哈工大微电子02工艺氧化

1、1第一章 内容总结n硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞 基本参数基本参数n111晶面解理性晶面解理性n硅晶体缺陷硅晶体缺陷 结团作用；缺陷的去除结团作用；缺陷的去除n硅中杂质；硅中杂质；固溶体；固溶体；固溶度固溶度n相图相图n硅单晶片制备硅单晶片制备 多晶硅制备；多晶硅制备；直拉法直拉法原理；提拉速原理；提拉速度；分凝；度；分凝； CZ法熔料中环流形成；法熔料中环流形成；n硅片制备流程；主要晶向、晶型的定位方式硅片制备流程；主要晶向、晶型的定位方式2微电子工艺（微电子工艺（2）-氧化氧化田丽田丽3第第2章章 氧化氧化n2.1 SiO2的结构及性质的结构及性质n2.2 Si

2、O2的掩蔽作用的掩蔽作用n2.3 氧化机理氧化机理n2.4 氧化系统、工艺氧化系统、工艺n2.5 影响氧化速率的各种因素影响氧化速率的各种因素n2.6 杂质再分布杂质再分布n2.7 SiO2/Si界面特性界面特性n2.8 氧化层的检测氧化层的检测42.1 SiO2结构及性质结构及性质n二氧化硅是微电子工艺中采用最多二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。的介质薄膜。 n二氧化硅薄膜的制备方法有：热氧二氧化硅薄膜的制备方法有：热氧化、化学气相淀积、物理法淀积，化、化学气相淀积、物理法淀积，阳极氧化等多种方法。阳极氧化等多种方法。n热氧化是最常用的氧化方法，需要热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗

3、硅衬底，是一种本征氧化法。消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 5用途用途n作为掩蔽膜作为掩蔽膜 在单晶硅定域掺杂时作为掩蔽膜在单晶硅定域掺杂时作为掩蔽膜n作为钝化和保护膜作为钝化和保护膜 在器件或电路的表面，淀在器件或电路的表面，淀积一层积一层SiO2可以保护器件或电路使之免于沾污；可以保护器件或电路使之免于沾污；避免化学腐蚀。避免化学腐蚀。n作为电隔离膜作为电隔离膜 SiO2介电性质良好，集成电路介电性质良好，集成电路元件之间的介质隔离或者多层布线的电隔离膜。元件之间的介质隔离或者多层布线的电隔离膜。n元器件的组成部分元器件的组成部分 做做MOS器件中栅极电极等。器件中栅极电极等。6在在DROM

4、中的应用中的应用7nSiO2结构模型8结构结构热氧化的热氧化的SiO2是非晶态，是四面体网络状结构是非晶态，是四面体网络状结构原子密度原子密度2.2*1022/cm32.271.69理化性质理化性质n密度密度 是是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度致密程度的标志。密度大表示致密程度高，约高，约2-2.2g/cm3；n熔点熔点 石英晶体石英晶体1732,而非晶态的而非晶态的SiO2无熔点，软无熔点，软化点化点1500n电阻率电阻率 与制备方法及所含杂质有关与制备方法及所含杂质有关,高温干氧可达高温干氧可达1016cm,一般在一般在107-1015 cm；n介电性介电性 介电常数介电常数3

5、.9；n介电强度介电强度 100-1000V/m；n折射率折射率 在在1.33-1.37之间；之间；n腐蚀性腐蚀性 只和只和HF酸反应，与强碱反应缓慢。酸反应，与强碱反应缓慢。10SiO2的主要物理性质的主要物理性质 氧化方法密 度(g/cm2)折 射 率(=5460)电 阻 率(cm)介 电 常 数介 电 强 度(106v/cm)干 氧2.242.271.4601.46631015210163.4(10千周)9湿 氧2.182.211.4351.4583.82(1兆周)水 汽2.002.201.4521.462101510173.2(10千周)6.89热分解淀积2.092.151.431.4

