薄膜太阳能光伏

1、薄膜太阳能光伏产业发展分析报告（完整版）目录一、引言 2二、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势 2（一）薄膜太阳能电池定义2（二）薄膜太阳能电池分类及应用 3（三）薄膜太阳能光伏产业发展现状 5（四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势 7三、薄膜太阳能电池生产厂家概况 11（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家11（二）国内薄膜太阳能电池生产厂家20四、总结25五、建议27一、引言2004 年德国光伏补贴政府引爆了光伏产业，光伏产业强势需求造就了多晶 硅原料企业的超高利润，而 2007年美国 First Solar 的亮丽表现则带来了薄膜 产业的新纪元， 1.3 美元/ 瓦的低成本， 11%左右的转换率，欧

2、洲北美的巨额订单， 不受原料限制的大规模生产成就了 First Solar 的高利润，高收入，高可靠的盈 利预期，也促使业界发现属于薄膜时代的来临。在 2007 年和 2008 年间，全球光伏产业最为火热的环节就是薄膜领域， 不断 有新的项目发布或者投产， 有限的设备公司订单已经排到 1 年以后，而且新增订 单不断，除了美国 First Solar, 日本夏普也开始大规模投入薄膜领域，而德国 的Q-CELL肖特等也大力投入薄膜事业，台湾几乎瞬间投入了超过10个薄膜项目，国内的非晶硅龙头拓日新能源顺利上市， 新澳集团高调介入等等都显示薄膜 正在吸引越来越多的资本和关注； 薄膜自身的发电优势和低成

3、本也将会是下降光 伏发电成本的一大主要驱动力。二、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势薄膜太阳能光伏产业主要由CdTe （碲化镉）、CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟 硒镓）、硅基薄膜三类电池组成。（一）薄膜太阳能电池定义薄膜太阳能电池， 指在塑胶、玻璃或是金属基板上形成可产生光电效应的薄 膜。这种薄膜厚度仅需数 m在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅 减少原料的用量。（二）薄膜太阳能电池分类及应用CdTe （W化镉）薄膜薄膜层为CdTe/CdS«化镉）材料的太阳能电池，主要用于光伏发电。CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒傢）薄膜CIS（Copper Indium Dise

4、lenide） 或 是 CIGS（Copper Indium GalliumDiselenide）, 主要用于光伏发电硅基薄膜主要是指薄膜层带 A-Si 的薄膜电池，根据设备的生产工艺可以分为下面的几种：单结A-Sia-si UC -Si （非晶/微晶）、双结a-siUC-Si（非晶/微晶）、三结非晶硅等 , 主要用于光伏发电。GaAS（W化傢）薄膜GaAs MUltijUCtion（ 多接面砷化镓 ）在单晶硅基板上以化学气相沉积法成长GaA薄膜所制成的薄膜太阳能电池。具有30%以上的高转换效率，很早就被应用於人造卫星的太阳能电池板。新一代的GaAs（砷化傢）多接面（将多层不同材料叠层）太阳能

5、电池，如 GaAS Ge和GalnP2三接面电池，可吸收光谱范围极广，转换效率目前已可高 达39%，是转换效率最高的太阳能电池种类，而且性质稳定，寿命也相当长。不 过此种太阳能电池的价格也极为昂贵，平均每瓦价格可高出多晶矽太阳能电池 百倍以上，因此除了太空等特殊用途之外，预期并不会成为商业生产的主流。色素敏化染料 （Dye-Sensitized Solar Cell） 是太阳能电池中相当新颖的技术产品是由透明导电基板、二氧化钛 （TiO2） 纳米微粒薄膜、染料（光敏化剂）、电解质和ITo电极所组成。此种太阳能电池的优点在於二氧化钛和染料的材料成本都相对便宜， 又可以 利用印刷的方法大量制造，基

