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1、 1AN978MOS (L MOS MGD MOS MGD MGD BUCK SD P MOSFET 1. MOSFET IGBT 12 11015V2/31 MOS MGDs MOSFET IGBT 2IR2110 E 1 (MOSFET / 3 E, MOSFET " " , L, ” ”., 42 HEXFET (VCC =15V, 9HEX-2 HEX-3 HEX-4 HEX-5 HEX-625ns 38ns 53ns 78ns 116ns17ns 23ns 34ns 54ns 74ns2. 2IR2110MOS 21TTL/COMSMGDs IR211x IR21

2、5x V DD 3V20VV DD 10%MGDs IR210x IR212x IR213x 1.52V 01MGDs MGDs MGDs MGDs 8512MGDs 120ns 95 ns 1213 VssCOM f 5V 50ns 2.2N MOSFET ( N P CMOS MGD MOSFET 0.12A2A225VCC 8.6/8.2V2.3 (3 COM 500V 600V -5V V S V B 2V B VS MOS 2 MOSFET 15V VS COM 500V 2 / / VS dv/dt / VS COM 5V Ldi/dt 3 2 , PWM Vcc VCC 1 MG

3、T 2 -Iqbs 3 4 MGT - 5 5 - DT98-2 IC 6 Q= MOSFET f=E ICbSLeak= Ilson=20mAIlsoff=20mAtw=200ns Vf= VLS= QLS= 500V/600V IC 5nC 1200V IC 20nC / 2528 29 QE HEXFET MOSFET IRF450 E 100KHz 12mA 4. MOS MGD MGD a (PD(lvq VDDVCC VSS 15V 25 3.5mW 125 5mW b 9FF 3'OY 6: b1, MGD PGVgQGgf 100kHz HEXFET IRF450Vgs15V PG=2h15h120h10-9h100h10³=0.36W VSS / VCC MGD 6¡ 10¡ MGD PG 6/16 PCMOS=VCCg

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