6、5107108外延淀积2.31.461.477810143.54(1兆周)56112.2 SiO2的掩蔽作用的掩蔽作用两四面体之间的氧原子称两四面体之间的氧原子称桥键桥键氧原子氧原子，只与一个四面体相联，只与一个四面体相联的氧原子称的氧原子称非桥联氧原子非桥联氧原子PB网络改网络改变者变者网络形成网络形成者者12TEMTEM照片照片单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜透射电子显微镜透射电子显微镜 （Transmission electron microscopy，缩写TEM ）SiO2与与Si之间完美的界面特性是成就硅之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因

7、时代的主要原因130.8 nm栅氧化层栅氧化层离子注入掩蔽离子注入掩蔽隔离工艺隔离工艺互连互连层间层间绝缘绝缘介质介质High K1415杂质在杂质在SiO2中的扩散中的扩散n利用相同情况下，硼、磷等常用杂质在利用相同情况下，硼、磷等常用杂质在SiO2中的扩散速度远小于在硅中扩散速度，中的扩散速度远小于在硅中扩散速度，SiO2层对这些杂质起到层对这些杂质起到“掩蔽掩蔽”作用。作用。n镓和钠等碱金属扩散在镓和钠等碱金属扩散在SiO2扩散速度快，扩散速度快， SiO2层对这些杂质起不到层对这些杂质起不到“掩蔽掩蔽”作用。作用。n杂质杂质SiO2中在扩散系数：中在扩散系数： DSiO2=D0exp(

8、-E/kT)16SiO2掩蔽层厚度的确定掩蔽层厚度的确定n掩蔽条件掩蔽条件:nDSiDSiO2nSiO2表面杂质浓表面杂质浓度度/SiO2-Si界面界面杂质浓度杂质浓度103tD.xSiO264min17SiO2作为掩蔽膜的作为掩蔽膜的P扩散扩散n当当P2O5与与SiO2接接触时，触时，SiO2 就就转变为含转变为含磷玻璃体磷玻璃体182.3 热氧化机理热氧化机理n热氧化是在热氧化是在Si/SiO2界面进行，通过扩散和化学反应实界面进行，通过扩散和化学反应实现。现。O2或或H2O，在生成的二氧化硅内扩散，到达，在生成的二氧化硅内扩散，到达Si/SiO2界面后再与界面后再与Si反应，反应， O2

9、+Si SiO2；H2O+Si SiO2+H2 ，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。n生长生长1m厚厚SiO2 约消耗约消耗0.44m 厚的硅厚的硅222244. 0105102 . 22222SiOSiOSiOSiSiOSidddnnd19 SiO2生长动力学气体中扩散气体中扩散固体中扩散固体中扩散SiO2 形成形成SiO2Si衬底气流滞流层氧化剂流动方向(如 O2或 H2O）20DealGrove模型硅的热氧化模型nDealGrove模型（线性抛物线模型）(linear-parabolic model)可以用固体理论解释的一维平面生长氧化硅的模型。n

10、适用于：n氧化温度7001200 oC；n局部压强0.125个大气压；n氧化层厚度为202000 nm的水汽和干法氧化21热氧化动力学热氧化动力学（迪尔（迪尔-格罗夫模型）格罗夫模型）n气体质量输运气体质量输运: F1=hg(Cg-Cs)n溶解：由亨利定理溶解：由亨利定理-固体内的固体内的杂质浓度正比与固体表面上杂质浓度正比与固体表面上气相中该杂质的分压。气相中该杂质的分压。 Co=HPs ; C*=HPgn由气体状态方程由气体状态方程 Cg=Pg/kT; Cs=Ps/kTpgpsF1F2F3SiO2Si-0 xCgCsCoCi主流主流气体气体粘滞层粘滞层O2x022D-G模型模型 F1=h

11、(C*-Co)；h=hg / HkTn固相扩散：固相扩散：n化学反应：化学反应：n热氧化是在氧化剂气氛下进行：热氧化是在氧化剂气氛下进行：O2流密度不流密度不变，即准平衡态稳定生长：变，即准平衡态稳定生长： F1=F2=F3oioxCCDxCDF0SiOSiO222isCkF 323两种极限形式两种极限形式2SiO*1DxkhkCCossi2SiO*11DxkhkCDxkCossoso气体气体C0SiO2Siks0DSiO20Cx扩散控制：扩散控制：DSiO2 0， Ci 0， Co C *反应控制：反应控制：ks 0， Ci Co= C */（1+ks/h）Ci24热氧化生长速率热氧化生长速

