电子技术基础与技能第一章

1、 第一章第一章半导体器件的识别与检测半导体器件的识别与检测1.1 1.1 半导体的基本特性半导体的基本特性1.2 1.2 二极管二极管1.3 1.3 特殊二极管特殊二极管1.4 1.4 三极管三极管本章内容本章内容本章意义：本章意义： 半导体器件是组成电子线路的基本元器件，是学习半导体器件是组成电子线路的基本元器件，是学习 电子线路知识的基础，是现代电子技术的重要组成电子线路知识的基础，是现代电子技术的重要组成 部分部分教学目标：教学目标：1.1 1.1 半导体的基本特性半导体的基本特性1 1、从物质的导电能力来理解半导体的概念、从物质的导电能力来理解半导体的概念2 2、了解半导体材料的主要特

2、性、了解半导体材料的主要特性3 3、掌握、掌握N N型、型、P P型半导体的形成与特点型半导体的形成与特点 1.1.1 1.1.1 半导体的主要特性半导体的主要特性 导体、半导体、绝缘体导体、半导体、绝缘体 掺杂性、热敏性、光电性掺杂性、热敏性、光电性 自然界物质分类半导体特性补充：补充： 物质按导电性能可分为物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。导体、绝缘体和半导体。 物质的导电特性取决于物质的导电特性取决于原子结构。原子结构。导体导体一般为低价元素一般为低价元素, 如铜、铁、铝如铜、铁、铝等金属等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小其最外层电子受原子核的束缚力很小, 因而极易挣脱原

3、子核的束缚因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下成为自由电子。因此在外电场作用下, 这些电子产生定向运动这些电子产生定向运动(称为漂移运称为漂移运动动)形成电流形成电流, 呈现出呈现出较好的导电特性较好的导电特性。高价元素高价元素(如惰性气体如惰性气体)和高分子物质和高分子物质(如橡胶如橡胶, 塑料塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强最外层电子受原子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子缚成为自由电子, 所以其所以其导电性极差导电性极差, 可作为可作为绝缘材料绝缘材料。而。而半导体材料半导体材料一般一般都是都是4价元素，最外层电子既不像导体那

4、样极易摆脱原子核的束缚价元素，最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自成为自由电子由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此因此, 半导体的半导体的导电特性导电特性介于二者之间介于二者之间。 GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。外层电子（价电子）都是四个。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原

5、子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对，共用一对价电子。价电子。硅和锗的晶体结构：硅和锗的晶体结构：硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体成晶

6、体。+4+4+4+4半导体的导电原理半导体的导电原理在绝对在绝对零零度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时, ,价电子完价电子完全被共价键束缚着，半导体中没有可以运动的带电粒子全被共价键束缚着，半导体中没有可以运动的带电粒子（即（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为量而脱离共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共价键上留，同时共价键上留下一个空位，称为下一个空位，称为空穴空穴。半导体中电流由两部分组成：半导体中电流

7、由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子1.1.2 1.1.2 杂质半导体杂质半导体 杂质半导体：在硅、锗半导体中人为掺入微量某种元素形杂质半导体：在硅、锗半导体中人为掺入微量某种元素形成的半导体。分为成的半导体。分为空穴（空穴（P）型半导体和）型半导体和电子（电子（N N）型半导体。）型半导体。 1 1、P P型半导体：型半导体： 在纯净半导体在纯净半导体SiSi和和GeGe中掺入中掺入微量微量族元素族元素后形成的杂后形成的杂质半导体称为质半导体称为P P型半

8、导体。所掺入型半导体。所掺入族元素称为族元素称为受主杂质受主杂质，简称受主（能接受自由电子）。下图所示（图简称受主（能接受自由电子）。下图所示（图2-22-2） P P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 2 2、N N型半导体型半导体 在本征在本征SiSi和和GeGe中掺入微量中掺入微量V V族元族元素素后形成的杂质半导体称为后形成的杂质半导体称为N N型半导型半导体。体。所掺入所掺入V V族元素称为施主杂质，族元素称为施主杂质，简称简称施主（能供给自由电子）施主（能供给自由电子）。N型半导体中，电子为多子，空穴为少子。型半导体中，电子为多子，空穴