6、板材料也可更多元化。不过目前主要缺点：一是在 於转换效率仍然相当低 （ 平均约在 78%，实验室产品可达 10%），且在 UV 照射和 高热下会出现严重的光劣化现象， 二是在于封装过程较为困难 （主要是 因为其中 的电解质的影响 ） ，因此目前仍然是以实验室产品为主。然而，基於其低廉成本 以及广泛应用层面的吸引力， 多家实验机构仍然在积极进行技术的突破。有机导电高分子 （organiCpolymer solar Cells） 有机导电高分子太阳能电池是直接利用有机高分子半导体薄膜（通常厚度约为 100nm） 作为感光和发电材料此种技术共有两大优点：一在於薄膜制程容易 （ 可用喷墨、浸泡涂布 等

7、方 式） ，而且可利用化学合成技术改变分子结构，以提升效率，另一优点是采用软 性塑胶作为基板材料，因此质轻，且具有高度的可挠性。目前市面上已经有多家公司推出该类产品，应用在可携式电子产品如NB、PDA勺户外充电上面，市场领导者是美国KOnarka公司。不过，由于转换效率过低 （约45%）的最大缺点，因此此种太阳能电池的未来发展市场应该是结合电 子产品勺整合性应用，而非大规模勺太阳能发电。InP（ 磷化铟 ） 电池薄膜层为 InP（ 磷化铟） 材料勺太阳能电池，类似于 GaAs 电池，高转换率， 高价格，预计很难在发电市场获得应用，主要是太空应用。POly-Si （ Crystalline Si

8、licOn On Glass）薄膜德国Q-CELL旗下的一个CSG公司专注的一种电池，原理就是CryStallineSilicOn On Glass （玻璃衬底上直接镀多晶硅薄膜）。暂时没有投产，主要是 光伏发电用。（三）薄膜太阳能光伏产业发展现状 在目前多晶硅原材料成本居高不下的情况下，各厂商纷纷转而寻求技术创 新，而近期薄膜技术领域的突破使其成为太阳能电池产业新的热点。2007年美国 FirSt SOlar 以1.3 美元/瓦的低成本， 11%左右的转换率，拿 下欧洲北美的巨额订单， 不受原料限制的大规模生产为薄膜产业的发展带来新的 活力。随着 FirSt SOlar 在薄膜技术领域的成功

9、，薄膜技术在太阳能光伏产业的 应用逐渐升温。和晶硅太阳能电池相比，薄膜太阳能电池具有以下优势：1、成本优势明显：多晶硅材料价格较高，薄膜太阳能电池成本优势凸现。作为太阳能电池和半导体的重要材料，多晶硅国际市场价格一路飙升，从 2002年 2008 年上涨了十几倍， 这种利益驱动也促使国内多晶硅项目投资热渐趋 升温。然而考虑下游的迅速扩张、供需形势并无根本性改观，2008 年上半年多晶硅供应紧张的局面较去年并未得到缓解，价格仍维持高位。薄膜太阳能电池较少使用晶体硅材料， 相对于高昂的晶体硅材料来说这给其 成本控制带来很大的下降空间。据测算即使在5MW的生产规模下，非晶硅薄膜太 阳能电池组件的生产

10、成本也在 2美元/瓦以下，而单线产能达到40MW-60MW至 更高的全自动化生产线，其产品生产成本则更低。相对于平均 3.5 美元/瓦的国 际市场销售价格而言，其利润空间可见一斑。2、能量返回期短转换效率为 6%的非晶硅太阳能电池，其生产用电约 1.9 度电/瓦，由它发电 后返回的时间约为 1.5-2 年，这是晶硅太阳能电池无法比拟的。3 、大面积自动化生产目前，世界上最大的非晶硅太阳能电池是 Switzland Unaxis 的 KAI-1200PECVD设备生产的1100mm*1250m单结晶非晶硅太阳能电池，起初是效率高于 9%其稳定输出功率接近80W/片。商品晶体硅太阳能电池还是以 1

