,本期项目的建设,是十分必要和可行的。第五章 建筑工程方案分析一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则,根据工艺需要,结合当地地质条件及地需条件综合考虑。2、为满足工艺生产的需要,方便操作、检修
49、和管理,尽量采取厂房一体化,充分考虑竖向组合,立求缩短管线,降低能耗,节约用地,减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间,主厂房设计成轻钢结构,各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构,实现轻型化,并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计,采用轻钢结构、框架结构建设,并按建筑抗震设计规范(GB500112010)的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境,强调丰富的空间关系,力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面,符合建筑节能和防渗漏的要求;车间厂房设有天窗进行采光和自然通风,应选用气密
50、性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下,做到结构整体性能好,有利于抗震防腐,并节省投资,施工方便。在设计上充分考虑了通风设计,避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范,耐火等级为二级;屋面防水等级为三级,按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求,对本装置土建结构设计初步定为:生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求,确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度,设计基本地震加速度值为 0.05g,建筑抗震设防类别为丙类,抗震等级为
51、三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年,安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积44472.11,其中:生产工程28795.26,仓储工程10026.26,行政办公及生活服务设施4261.34,公共工程1389.25。建筑工程投资一览表单位:、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程8998.5228795.263914.541.11#生产车间2699.568638.581174.361.22#生产车间2249.637198.81978.631.33#生产车间2159.646910.86939.491.44#生产车间1889.696047.00822.052仓储
52、工程4578.2010026.261165.382.11#仓库1373.463007.88349.612.22#仓库1144.552506.57291.352.33#仓库1098.772406.30279.692.44#仓库961.422105.51244.733办公生活配套871.444261.34598.433.1行政办公楼566.442769.87388.983.2宿舍及食堂305.001491.47209.454公共工程1262.951389.25147.54辅助用房等5绿化工程3830.7968.83绿化率15.53%6其他工程5049.3324.387合计24667.0044472
53、.115919.10第六章 产品方案一、 建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模该项目总占地面积24667.00(折合约37.00亩),预计场区规划总建筑面积44472.11。(二)产能规模根据国内外市场需求和xxx投资管理公司建设能力分析,建设规模确定达产年产xx吨碳化硅材料,预计年营业收入37500.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场
54、需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品(服务)名称单位单价(元)年设计产量产值1碳化硅材料吨xxx2碳化硅材料吨xxx3碳化硅材料吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xx37500.00成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。第七章 选址方案分析一、 项目选
55、址原则节约土地资源,充分利用空闲地、非耕地或荒地,尽可能不占良田或少占耕地;应充分利用天然地形,选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况哈尔滨,简称“哈”,别称冰城,黑龙江省辖地级市,是中华人民共和国黑龙江省省会、副省级市、哈尔滨都市圈核心城市、特大城市,批复确定的我国东北地区重要的中心城市,国家重要的制造业基地。全市共辖9个市辖区、2个县级市、7个县,总面积53100平方千米,建成区面积493.77平方千米。根据第七次人口普查数据,截至2020年11月1日零时,哈尔滨市常住人口为1000.9854万人。哈尔滨地处中国东北地区、东北亚中心地带,是中国东北北部政治、经济、文化中心,被誉为欧亚大陆桥的明珠,是第一条欧亚大陆桥和空中走廊的重要枢纽,哈大齐工业走廊的起点,国家战略定位的沿边开发开放中心城市、东北亚区域中心城市及“对俄合作中心城市”。哈尔滨是国家历史文化名城,是“一国两朝”发祥地,即金、清两代王朝发祥地,金朝第一座都城就坐落在哈尔滨阿城,清
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