12、率DxkhkCkdtdxNFosssoO1*32BAxxNCDBhkDAiiOs)(2)11(22*SiOSiO222氧化时间长，扩散控制阶段氧化时间长，扩散控制阶段: t, t A2/4B氧化时间很短氧化时间很短，反应控制阶段反应控制阶段: (t+ ) A2/4B1412)(22B/AtAxtBAxxooo)(tABx)B(txoo2初始条件：初始条件：xo=xi抛物线速率常数抛物线速率常数线性速率常数线性速率常数25实测值实测值n在两种极在两种极限情况下：限情况下：长时间氧长时间氧化化或或氧化氧化时间很短，时间很短，实测值和实测值和计算值吻计算值吻合。合。262.4 热氧化系统、工艺热氧化

13、系统、工艺n氧化系统由四部分组成：氧化系统由四部分组成：n气源柜气源柜n炉体柜炉体柜n装片台装片台n计算机控制系统计算机控制系统27氧化炉氧化炉28氧化扩散原理图氧化扩散原理图29工艺工艺n干氧干氧 O2+Si SiO2n湿氧湿氧 H2O（O2）+Si SiO2+H2n水汽水汽 （H2+O2）+Si SiO2+H2n掩膜氧化（厚氧化层）掩膜氧化（厚氧化层） 干氧干氧-湿氧湿氧-干氧干氧n薄层氧化（薄层氧化（MOS栅）栅） n干氧干氧 n掺氯氧化掺氯氧化 900-1200900-1200900-120030热氧化方法比较热氧化方法比较n干氧氧化：干氧氧化：氧化膜致密性最好，针孔密度小，氧化膜致密

14、性最好，针孔密度小，薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢；薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢；n湿氧氧化：湿氧氧化：氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，二氧化硅生长速率也就越快；二氧化硅生长速率也就越快；n水蒸汽氧化：水蒸汽氧化：在三种热氧化方法中氧化膜致密在三种热氧化方法中氧化膜致密性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻难，浮胶。但是，生长速率最快。难，浮

15、胶。但是，生长速率最快。31氧化方式氧化温度（）生长速率常数（m2/min）生长0.5微米SiO2所需时间（min）SiO2的密度（g/mm）备注干氧10001.4810-418002.2712006.210-43602.15湿氧100038.510-4632.21水浴温度951200117.510-4222.12水汽100043.510-4582.08水汽发生器水温102120013310-4182.05三种热生长方法及三种热生长方法及SiO2薄膜特性的比较薄膜特性的比较 32SiO2 生长方法特点主要用途1热生长设备简单，操作方便，SiO2 薄膜较致密。采用湿氧干氧交替方法，可获得既厚又较

16、致密的层。缺点：氧化需在高温（10001200下进行，容易引起P-N结特性退化。广泛用于硅外延平面晶体管、双极型集成电路、MOS集成电路生产，作为选择扩散的掩蔽膜，作为器件表面和P-N结的钝化膜以及集成电路的隔离介质，绝缘介质等。2热分解淀积SiO2 直接淀积在Si衬底表面，不与硅片本身反应。淀积温度（700800）较低，对P-N结特性影响不大，可对任意衬底进行淀积。设备也较简单。容易得到厚的SiO2层。缺点：形成的SiO2层质地不如热生长的致密。用于大功率晶体管和半导体集成电路的辅助氧化，避免针孔的不良影响，作为半导体微波器件等的表面钝化膜。3阴极溅射Si衬底温度低（一般在200左右），可对

17、任意衬底淀积。缺点：生长速率慢周期长，例如生长3000埃SiO2膜一般要812小时。生成SiO2不如热生长的致密。用于不宜进行高温处理的器件淀积表面钝化膜，如硅整流器和可控硅等。用作某些半导体器件的电绝缘介质。4HF-HNO3气相钝化反应温度低（室温），工艺和设备简单，生成膜比阴极溅射的完整、致密。缺点：生产周期长。用于不宜进行高温处理的器件生长钝化膜。如硅整流器和可控硅，高反压硅台面管等面结型器件。5真空蒸发Si衬底所处温度较低（在400恒温10min后降至200蒸发）。可对任意衬底蒸发。SiO2膜较均匀，生长速度快。缺点：SiO2质地不够完整，设备较复杂。用于制作半导体器件的电绝缘介质。6