9、为少子。 半导体工作机理：半导体工作机理：杂质导电特性杂质导电特性。对半导体掺杂是提高对半导体掺杂是提高半导体导电能力的最有效的方法。半导体导电能力的最有效的方法。教学目标：教学目标：1.1.2 2 二极管二极管1 1、掌握二极管的导电特性、掌握二极管的导电特性2 2、了解二极管的结构、伏安特性和主要参数、了解二极管的结构、伏安特性和主要参数3 3、学会用万用表判别二极管的极性和质量优劣、学会用万用表判别二极管的极性和质量优劣封装：把硅片上的电路管脚用导线接引到外封装：把硅片上的电路管脚用导线接引到外 部接头处，以便与其它器件连接部接头处，以便与其它器件连接作用：不改变二极管特性，使生产出的元

10、件作用：不改变二极管特性，使生产出的元件 有统一的规格，方便安装，同时也对有统一的规格，方便安装，同时也对 内部元件起保护作用内部元件起保护作用形式：有玻璃封装、金属封装和塑料封装。形式：有玻璃封装、金属封装和塑料封装。 外壳上一般印有标记区分正、负极。外壳上一般印有标记区分正、负极。 在电子线路图中，用规定的电气图形在电子线路图中，用规定的电气图形符号和文字符号来代表二极管，一端代表符号和文字符号来代表二极管，一端代表正极，一端代表负极，通常用文字符号正极，一端代表负极，通常用文字符号V V表表示二极管。示二极管。1 1.2.1 .2.1 二极管的封装和电气图形符号二极管的封装和电气图形符号

11、半导体二极管的几种常见外形半导体二极管的几种常见外形PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：内建电场：内建电场：由由N N区指向区指向P P区的电场区的电场E E。阻止两区多子的扩散。阻止两区多子的扩散。电场电场E E产生的两区少子产生的两区少子越结的越结的漂移电流将部分抵消因浓度差漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。产生的使两区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场场E增强，漂移电流增大，当扩散电流增强，漂移电流增大，当扩散电流= =漂移电流时，达到漂移电流时，达到平衡状态，形成平衡状态，

12、形成PNPN结。无净电流流过结。无净电流流过PNPN结。结。1 1.2.2.2 2 二极管的结构与导电特性二极管的结构与导电特性 在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P型半导体和型半导体和N N型半型半导体，经过载流子的扩散和漂移，在它们的交界面处就形导体，经过载流子的扩散和漂移，在它们的交界面处就形成了成了PNPN结。结。P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+ 导电特性导电特性 无外接电压的无外接电压的PNPN结结开路开路PNPN结，平衡状态结，平衡状态PNPN结结 PN

13、PN结外加电压时结外加电压时外电路产生电流外电路产生电流1.1.正向偏置（简称正偏）正向偏置（简称正偏） PN PN结结 PN PN结外加直流电压结外加直流电压V V：P P区接高电位（正电位），区接高电位（正电位），N N区接低电位（负区接低电位（负 电位）电位）正偏正偏正向电流正向电流PN结加正向电压的情形结加正向电压的情形 外加的正向电压有一部分降落在外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与结区，方向与PN结内电场方向相反，结内电场方向相反，削弱了内电场削弱了内电场。于是。于是,内电场对多子扩内电场对多子扩散运动的阻碍减弱散运动的阻碍减弱，扩散电流加大扩散电流加大。扩散电流远大于漂移

14、。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性结呈现低阻性。+REPN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩散电流。较大的扩散电流。2.2.反向偏置（简称反偏）反向偏置（简称反偏） PNPN结反偏：结反偏：P P区接低电位（负电位），区接低电位（负电位）， N N区接高电位（正电位）区接高电位（正电位）。 硅硅PNPN结的结的I Is s 为为pApA级级 温度温度T T增大增大 I Is s 外加的反向电压有一部分降落在外加的反向电压有一部分降

15、落在PN结区，方向与结区，方向与PN结内结内电场方向相同，电场方向相同，加强了内电场加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用结区的少子在内电场的作用下形成的下形成的漂移电流大于扩散电流漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现结呈现高阻性。高阻性。 PN结加反向电压时导电情况PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱

16、和电流。 PN 结反向偏置结反向偏置NP+RE+内电场内电场变厚变厚_内电场被被加强，多内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子子漂移加强，但少子数量有限，只能形成数量有限，只能形成较小的反向电流。较小的反向电流。 外电场外电场 PN结的正向电阻很小结的正向电阻很小,反向电阻很大。反向电阻很大。 2.PN结的单向导电性关键在与它的耗尽区的存在结的单向导电性关键在与它的耗尽区的存在,且其且其宽度随外加电压而变化宽度随外加电压而变化. 1.1.PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；扩散电流；PN结加反向电压

17、时，呈现高电阻，具有很小的结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。反向漂移电流。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PN结具有单向导电性结具有单向导电性。即即结论结论: 为了更准确、更全面地了解二极管的导电特性，需要分析二极管的电流与加在二极管两端的电压的关系曲线，即二极管的伏安特性曲线，利用晶体管特性仪可以得到该曲线。正向特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性604020 0.002 0.0040 0.5 1.02550i/ mAu / V1.2.3 1.2.3 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线 PN PN结的伏安特性曲线结的伏安特性曲线（1）正向特性）正向特性 正向导通

18、区：当二极管正向电压大于死区电压时，电流正向导通区：当二极管正向电压大于死区电压时，电流随电压增加，二极管处于导通状态。二极管导通后两端电压随电压增加，二极管处于导通状态。二极管导通后两端电压基本保持不变，硅二极管的导通电压约为基本保持不变，硅二极管的导通电压约为0.7V，锗二极管的，锗二极管的导通电压约为导通电压约为0.3V。 死区：当二极管外加正向电压较小时，正向电流几乎为死区：当二极管外加正向电压较小时，正向电流几乎为零，称为正向特性的死区。一般硅二极管的死区电压为零，称为正向特性的死区。一般硅二极管的死区电压为0.5V，锗二极管的死区电压为锗二极管的死区电压为0.2V。（2）反向特性）

19、反向特性 反向击穿区：反向击穿区：当二极管承受的反向电压已达到击穿电压当二极管承受的反向电压已达到击穿电压时，反向电流急剧增加，该现象称为二极管反向击穿。实际时，反向电流急剧增加，该现象称为二极管反向击穿。实际使用时，普通二极管不允许外加反向电压高于击穿电压，否使用时，普通二极管不允许外加反向电压高于击穿电压，否则会因电流过大而损坏管子。则会因电流过大而损坏管子。 反向截至区：当二极管承受的反向电压未达到击穿电压反向截至区：当二极管承受的反向电压未达到击穿电压时，二极管呈现很大电阻，此时仅有很微小的反向电流，成时，二极管呈现很大电阻，此时仅有很微小的反向电流，成为反向饱和电流。为反向饱和电流。

20、 二极管的型号非常多，从晶体管手册 中可以查找常用二极管的技术和使用资 料，这些参数是正确使用二极管的依据。 晶体管手册通常包括以下基本内容：器件 型号、主要参数、器件外形等。1.2.4 1.2.4 二极管使用常识二极管使用常识（1 1）二极管型号）二极管型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：二极管符号：二极管符号：+-D代表P型Ge（2）二极管的主要参数）二极管的主要参数 按照不同的用途选用二极管按照不同的用途选用二极管 查看晶体管，会发现二极管有多个技术参数。这些参数查看晶体管，会发现二极管有多个技术参数。这些参数从不同的侧面反映管子的各种特性

21、，在选用器件和设计电路从不同的侧面反映管子的各种特性，在选用器件和设计电路时它们都是有用的，在实际应用中最主要的参数有：最大整时它们都是有用的，在实际应用中最主要的参数有：最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流、最高工作频率。流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流、最高工作频率。（3）二极管的选用）二极管的选用1 1有一只二极管，测得其正向电阻为有一只二极管，测得其正向电阻为1.21.2千欧，反向电阻为千欧，反向电阻为 520 520千欧，请问该管子能使用吗？千欧，请问该管子能使用吗？2 2解释二极管解释二极管2CZ112CZ11的型号意义。的型号意义。 思考题：思考题：作业作业： P3

