硬件设计个人总结百度摘抄

1、在系统编程ISP ISP（In-System Programming）在系统可编程，指电路板上的空白器件可以编程写入最终用户代码， 而不需要从电路板上取下器件，已经编程的器件也可以用ISP方式擦除或再编程。ISP技术是未来发展方向。一般平时说的在线编程和离线编程，指的是编程时是否一定要将单片机从电路板上取下来，安装到编程器上才能编程。比如AT89C51，为它写入程序需要使用专用的编程器。而像STC89C51和AT89S51等等单片机，他们支持在线编程，设计电路板时只要板子上预留一个下载程序用的接口，就可以在不拆卸单片机芯片的情况下直接通过一些手段写入新的程序。IS

2、P的优点  ISP技术的优势是不需要编程器就可以进行单片机的实验和开发，单片机芯片可以直接焊接到电路板上，调试结束即成成品，免去了调试时由于频繁地插入取出芯片对芯片和电路板带来的不便。  产品分析  目前市场上不少的单片机具有ISP功能。  ATMEL公司的单片机AT89SXXXX系列，提供了一个SPI串行接口对内部程序存储器编程（ISP）。 ATMEL公司的单片机AVR系列，提供了一个SPI串行接口对内部程序存储器编程（ISP）。 PHILIPS公司的P89C51RX2xx系列是带ISP/IA

3、P的8位Flash单片机。PHILIPS公司为了使ISP技术和IAP技术得以推广，在芯片上免费提供了Boot ROM固件，并且巧妙地解决了固件和FLASH的地址覆盖问题及一些具体实现细节问题，使它们的实现变得简单。 ST公司的PSD32××系列单片机片内带128KB/256KB的FLASH存储器及32KB Boot ROM,通过JTAG串行口能很容易地实现ISP功能。 另外很多家公司的单片机都具备ISP功能，ISP在单片机领域的应用成为了必然的趋势。 此外在外围器件中ST公司的PSD系列产品片内带大容量存储器，支持

4、ISP及IAP功能。CHMOS和HMOS的区别CHMOS(互补金属氧化物HMOS)是CMOS和HMOS(高密度沟道MOS工艺)的结合,除了保持HMOS高速度和高密度之外,还有CMOS低功耗的特点.两类器件的功能是完全兼容的,区别在CHMOS器件具有低功耗的特点.它所消耗的电流比HMOS器件少很多,主要在于其采用了两种降低功耗的方式:空闲方式和掉电方式.CHMOS器件在掉电方式(CPU停止工作,片内RAM的数据继续保持)下时,消耗的电流可低于10A.采用CHMOS的器件在编号中用一个C来加以区别:如80C51,80C31等.单片机的晶振频率怎么确定？根据使用需要确定，举例：如果要产生标准的串口波

5、特率，应使用11.0592MHz，如果要让51单片机产生整数的时钟频率可使用12MHz或者24MHz单片机。另外根据单片机本身的参数，不要选择过高的频率，否则会工作不稳定。举例：Atmega8L-8PU，这个单片机后面一个8的意思就是建议最大工作频率不要超过8MHz，如果超过8MHz不大于16MHz，可以选用Atmega8L-16PU。当然，非要让Atmega8L-8PU使用大于8MHz的频率，也可以，属于超频使用，相当于我们电脑的CPU超频，会工作不稳定。1、单片机没有连接的引脚不需要专门处理，可以悬空。2、打叉的引脚表示这引脚不跟电路中的任何点连接，打叉的目的是原理图错误检查时忽视这一引脚

6、的检查（或不检查这一引脚）。芯片的引脚设置漏极开路功能的作用是什么?这个脚是输出信号用的，芯片的另外脚检测无信号时输出引脚高阻抗，不导通，芯片检测有信号时输出脚低阻抗，导通。漏极开路，主要用于不同电平之间的转换，例如如何让3.3VCPU输出5V电平呢？，就需要将引脚设为开漏模式，然后引脚接上拉电阻到5V，这时高电平输出就是5V，输出能力由上拉电阻确定，低电平输出能力由CPU引脚灌电流决定。80c51单片机p0口地址数据分时复用如何实现的P0在前一个时刻输出地址的低8位,然后由ALE信号将它们锁存到外面的逻辑芯片(例如74LS245之类)里,之后再从P0输出或输入数据,就实现了分时复用.在这两个