18、外延淀积Si衬底不参加反应。膜的质量较好。淀积速度较低快：连续生长，可得到厚的膜。缺点：生长温度高（11201150），设备较复杂。用于高频线性集成电路和超高速数字集成电路中制作介质隔离槽。7阳极氧化反应温度低（室温），在外加电压和时间不变时，或以猁厚度比较一致的SiO2薄层。缺点：SiO2结构疏松，多孔，不完整。用于扩散杂质分布的测定。用于采用浅扩散的硅器件的结深测定。各种氧化方法比较各种氧化方法比较33薄层氧化薄层氧化nD-G模型对模型对30nm以以下的干氧氧化不准。下的干氧氧化不准。n自然氧化物不是连自然氧化物不是连续生长而是阶段的续生长而是阶段的生长。轻掺杂生长。轻掺杂0.8nm;重掺

19、杂重掺杂1.3nm。n初始氧化阶段的氧初始氧化阶段的氧化机制仍是日前研化机制仍是日前研究热点。究热点。23nm34掺氯氧化掺氯氧化 n钝化可动离子，尤其是钠离子；钝化可动离子，尤其是钠离子；n减少减少SiO2中缺陷，提高了氧化层的抗击穿能力；中缺陷，提高了氧化层的抗击穿能力；n降低了界面态密度和表面固定电荷密度；降低了界面态密度和表面固定电荷密度；n减少了氧化导致的堆垛层错，增加了氧化层下面减少了氧化导致的堆垛层错，增加了氧化层下面硅中少数载流子的寿命。硅中少数载流子的寿命。n氯气有毒，对管路有腐蚀，氯气有毒，对管路有腐蚀，HCl对硅有腐蚀。对硅有腐蚀。氯的掺入可改善氯的掺入可改善SiO2 层

20、和层和 SiO2 /Si界面的性质界面的性质35掺氯氧化掺氯氧化362.5 影响氧化速率因素影响氧化速率因素n氧化剂氧化剂 溶解度、扩散速率、化学反应速率。溶解度、扩散速率、化学反应速率。n温度温度 影响很大，影响很大， H, h,D,ks都与温度有关。都与温度有关。n气体分压气体分压 提高反应器内氧气或水汽的分压能提高提高反应器内氧气或水汽的分压能提高线性氧化速率。有高压氧化和低压氧化技术。线性氧化速率。有高压氧化和低压氧化技术。n硅晶向硅晶向 对氧化速率略有不同，（对氧化速率略有不同，（111）晶向速率）晶向速率最快，（最快，（100）晶向速率最慢。）晶向速率最慢。n掺杂掺杂 掺杂浓度越高

21、氧化速率越快，将此现象称为掺杂浓度越高氧化速率越快，将此现象称为增强氧化增强氧化。37温度对氧化速率的影响温度对氧化速率的影响38气体分压对氧化速率的影响气体分压对氧化速率的影响n氧化剂分压氧化剂分压Pg是通过是通过C*对对B产生影产生影响：响：BPgPggOsHPCNCDBhkDA222*SiOSiO2)11(239氧化增强氧化增强n线性和抛物型氧线性和抛物型氧化速率常数对存化速率常数对存在于氧化剂中或在于氧化剂中或存在于硅衬底中存在于硅衬底中的杂质敏感。的杂质敏感。n磷磷在较低温度增在较低温度增强氧化明显，而强氧化明显，而硼硼在低温时增强在低温时增强氧化不明显，高氧化不明显，高温明显。温明