11、56mm*156m和 125mm*125m为主。4、弱光响应好 ( 充电效率高 ) 上海尤力卡公司曾在中国甘肃省酒泉市安装一套 6500 瓦非晶硅太阳能电站，其每千瓦发电量为 1300KWh而晶体硅太阳能电池每千瓦的年发电量约为 1100-1200KWh。5、技术突破带来应用新方向：组合建筑，环保又节能 薄膜太阳能电池适合与建筑结合的光伏发电组件 (BIPV) ：双层玻璃封装刚性的薄膜太阳能电池组件， 可以根据需要， 制作成不同的透光率， 可以部分代替玻 璃幕墙，而不锈钢和聚合物衬底的柔性薄膜太阳能电池适用于建筑屋顶等需要造 型的部分。将薄膜太阳能电池应用于城市大量的既有和待开发的建筑外立面和

12、屋 顶，避免了现有玻璃幕墙的光污染问题，能代替建材，同时发电又节能，将成为 未来城市利用光伏发电的主要方向。当然，以目前的技术水平来说， 在非晶硅薄膜太阳能电池应用方面， 还存在 一些问题：1、效率低单晶硅太阳能电池，单体效率为 14%-17%（AMO，） 而柔性基体非晶硅太阳电 池组件（约 1000 平方厘米）的效率为 10-12%，还存在一定差距。2、稳定性差 其不稳定性集中体现在其能量转换效率随辐照时间的延长而变化， 直到数百 或数千小时后才稳定。这个问题一定程度上影响了这种低成本太阳能电池的应 用。3、相同的输出电量所需太阳能电池面积增加与晶体硅电池相比， 每瓦的电池面积会增加约一倍，

13、 在安装空间和光照面积 有限的情况下限制了它的应用厂商纷纷投产，薄膜技术应用渐趋升温 薄膜技术的进步给厂商带来了新的发展思路，也正是看到 2007年 FirstSolar 在薄膜太阳能电池领域的出色表现，各厂商纷纷投产进军薄膜领域。 2005 年 4月夏普开始正式受理薄膜太阳能电池定单。 2007年 11月底建设新生产线， 并于 2008年 10月夏普举行了供货仪式，将薄膜硅太阳能电池的年生产能力从 15MW提高到160M W国内厂商如津能、南通、孚日股份、金太阳等厂商已经制定 投产或扩产计划。（四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势CdTe（碲化镉）薄膜、CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒傢）薄

14、膜和硅基薄膜广 泛用于光伏发电， 将占据市场主流， 成为薄膜太阳能电池中的佼佼者。 其发展趋 势分别如下：CdTe 太阳能电池具有技术成熟、转换效率高、发电量高、成本低等优势，在2007年其全球出货量约180M（仅次于硅基薄膜，在薄膜领域排名第二），目前CdTe电池商业化产品效率已超过12%。截至2008年1月，美国部分企业实验室 CdTe组件的转换率高达16.5%,具 体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平ClGS在高光电效率低材料成本的好处下（在实验室完成的ClGS光电池，光 电效率最高可达约19%,就模块而言，最高亦可达约13% ）。面临三个主要困难 要克服：（1）制程复杂，投资成本

15、高；（2）关键原料的供应；（3）缓冲层CdS 潜在毒害。截至2008年2月，全球CIS/CIGS电池的实验室最高转换率达19.5%,具体 到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。截至2008年2月，全球硅基薄膜组件主要有三种：单结非晶硅和双结非 晶硅组件转换率5%-8%，双结非晶硅/微晶硅组件转换率8%-10%,三结非晶硅 组件转换率8流右。不过由于硅基薄膜的基数比较大， 就算到2013年依然是薄 膜中的霸主。而目前新上的项目主要是单结非晶硅、 双结非晶硅和非晶/微晶硅。 其中亚太地区（中国台湾地区等）主要是单结、双结非晶硅日本地区主要是非晶 /微晶硅。欧洲主要是双结非晶硅和非晶/微晶硅。美