7、期间,地址的高8位,也就是P2口的信号是不变的,并且ALE在后一半的时候也是不变的.这样的话,之前输出的地址低8位被ALE锁存到外面的逻辑芯片里了,因此不管总线上的信号如何变,只要ALE不变,那么逻辑芯片的输出就是不变的,因此此时的P0口就可以干别的了.当然,外面的不一定都是逻辑芯片,还可以是其它的东东.P0口作分时复用时是三态双向口p0口有三态分别是：高阻，高电平，低电平。 因为p0要作数据总线和地址总线用，所以必须要有三态，在不使用的时候要使p0口呈高阻态，以免干扰总线上的其它信号。本帖最后由 blacksword 于 2012-12-8 08:32 编辑对于各种器件的输出引脚，讲到三态，

8、高电平输出、低电平输出、及高阻态。其中的高阻。基本上有硬件常识的人都清楚其作用主要有：节电、将该引脚电流效果上断开，避免其对系统上其它电路的不良影响。然而对于输入引脚也有引脚，好多人都不理解，并认为没有必要。其实输入引脚，在我们的系统中非常常见，比如各种RAM芯片的引脚，输入时，如果CS为高电平，则大多处于高阻状态。FPGA设计的书上或是各大牛人也通常会告诫我们，不用的引脚一定要设为高阻态。除共同的节电作用外。高阻态引脚，输出高阻态你可以看着避免对别人产生影响。而输入高阻态状态，既避免对别人产生影响，还避免了受到别人的影响。1.内部振荡典型电路。理论上来说，振荡频率越高表示单片机运行速度越快，

9、但同时对存储器的速度和印刷电路板的要求也就越高。如同木桶原理。同时单片机性能的好坏，不仅与CPU运算速度有关，而且与存储器的速度、外设速度等都有很大关系。因此一般选用612MHZ。并联谐振电路对电容的值没有严格要求，但会影响振荡器的稳定、振荡器频率高低、起振快速性等。所以一般C1、C2选值20100pF，在6070pF时振荡器有较高的频率稳定性。陶瓷封装电容可以进一步提高温度稳定性。内部振荡典型电路 单片机的速度，不单单与其机器周期的大小有关，还与单片机的体系结构有关：1。处理器所提供的指令系统。（CISC和RISC）。 2。存储器结构（冯·诺依曼结构和哈佛结构）。不同的指

10、令系统，处理语言的能力是不同的。不同的存储器结构，CPU对其的访问方式和速度是不一样的。这些都影响MCU的速度。51系列单片机支持的晶振频率最高为多少？这个问题很难回答了。现在的51单片机，比如是at系列和ST，它能支持的最高频率都不一样，我试过at89系列的能达到24M。估计还可以更高。ST的听说也可以到几十M。2.上电复位与按键复位典型电路。（摘自百度知道的解答）51单片机是高电平复位，所以先看给单片机加5V电源（上电）启动时的情况：这时电容充电相当于短路（电容特性：通交流，隔直流，上电瞬间相当于交流），你可以认为RST上的电压就是VCC，这是单片机就是复位状态。随着时间推移电容两端电压升

11、高，即造成RST上的电压降低，当低至阈值电压时，即完成复位过程。如果按下SW（按键复位中的帽子按键），的确就是按钮把C短路了，这时电容放电，两端电压都是VCC，即RST引脚电压为VCC，如果超过规定的复位时间，单片机就复位了。当按钮弹起后，RST引脚的电压为0，单片机处于运行状态。51单片机复位要求是：RST上加高电平时间大于2个机器周期，你用的12MHz晶振，所以一个机器周期就是1us，要复位就加2us的高电平即可。图中的RC常数是51K×1uF=51ms（这是百度的配图计算，能够推算R和C的取值，取值仅供参考，以元件常见值为佳），即51毫秒，这个常数足够大了。上电复位典型电路按键