22、1 填空题15 教学目标：教学目标：1.1.3 3 特殊二极管特殊二极管1 1、熟悉稳压二极管的伏安特性及主要参数、熟悉稳压二极管的伏安特性及主要参数2 2、了解发光二极管的功能及应用、特性及主要参数、了解发光二极管的功能及应用、特性及主要参数3 3、会用万用表检测特殊二极管的好坏、会用万用表检测特殊二极管的好坏1 1. .3 3.1 .1 稳压二极管稳压二极管 稳压二极管又称稳压二极管又称齐纳二极管齐纳二极管，是一种用特殊工艺，是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管；这种管子的杂质浓度制造的面结型硅半导体二极管；这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度也大，因而该区域比较大，空间

23、电荷区内的电荷密度也大，因而该区域很窄，容易形成强电场。当反向电压加到某一定值时，很窄，容易形成强电场。当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿。反向电流急增，产生反向击穿。（4）稳定电流稳定电流IZ、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流I zmax、Izmin。（5）最大允许功耗）最大允许功耗maxZZZMIUP稳压二极管的参数稳压二极管的参数:（1）稳定电压稳定电压 UZ（2）电压温度系数电压温度系数 U（%/） （3）动态电阻）动态电阻ZZIUZrrz越小，稳压性能越好。越小，稳压性能越好。稳压二极管稳压的电路稳压二极管稳压的电路:工作原理：工作原理：UoIZDZRI0IUi

24、RL输入电压输入电压Ui波动时会引起输出电压波动时会引起输出电压Uo波动波动:如如Ui升高将引起随之升高，升高将引起随之升高，导致稳压管的电流导致稳压管的电流IZ急剧增加，使急剧增加，使得电阻得电阻R上的电流上的电流I和电压和电压UR迅速增迅速增大，大，从而使从而使Uo基本上保持不变。反基本上保持不变。反之，当之，当Ui减小时，减小时，UR相应减小，相应减小，仍可保持仍可保持Uo基本不变基本不变当负载电流当负载电流Io发生变化引起输出电压发生变化引起输出电压Uo发生变化时，同样会引发生变化时，同样会引起起IZ的相应变化，使得的相应变化，使得Uo保持基本稳定保持基本稳定:如当如当Io增大时，增大

25、时，I和和UR均会随之增大使得均会随之增大使得Uo下降，这将导致下降，这将导致IZ急剧减小，使急剧减小，使I仍维持仍维持原有数值保持原有数值保持UR不变，使得不变，使得Uo得到稳定。得到稳定。限流电阻uoiZDZRi0iuiRL解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。要求要求当输入电压由正常值发生当输入电压由正常值发生 20%波动时，负载电压基本不变。波动时，负载电压基本不变。稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例例例1.1.稳压管的技术参数稳压管的技术参数: :5mA 20mA, V,10minmaxzzzWIIUkRL2求：求

26、：电阻电阻R和输入电压和输入电压 ui 的正常值。的正常值。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi由由KCLKCL得得: :由由KVLKVL得得: :令输入电压降到下限时，流令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为过稳压管的电流为Izmin 。mA10minLZWzRUIi101080RUiRu.zWiuoiZDZRi0iuiRL联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得：k50V7518.R,.ui由由KCLKCL得得: :由由KVLKVL得得: :1.3.2 1.3.2 发光二极管发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光

27、管可以发出长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。与一般二极管类似。 它的光谱范围是比较窄的，其波长由所使用的它的光谱范围是比较窄的，其波长由所使用的基本材料决定。常用作显示器件，工作电流在几个基本材料决定。常用作显示器件，工作电流在几个毫安至几十毫安。毫安至几十毫安。七段显示发光二极管发光二极管的主要特性发光二极管的主要特性1.3.3 1.3.3 光电二极管光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升；其方向电流反向电流随光照强度的增加而上升；其方向电流与光照成正比。是将光信号转换成电信号的常用器件。与光照成正比。是将光