16、国三结非晶硅占据不错的地 位，同时其他非晶薄膜也有涉及。从成本的角度来看，非晶/微晶的成本在硅基薄膜中最高，其次就是三结非晶硅，双结非晶硅，成本最低的就是单结非晶硅， 非晶硅薄膜设备投资占据主要成本， 而转换率数据除了跟设备有关系外，自己的 调试和开发能力也有一定的重要性。上述列举CdTe （碲化镉）薄膜、CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒傢）薄膜和 硅基薄膜各产能、产量及市场份额现状和趋势如下表：全球产能：兆瓦2007200820092010201120122013CdTe年330年508年1153年1865年2705年3555年3625CIS/CIGS126.5269464591.57

17、21.58801070硅基薄膜43414682090.52680.5311937464158全球890.522453707.551376545.581818853CdTe市场份额37.06%22.63%31.10%36.31%41.33% -43.45% 40.95%CIS/CIGS 市场14.21%11.98%12.52%11.51%11.02%10.76% 12.09%硅基薄膜市场48.74%65.39%56.39%52.18%47.65% -45.79% 46.97%全球份场份额100.00100.00100.00100.00100.00100.00100.00全球产量：20072008

18、20092010201120122013兆瓦e1年03年07年11刼年1960年2737年36CIS/CIGS25.484.5185.5341.5484627.5773硅基薄膜217.258511041605214426493151全球422.61019.52010.5 -H70.545886013.57060CdTe市场份额42.5934.3335.8638.6142.7245.5144.42CIS/C(G 市场6.018.299.2310.7710.5510.4310.95硅基薄膜市场51.4057.3854.9150.6246.7344.0544.63全球市场份额100.00100.00

19、 100.00 1()0.00 10().00 100.00 100.00(%目前，国内外厂商的纷纷投产促进了薄膜电池市场的快速增长， 未来两年伴 随各厂商投产产能的释放，薄膜电池市场将稳步提升，2010年其市场份额有望达 到15%薄膜技术的兴起带动了国内新一轮太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和ClGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和可印刷铜/铟/傢/硒(CIGS)墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。特别是2008年由于美国应用材料，瑞士 OerlikOn ,日本ULV

20、AC等顶级的 设备厂商大量推出标准设备，同时韩国 JuSung ,美国XSunX等设备企业的介入 促使全球范围大规模生产非晶硅成为可能，另外一些小尺寸的非晶硅设备企业(比如中国国内的普乐新能源，上海思博露科技，北京的北仪创新，美国的EPVNanOPV香港的华基光电，匈牙利的 EnergoSolar，欧洲的STF等相继推 出低成本的5兆瓦生产线也获得了客户的青睐，设备的驱动及大量资本的进入 促使2007年和2008年称为非晶硅大规模应用的元年，也因此导致晶硅和非晶硅的格局将会因此而改变三、薄膜太阳能电池生产厂家概况（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家见下表序号厂家名称（国别）产品类型产能及其他1Fi

21、rSt SOlar（美国）CdTe （碲化镉）2007年产量 200MW年成长率达233%成为全球第五大太阳能电池制 造商，是全球前十大太阳能电池制造 商中唯一专职从事薄膜技术者，也是 美国最大的太阳能电池制造商，非晶 硅领域全球最大的电池或者电池板 公司。产能约210兆瓦，产量165兆瓦截 至2007年年底，产品转换率：2003 年约7%，2006年约9%，2007年底 约 10.5%。2An tec SolarEnergy AG （德国）CdTe （碲化镉）CDTE碲化镉）电池组件产量产能都 是全球第二（仅次于FirSt Solar ）, 非晶硅电池领域全球核心企业之一。2005年产能10

22、兆瓦，产量7.5 兆 瓦;2006年产能还是10兆瓦，产量 7.5兆瓦；2007年产能达到25兆瓦， 当年产量11 兆瓦；2008-2010年 产能预计还是保持25兆瓦，产量逐 步爬升。3ARENDI SRL（意大利）CdTe （碲化镉）2007年产能为15兆瓦，另外有三个FirSt Solar的基地总产能为250MW/4CanrOmPhOtOVOItaiCS（美国）CdTe （碲化镉）碲化镉薄膜太阳电池组件 全球排名第 三，非常小规模的实验生产（1兆瓦 产能）。2007年产能达到5兆瓦，预计2009 年增加到25兆瓦。5CAYXo GMBH（Q-Cell ）（德国）CdTe （碲化镉）200