12、复位典型电路（似乎R2小于R1即可？）模拟地和数字地最关键的是你要清楚一点，数字信号只分0和1，那么数字地就是0信号，这个信号通常情况下都不是零，都会多少比零高一点；但是模拟地就是实实在在的零电位。问题就出在这里了，如果你把两个地直接接在一起，数字地就会将模拟地拉高，并且你数字电路中如果又高次谐波的话，也会通过模拟地传到模拟电路中，这些高次谐波可能在数字电路中没有大的影响。因为通常高频干扰电压都很低，数字信号的抗干扰能力强，因为高低电平都是一个范围，但是对于模拟电路就不同了，他会实实在在影响到你对模拟量的测量，所以通常模拟地与数字地中间会加一个零欧电阻，磁珠之类的。RTC模块（实时时钟芯片）

13、低功耗RTC的英文全称是Real-Time Clock,翻译过来是实时时钟芯片. RTC是PC主板上的晶振及相关电路组成的时钟电路的生成脉冲，RTC经过8254电路的频产生一个频率较低一点的OS(系统)时钟TSC，系统时钟每一个cpu周期加一，每次系统时钟在系统初起时通过RTC初始化。8254本身工作也需要有自己的驱动时钟（PIT）。 它的主要作用就是提供稳定的时钟信号给后续电路用.主要功能有:时钟&日历,闹钟,周期性中断输出,32KHz时钟输出. RTC的主要性能指标有: 控制方式:二线制,三线制,四线制. 晶振:分内置晶振和外置晶振.晶振电路外接电容 负载电容是指晶振要正

14、常震荡所需要的电容。换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。也能保证温漂等误差。晶振的负载电容值是已知数，在出厂的时候已经定下来。单片机晶振上两个电容是晶振的外接电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发，在选择外接电容的时候是根据晶振厂家提供的晶振要求选值的，一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。然后根据确定的负载电容推算，外接电容会影响到晶振的谐振频率和输出幅度。    负载电容每个晶振都会有的参数 例如：稳定度是多少PPN  负载电

15、容是多少PF等.当晶振接到震荡电路上 在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时 震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同。    那么，如何来选择外接电容？    晶振的负载电容=(Cd*Cg)/(Cd+Cg)+Cic+C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+C（PCB上电容）经验值为3至5pf。两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。比

16、如负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了。 负载电容保持晶振工作的固定电压值直流电源组成部分：变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路稳压电路：当电网电压波动，输出电压平均值产生相应的变动；另一方面，由于整流滤波电路内阻的存在，负载变化时内阻上的电压发生变化，输出电压平均值也随之相反变化。1.稳压管稳压（输出电流小，输出电压不可调）2.串联型稳压电路（引入深度负反馈） 调整管始终工作在放大状态，自身功耗大，效率低，必须安装散热器集成稳压器电路（三端稳压器）输入端、输出端、调整端1）W7800系列：输出电压5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V七档输出电流W7800（1

17、.5A）、W78M00（0.5A）、W78L00（0.1A）三档2）W117三端稳压器：输出电流1.5A、0.5A、0.1A三档 典型1.25V3.开关型稳压电路 效率可达70%-95% 什么是集电极开路（OC）？什么是漏极开路（OD）？为什么必须要在OC门输出的IO口上加上拉电阻？分类： 电气与电子技术2012-07-28 08:42 3487人阅读 评论(0) 收藏 举报ioc什么是集电极开路（OC）？我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极

18、管为反相之用，使输入为"0"时，输出也为"0"）。对于图1，当左端的输入为“0”时，前面的三极管截止（即集电极C跟发射极E之间相当于断开），所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上，右边的三极管导通（即相当于一个开关闭合）；当左端的输入为“1”时，前面的三极管导通，而后面的三极管截止（相当于开关断开）。 我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制，“1”时断开，“0”时闭合。很明显可以看出，当开关闭合时，输出直接接地，所以输出电平为0。而当开关断开时，则输出端悬空了，即高阻态。这时电平状态未知，如果后面一个电阻负载（即使很轻的负载）到