28、信号转换成电信号的常用器件。IU照度增加照度增加光电二极管的外形和符号光电二极管的外形和符号变容管电路符号变容管电路符号变容管压控特性曲线变容管压控特性曲线 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，变容二极管，简称变容管。简称变容管。1.3.41.3.4 变容二极管变容二极管激光二极管激光二极管 光电二极管通常用于接收由光缆传来的光信号光电二极管通常用于接收由光缆传来的光信号,光缆光缆用作光传输线用作光传输线,由玻璃或塑料制成由玻璃或塑料制成.对于单色的相干性的波对于单色的相干性的波长长,传输更有效传输更有效. 相干性的光是一种电磁辐射相干性的光是一

29、种电磁辐射,其中所有的光子具有相其中所有的光子具有相同的频率且同相位同的频率且同相位,相干的单色光信号可以用激光二极管相干的单色光信号可以用激光二极管来产生。来产生。 激光二极管发射的主激光二极管发射的主要是红外线，它在小功率要是红外线，它在小功率光电设备中得到广泛地应光电设备中得到广泛地应用。用。图B触敏屏小结：小结：1.1.半导体、共价键、空穴、自由电子，本征半导体、杂质半导体、共价键、空穴、自由电子，本征半导体、杂质 半导体半导体, ,本征本征激发激发, ,多数载流子多数载流子, ,少少数载流数载流子。子。2.PN2.PN结的形成结的形成( (扩散扩散 、漂移、漂移) ) PNPN结的特

30、性结的特性。3.3.半导体二极管的结构，二极管的半导体二极管的结构，二极管的V-IV-I特性特性( (单向导电特性单向导电特性) ) 及主要参数。及主要参数。 4 4. .特殊二极管特殊二极管( (稳压管稳压管) )。教学目标：教学目标：1.1.4 4 三极管三极管1 1、掌握三极管的结构、符号、引脚排列、掌握三极管的结构、符号、引脚排列2 2、了解三极管的电流放大特性、特性曲线及主要参数、了解三极管的电流放大特性、特性曲线及主要参数3 3、会用万用表判别三极管的引脚和质量优劣、会用万用表判别三极管的引脚和质量优劣1 1. .4 4.1 .1 结构与分类结构与分类三个区：三个区：发射区发射区：

31、参杂浓度大。 基区基区：很薄，参杂浓度很小。 集电区集电区:参杂浓度小，但面积大。两个结：两个结：发射结和集电结。三个极：三个极：发射极E，基极B，和集电极C。1 1、结构、结构2 2、类型、类型1.按结构区分：按结构区分：有NPN型和PNP型。2.按材料区分按材料区分：有硅三极管和锗三极管。3.按工作频率区分按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。4.按功率大小区分按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管。5.按用途区分：按用途区分：有普通放大三极管和开关三极管。 1 1. .4 4. .2 2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用晶体管基本共射放大电路 晶体管有电流放大作用的外部

32、工作条件为 发射结正偏发射结正偏，集电结反偏集电结反偏1.1.发射发射 发射结正偏，发射区的多子电子大量地向基区扩散，形成发射极电流的主要部分IEN。同时基区的空穴也向发射区扩散形成很小的电流IEP。2.2.复合复合 从发射区扩散到基区的电子，很少一部分与基区中的空穴相复合，形成基极电流的主要部分IBN。3.3.收集收集 从发射区扩散到基区的电子，绝大部分电子向集电结扩散，且在集电结反偏电压的作用下，迅速漂移过集电结被集电区所收集，形成集电极电流的主要部分ICN。同时，集电区少子空穴在集电结反偏电压的作用下向基区漂移，形成集电结反向饱和电流ICBO，它是集电极电流的极小部分，也是基极电流的一部

33、分。 1 1、晶体管内部载流子的运动、晶体管内部载流子的运动 IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO=IB-ICBO IE=IC+IB 2 2、晶体管的电流分配关系、晶体管的电流分配关系 3、晶体管的共射电流放大系数、晶体管的共射电流放大系数 式： IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP 反映了发射极电流在集电极与基极间的分配关系，晶体管制成后，这种分配比例就确定。1.共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数 2.共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数 CBOBCBOCBCNIIIIIICBOBCIII)1 (CEOBII BIBCii3.3.共基直流电流放大系数共基直流电流放大系数11CBOECECNI