23、5年产能达到25兆瓦，预计2013年增加到50兆瓦。6PrimeStarSolar（GE En ergy）（美国）CdTe （碲化镉）全体团队成员大约30多人，全 部为资深专家，并且研发了转换率高 达16.5%的组件，下一步预计就是规 模生产，预计2008年会启动20-30 兆瓦的生产线，接着进行更多的扩产， 不过最快预计也需要到2009年才能够投产。7AVA Solar （美国）CdTe （碲化镉）AVA公司拥有技术资本市场丰富 的管理层，同时有一些资本公司的支 持，一期支持了一个3兆瓦的初产项 目（这个项目于2007年9月试产， 无限接近大规模生产的经验），同时在 2007年获得另外一个资

24、本公司的投 资，计划2008年年底之前上200兆 瓦的项目。8WiI rth Solar（德国）CIS （铜铟硒）2006年产能1.4兆瓦，2007年产能14.8兆瓦，2008年产 能25兆瓦。9HOn daSoltec（日本）ClGS（铜铟硒傢）日本最大的CIGS电池组件公司，也 是全球主要的CIGS公司之一。2007年6月投产后的产能是 27.5 兆瓦，暂时没有看到官方的扩产计划。10Global Solar（美国）CIGS（铜铟硒傢）CIGS领域具有不错的地位，从目前 的转换率来看，也是CIGS领域具 有一定地位的公司，而且从业时间 也是比较长的。从转换率来看：德 国 Wi rth So

25、lar 11.50% 全球CIGS 最高，Global Solar 9.8%占据第二，预计2008年产能从2007年的 4.2兆瓦提升到40兆瓦，2009年 进一。11Showa ShellSolar（日本）CIS （铜铟硒）日本第二大的CIGS电池组件公司， 也是全球主要的 CIGS公司之一。2007年7月投产一期工厂20兆瓦产 能,同时开始建设第二期的工厂。12Miasol e>（美国）CIGS（铜铟硒傢）CIGS电池组件组装，2007年生产的电池全部运送中国组 装，暂时没有公告客户情况，不 过预 计初期试验合作客户及欧洲客户为 主。13JohannaSolar （德国）CIGSSe

26、（铜铟傢硫硒）是全球首个CIGSSe电池企业。预计 主要市场是德国市场（超过80%另外 会有20%销售到西班牙、意大利等国 家或者地区。14ASCe ntSoIa （美国）CIGS（铜铟硒傢）美国主要CIGS电池组件企业之一。 2008年初投产首期1.5兆瓦的产 能，同时建设二期25兆瓦的产能， 预计二期产能在2009年年底投产。 主要销售市场是美国和欧洲市场。15ISET（美国）CIGS（铜铟硒傢）产品实验室转换率可以达到13.6%,具有一定的技术实力，但没有公布任何产能及扩产计划。16Uni ted SolarOVOn ic（美国）A-Si/A-SiGe/A-SiGe（以掺锗的三层结 构、

27、以可挠式的不 锈钢金属基板为主 力产品）全球最大非晶硅电池生产企业，只专注于三结。2007年，以48MW的产量成为薄膜 太阳能电池第二大生产商，也是硅 薄膜技术的最大生产商。FY2007宣称其电池效率最高可达13%模组效率最高可达 8.5%。20050701-20060630 财年收入 87.5百万美兀，利润8.6百万美兀，销 量约32兆瓦，三结组件均价 约2.73美元/瓦；2007财年（20060701-20070630）太阳能收入98.4 百万美元，产量 40兆。17KanekaSolartech （日本）a-Si/a-Poly-Si（双结：非晶/非多晶）全球第二大的硅基薄膜电池或者电 池