19、地，那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了，所以这个电路是不能输出高电平的。        再看图三。图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合，则有电流从1K电阻及开关上流过，但由于开关闭和时电阻为0（方便我们的讨论，实际情况中开关电阻不为0，另外对于三极管还存在饱和压降），所以在开关上的电压为0，即输出电平为0。如果开关断开，则由于开关电阻为无穷大（同上，不考虑实际中的漏电流），所以流过的电流为0，因此在1K电阻上的压降也为0，所以输出端的电压就是5V了，这样就能输出高电平了。但是这个输出的内阻是比较大的

20、（即1K），如果接一个电阻为R的负载，通过分压计算，就可以算得最后的输出电压为5*R/(R+1000)伏，即5/(1+1000/R)伏。所以，如果要达到一定的电压的话，R就不能太小。如果R真的太小，而导致输出电压不够的话，那我们只有通过减小那个1K的上拉电阻来增加驱动能力。但是，上拉电阻又不能取得太小，因为当开关闭合时，将产生电流，由于开关能流过的电流是有限的，因此限制了上拉电阻的取值，另外还需要考虑到，当输出低电平时，负载可能还会给提供一部分电流从开关流过，因此要综合这些电流考虑来选择合适的上拉电阻。       

21、0;如果我们将一个读数据用的输入端接在输出端，这样就是一个IO口了（51的IO口就是这样的结构，其中P0口内部不带上拉，而其它三个口带内部上拉），当我们要使用输入功能时，只要将输出口设置为1即可，这样就相当于那个开关断开，而对于P0口来说，就是高阻态了。 什么是漏极开路（OD）？对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD，原理分析是一样的。         另一种输出结构是推挽输出。推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换

22、成一个开关，当要输出高电平时，上面的开关通，下面的开关断；而要输出低电平时，则刚好相反。比起OC或者OD来说，这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话，就会产生很大的电流，有可能将输出口烧坏。而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况，因为上拉电阻提供的电流比较小。如果是推挽输出的要设置为高阻态时，则两个开关必须同时断开（或者在输出口上使用一个传输门），这样可作为输入状态，AVR单片机的一些IO口就是这种结构单片机液晶控制，关于直接访问和间接访问2009-06-18 21:13Free_Mind | 分类：C/C+ |

23、60;浏览1418次我看到液晶的控制芯片与MCU的并行连接分直接访问和间接访问方式，像t6963c，st7920等。但我看直接访问和间接访问只是引脚的接法不同，像直接访问方式是把液晶的数据脚接在P0口，间接访问方式是将液晶的数据脚接在P1口，但我看这两种访问方式除了P0、P1口的区别外，就没有什么不同了，写程序的时候，区别更少。所以我想问问直接和间接访问到底区别在哪?承诺满意回答有50分追加。现在就不设定加分了，免得浪费。分享到：2009-06-19 09:12提问者采纳这个问题是从单片机的角度来说的。所谓直接访问就是访问LCD控制器就像访问MCU的外部扩展RAM一样（可以直接用一条movx指

24、令读写数据），所以数据一定要接在P0口上，同时要考虑控制译码，支持ALE、RD、WR、PSEN、EA等控制信号。而间接访问是说LCD控制器当做MCU的端口来用，所以数据可以接在任何Px口上，但程序访问要麻烦一点，例如输出时将数据放在Px口上之后，还要程序给出控制信号通知LCD控制器“取走”等等。总之，一个硬件复杂一点但编程简单，另一个硬件简单但编程稍烦。    后来，自己看资料，自己回想，想到其实没有那么麻烦，12864其实就四大行，每大行又有2页，每页有8小行    现在详细说一下这行列页的关系：12864有四大行（一个汉字、字符、字母都占一大行），一

25、大行有2页，一页有8小行，每小行便是一个点     再给你们整理一下：8个点组成1页-2页组成1大行，一个字就占1大行在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压： VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D="device" 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压， 在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd ! VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引