28、板提供商。2007年以48MW的产量成为薄膜太阳 能电池第三大生产商。主力销售产品是玻璃基板的单层 a-Si的太阳能电池/模组，模组效率 已可达8%2005年电池产能23 兆瓦，2006年电池产能约30兆瓦，2010年产 能扩产到130兆瓦 产量90兆 瓦。18SharP Thi nFiIm（日本）a- Si/ c -Si/a-SiGaAS（三结：非晶/微晶/非晶砷化镓）目前仍多以量产单层a-Si产品 为主，其薄膜主力产品是为a-Si/ C-Si的堆叠式（tandem）产品，2007 年产量21MVy为薄膜太阳能电池厂 商第五大，也是前十大薄膜太阳能电 池厂商中唯一商业化量产销售 a-Si/

29、C-Si堆叠式产品的厂商。2007年年底之前薄膜产能15兆瓦，其中a- Si/ c-Si （双结）12 兆瓦，GaAs3兆瓦,2008年夏普打算 投资220亿日本将薄膜产能提升到 160兆瓦!截至2008年10月）,并且 争取2010年将薄膜产能提升到 1000兆瓦（2010年3月开始投产）。SHARP现在与TEL（合资成立 设备开发公司“东京ELECTRORN” ） 进行大型玻璃基板的生产设备的开 发，目前以开发TriPIe JUnction用 的PECV为主，使用的玻璃基板尺吋 为 1.0mX1.4m19MHI（MitSubiShiHeaVyIn dustries）（日本）a-Si / c

30、 -Si（双结：非晶/微晶）2002年单结10 兆瓦，2007年扩产:非晶/微晶叠层40兆瓦；20Ban gkok Solar（泰国）a-Si Tan dem（叠层非晶）a-Si Tandem薄膜电池全球主流企业之一。2007年产能达到50兆瓦，是产能最大的几个全球性企业之一。同时也是泰国唯个太阳能电 池企业。21SanyO Amort On（日本）a-Si Si ngle（非单晶）三洋从1980年即开展这项业 务，是产品种类最为齐全的企业，由 于这些产品的用量非常少，所以三洋 Amorton 直保持5 兆瓦不动。22SChOtt SolarThin FiIm （德国）a- Si/ c -Si

31、（非晶/微晶）首期一条非晶/微晶生产线33兆 瓦，预计2010年递增一条线达到 66兆瓦。23EPV Solar （美国）a-Si Tan dem（叠层非晶）2007年产能为13.25 兆瓦，2007年6月融资77.5 百万美元 准备在数年内递增85兆瓦产能的 太阳能企业。首期 25兆瓦的产能 计划2008年达到85兆瓦的产能， 届时总产能达到100兆瓦。24CSG Solar （德国）Poly-Si（玻璃衬底上直接 镀多晶硅薄膜）全球唯个 Poly-Si（Crystalli ne Silic on on Glass）薄膜组生产企业。组件转换率为7%左右。2005年开始建设，2006年投产10

32、 兆瓦产能，2007年投产20 兆瓦产。25富士电机（日本）A-Si/A-SiGe（渗锗双层非晶）A-Si/A-SiGe 电池组件转换率8%右，属于溥膜领域专注的企业塑 料衬底（PIaStiC film ）的双结非晶 硅太阳电池，稳定效率 8 %. 2007 年产能12兆瓦，2008年10月达至U 40兆瓦。26ErSOl Thi nFiIm（德国）A-SiSin gle,a- Si/ c -Si（非单晶，非晶/ 微晶）2007 年年底 A-Si Single 薄膜 40兆瓦产能，全球主要的大型公司之。27Moser BaerPhoto Voltaic（印度）a- Si Single（非单晶）

33、首期40MW（另追加565MVy实际投资金额约15亿美元），预计2008年 下半年投产。（二）国内薄膜太阳能电池生产厂家序号厂家名称（地区）产品类别产能及其他1拓日新能源（深圳）a- Si Tandem（叠层非晶）同时生产销售单晶硅、多晶硅、非晶 硅电池；2005年非晶硅电池产量4.6兆瓦（产能6兆瓦），；而2006年非晶硅 电池产量8.73兆瓦（产能10兆瓦）, 2007年保持非晶硅产能10兆瓦，产 量预计9.5兆瓦。国内最大的非晶硅 企业之一。2北京世华（北京）a-Si Tan dem（叠层非晶）2003年成立并旦布进行非晶硅太阳 能生产线的建设，设计产能为10兆 瓦，暂时没有任何生产线投