26、脚，VSS乃CMOS的源极引脚， 这是元件引脚符号.      电源电路有整流电源、逆变电源和变频器三种。新买的电解电容器，外壳标有“-”号的为负极；2个脚，脚长的是正极，脚短的是负极。电解电容的极性判别：用电阻档测电容的电阻值正反测2次，用指针表测量：阻值大的一次，万用表的黑色表笔为电解电容的正极。理由是，电解电容加正向电压时候漏电流小，电阻大；反之则：漏电流大，电阻小。（注：指针表电阻档时 黑表笔是内部电池的正极，红表笔是内部电池的负极）电感器成本高，体积大，所以在电流不太大的电子电路中，常用电阻取代电感组成RC滤波理想的电容，本来是没有极性的。但是

27、在实际中，为了获得大容量，就使用了某些特殊的材料和结构，这就导致了实际的电容有些是有极性的。常见的有极性电容有铝电解电容，钽电解电容等。电解电容一般是容量相对比较大的。如果要做一个大容量的无极性电容，就没那么容易了，体积会变得很大。这就是为什么在实际的电路中，为什么会有那么多的有极性电容了因为它体积比较小，同时又因为这样的电路中电压只有一个方向，所以有极性的电容就能派上用场。我们使用有极性的电容，就是避开它的缺点，利用它的优点。我们可以这样来理解：有极性的电容实际上是一个只能按一个电压方向使用的电容。而无极性的电容，则两个电压方向都能使用。因此，单从电压方向这一点上来说，无极性的电容是比有极性

28、的电容要好的。使用无极性的电容代替有极性的电容是完全可以的只要容量、工作电压、体积等能满足要求即可替换。低于1F的低值电容大多数是无极性之分的，但是具有1F或更大电容值的电容几乎都是有正负极之分的。 至今为止，最常用有极性电容就是电解电容，钽电容也是有极性电容。安装在印制板上的电容，在其外壳上接近引线之处以符号"+"和"-"标出其极性，实际上，大多数新型电容只有"-"号。这些标志并不是必须的，因为极性电容的正引线总会长一些。即使是标志磨损或者被完全抹去，立刻就能够辨认出极性。接错了有极性的电容在有些场合可能使它损坏。还值得指出，即使较

29、小的反向电压和电流也可能损害某些有极性的电容。这样的有极性电容并没有任何外部损坏的迹象，但如果这时正确地把它用在电路中却会表现出低于标准的性能。钽电容和一些高级电解电容在反向电压下损坏率较大。滤波作用，在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为0.001-0

30、.lpF的电容，以滤除高频及脉冲干扰。滤波电容的选择是根据电源频率高低与使用电流的大小来选择的，频率越高，电容的容量越小，电流越大，需要的容量就越大，开关电源的频率高所以使用的滤波电容一般都几百微法，工频电源频率低，一般都用几千微法。另外，与电路设计有关，如果在电容前面接一个电抗线圈，那么用的电容还可小一些。原理可参考这方面的书籍。经过整流桥以后的是脉动直流，波动范围很大。后面一般用大小两个电容 大电容用来稳定输出，众所周知电容两端电压不能突变，因此可以使输出平滑 小电容是用来滤除高频干扰的，使输出电压纯净 电容越小，谐振频率越高，可滤除的干扰频率越高 容量选择： （1）大电容,负载越重，吸收

31、电流的能力越强，这个大电容的容量就要越大 （2）小电容，凭经验，一般104即可电容滤波的计算比较麻烦，因为决定输出电压的因素较多。工程上有详细的曲线可供查阅。一般常采用以下近似估算法：一种是在RLC=(35)T/ 2的条件下，近似认为VL=VO=1.2V2。（或者，电容滤波要获得较好的效果，工程上也通常应满足wRLC610。） 桥式整流电路的电容量一般几百到几万uF.滤波电容的选择滤波电容在开关电源中起着非常重要的作用，如何正确选择滤波电容，尤其输出滤波电容的选择则是每个工程技术员都十分关心的问题。50Hz工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为

32、获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万F，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要数。而开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。普通的低频电解电容器在10kHz左右便开始呈现感性，无法满足开关电源的使用要求。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极，负极铝片的两