34、产。3中国建材国际工程（蚌埠）a- Si Tandem（叠层非晶）09年拟定两年内计划上100MW勺薄 膜太阳能电池。4大丰能源科技a- Si Tandem台湾第一家生产太阳能非晶硅电池（台湾竹南）（叠层非晶）的企业，同时也是目前台湾地区薄 膜 电池最大的生产企业。2006年及以 前的产能是3兆瓦，2007年产能 18兆瓦。5天津津能（天津）A-SiTa ndem（叠层非晶）2006年非晶硅电池的产量 2.5 兆 瓦，国内非晶硅领域排名靠前，2007 年产量5兆瓦，国内薄膜仅次于深 圳拓日。6普乐新能源（安徽蚌埠）a- Si Single,Tandem（叠层非单晶）截止2007年11月，大面积

35、已经做 到45W,大面积的初始效率在 6%左 右，稳定效率5.7%。7深圳创益（深圳）A-Si Sin gle（叠层非晶）2006年A-Si Si ngle单结非晶硅电池产量2.5兆瓦，非晶硅领域前 5名 ；A-Si Single 电池 转换率应该在5.0%左右。规划从2006 年到2010 年，分三 期建成拥有年产100至150兆瓦。8深圳日月环（深圳）A- Si Single（叠层非单晶）预计没有电池组件或者电池方面的 产品，主要提供一些下游产品。9黑龙江哈克（哈尔滨）A- Si Single（叠层非单晶）单结非晶硅转换率应该是5%以内。 主要国内销售。预计销售额在 500 万元人民币以内

36、。10新奥集团（河北廊坊）a-Si Tan dem（叠层非晶）到2010年年产非晶硅薄膜太阳能电池500MV，首期50 兆瓦，双结非晶硅（预计转换率6%左右）。11无锡尚德（上海）a-Si / c -Si（非晶/微晶）2008年年底开始投产（产能40兆 瓦），2009年递增产能到50兆瓦， 刚开始的转换率6%左右，米用非晶/ 微晶双结。12绿能科技（台湾桃园）a-SiSi ngle（非单晶）2008年年底30兆瓦，2009年年底50兆瓦。13富阳光电（台湾桃园）a-Si Si ngle（非单晶）2008年第二季度20兆瓦；第三季度40兆瓦，首期2条生产线，每 条产能20兆瓦；计划2009年新增

37、一条达到60兆14宇通光能（台湾台南）a- Si/ c -Si（非晶/微晶）该公司主要以专注研发转换效率大于 8.5% 之双藕合（dual junCtiOn） 非晶/微晶硅薄膜太阳能电池。预估完成设备安装后初期单条 线的产能为60百万瓦15威海蓝星泰瑞光电（威海）a- Si Tandem（叠层非晶）无法参考。16吉富中国投资（山东烟台）a- Si Single（非单晶）50MV（2条线）单结非晶硅（之后 再导入微晶硅设备，升级为双结非晶 硅/微晶硅，产能可增14MW至64Mvy17联相光电a- Si Single25M（ 1条线）单结非晶硅（可以升（台湾台中）（非单晶）级为双结非晶硅/微晶硅生产线32兆瓦），量产时间2008年第一季度（3月份）投产。18旭能光电（台湾台中）a- Si Single（非单晶）25M（ 1条线）单结非晶硅（可以升 级为双结非晶硅/微晶硅生产线32 兆瓦），2008年年中（6-8月份） 投产19强生光电（南通）a-Si Tan dem（叠层非晶）2008年1月投产（公司网站报 道）产能25兆瓦。20源畅光电（常州）a- Si Tandem（叠层非晶）第一条5兆瓦生产线于2007年8月投产，后续增加到31条生产线总计155兆瓦。21赣能华基新能 源（江西）a- Si Tandem（叠层非晶）从事非晶硅光电薄膜电池