33、端也分别引出作为负极。电流从四端电容的一个正端流入，经过电容内部，再从另一个正端流向负载；从负载返回的电流也从电容的一个负端流入，再从另一个负端流向电源负端。由于四端电容具有良好的高频特性，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段。高频铝电解电容器还有多芯的形式，即将铝箔分成较短的若干段，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。也有这样算的。有依电流为依据的，例如：每0.5A电流1000F有依RC时间常数为依据的，例如：工频桥式整流的电容量C = 3 (T/2) / R 突然想起来个问题，三极管为什么能驱动

34、蜂鸣器呢？我们知道三极管有三种状态，截止饱和放大。而驱动蜂鸣器时则是使三极管工作在饱和区（相当于开关闭合）或者截止区（相当于开关断这种状态下，三极管被当作一个开关来使用，三极管饱和时导通压降为0.3V所以近似看作短路。这样电压直接加在蜂鸣器两端，蜂鸣器工作发声上面图一中a电路用的是NPN管，注意蜂鸣器接在三极管的集电极，驱动信号可以是常见的3.3V或者5VTTL，高电平开通，电阻按照经验法可以取4.7K。 例如a电路，开通时假设为高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V）/4.7K=0.9mA，可以使三极管完全饱和。b 电路用的是PNP管，同样把 蜂鸣器接在三极管的集电极，不同的是驱动信号是

35、5V的TTL电平。以上这两个都可以正常工作，只要PWM驱动信号工作在合适的频率，蜂鸣器（有源）都会发 出最大的声音。三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。1： 三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。红表笔所连接的是表

36、内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。2：PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电

37、极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。3：顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔c极b极e极红表笔，电流流

38、向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔e极b极c极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。4：测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c

39、与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。UART是通用异步串行口的意思RS232是UART的一种，它采用的232电平。其他的UART还有单片机上的异步通信口，采用的是TTL电平。为什么会出现串口通信，I2C通信，SPI通信，UART通信等等这么多的通信协议，既然是想统一通信规则，为什么又出现这么多种，是不是各有各的优势，或是在某种要求下应运而生，懂的老师请不吝赐教，UART用在与主机（比如计算机）接口外设相连。I2C是由飞利浦公司提出的，用于与芯片与芯片之间的通信。spi是摩托罗拉最先提出的，用于芯片与芯片间的通信，与i2c不同的是传输需要四根线，i2c传输需要两根线

40、，所以速率比i2c快。最早是没有统一的串行接口标准的，各个公司在自己的领域分别提出来，最终成为了通用的标准。关于AD转换器的分辨率问题。如果我要测量0250度的温度，测量精度为0.5度，参考电压为5V的AD转换器，几位的才能达到要求，也就是多少的分辨率才能达到要求0250度的温度，测量精度为0.5度，250/0.5=500，要满足这个最小分辨率，有2X500，解得X9，所以可以使用至少9位的A/D转换器，此时29=512，其分辨率满足0.5度的要求12864液晶屏有多少种？是不是除了管脚顺序不同，没什么区别？根据液晶屏所使用的控制器不同而有所区别，通常12864的控制器有KS0107/KS01

41、08, ST7920, 早期的12864还有使用T6963的，相同控制器的接口定义及功能都是基本相同的，只是管脚顺序不同，以上都是针对COB，SMT封装而言的。为什么51系列单片机常用11.0592MHz的晶振设计波特率SMODTH11920010FDH960000FDH480000FAH240000F4H120000E8H30000A0H 波特率baud实际上是bit per second，每秒多少位，这样我们可以计算出传送一位需要多长的时间t = 1/baud。晶振有个频率Fosc，我们可以求出晶体振荡的周期T=1/Fosc。观察串口通信的原理，我们可以看到，实际上有t = T*n(单周期的MCU)，只要保证n在MCU内部能够分频出来，那么串口的波特率就是准确的。51的串口没有独立的时钟源，而是靠定时器，那么这个n就对应了一个定时值。另外需要考虑的是，51不是单周期的，晶振12分频之后作为系统机器周期，可以看出t = T*12*n，转成，1/baud = 1/Fosc*12*n。这样，我们就不难解释，为什么11.0592MHz能在51上准确地通过9600bit/s来串口通信，而12MHz不行。11.0592