22、显。钠钠、水水汽、氯汽、氯都能显著都能显著提高氧化速率。提高氧化速率。 402.6 杂质再分布杂质再分布由四方面因素决定：由四方面因素决定：n杂质的分凝现象；杂质的分凝现象；n杂质在杂质在SiO2表面逸出；表面逸出；n杂质在杂质在SiO2、Si中的扩散系数；中的扩散系数；n界面移动（氧化速率）界面移动（氧化速率） 。分凝分凝逸出逸出扩散扩散界面界面移动移动41SiO2/Si界面杂质分凝现象界面杂质分凝现象nm1，在，在SiO2/Si界面杂质向界面杂质向Si内扩散，内扩散，Si面杂质面杂质浓度高，浓度高，堆积堆积。P mp= 10， As mAs=10，Ga mGa=20。2mSiOSiCC分凝

23、现象指杂质在指杂质在SiO2和和Si中平衡浓度不同的中平衡浓度不同的现象。现象。分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数：分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数：nm1，在，在SiO2/Si界面杂质向界面杂质向Si内扩散，内扩散，Si面杂质面杂质浓度高，浓度高，堆积堆积。P mp= 10， As mAs=10，Ga mGa=20。2mSiOSiCC分凝现象指杂质在指杂质在SiO2和和Si中平衡浓度不同的中平衡浓度不同的现象。现象。分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数：分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数：42扩散速率扩散速率n杂质在二氧化硅和硅中扩散速率不同，杂质在二氧化硅和硅中扩散速率不同，热氧化时，将引起热氧化

24、时，将引起SiO2/Si界面杂质再界面杂质再分布。扩散系数分布。扩散系数D是描述杂质扩散快慢是描述杂质扩散快慢的一个参数。的一个参数。n如果有：如果有：DSi DSiO2，m1硅杂质耗竭硅杂质耗竭更严重。更严重。43杂质在杂质在SiO2/Si界面分布界面分布SiO2/ SiSiO2/ SiSiO2/ SiSiO2/ Sim1杂质在硅杂质在硅一侧堆积一侧堆积44温度、氧化剂对界面杂质浓度再分布影响温度、氧化剂对界面杂质浓度再分布影响CS/CB热氧化后硅中磷的表面浓度热氧化后硅中硼的表面浓度CB/Cs45掺杂对氧化速率的影响900 C时干氧氧化速率随表面磷浓度的变化。反应速率限制情况。n：反应速率

25、反应速率限制，限制，B/A起起主要作用，氧化速率取决于主要作用，氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度硅表面的掺杂浓度462.7 SiO2/Si界面特性界面特性* * * * * * * * * *界面陷阱电荷界面陷阱电荷 QitSiO2Si+ + + + + + + + + +氧化层固定电荷氧化层固定电荷 Qf氧化层陷阱电荷氧化层陷阱电荷 Qot+ + + + - - - - - 可动离子电荷可动离子电荷 QmK+Na+47可动离子电荷（可动离子电荷（Qm ）n可动离子电荷（可动离子电荷（Qm）-在二氧化硅中都是网络改变在二氧化硅中都是网络改变者存在、荷正电的碱金属离子杂质，主要是者存在、荷正电的碱

26、金属离子杂质，主要是Na+、K+、H+ 等。等。n其中主要是其中主要是Na+。在人体与环境中大量存在。在人体与环境中大量存在Na+，热氧，热氧化时容易发生化时容易发生Na+沾污。沾污。n降低方法降低方法 加强工艺卫生方可以避免加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯氧沾污；也可采用掺氯氧化，固定化，固定Na+离子；高纯试剂。离子；高纯试剂。48偏温实验（偏温实验（BT）n对对MOS电容进行电容进行C-V测试测试；n在栅极上加约在栅极上加约1MV/cm的正向（反向）偏压，的正向（反向）偏压，同时加热到同时加热到200-300，l0-30min，确保可动离，确保可动离子都到达子都到达SiO2

27、/Si界面；界面；n保持偏压冷却至室温，保持偏压冷却至室温，再测再测C-V 。nV=Nm/qCox+V49固定离子固定离子Qf（电荷）（电荷）n主要是氧空位，极性不随表面势和时间的变化而主要是氧空位，极性不随表面势和时间的变化而变化变化-固定离子电荷固定离子电荷Qfn存在机理存在机理-一般认为固定电荷与界面一个很薄的一般认为固定电荷与界面一个很薄的（约（约30）过渡区有关，过渡区有过剩的硅离子，）过渡区有关，过渡区有过剩的硅离子，过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但未与氧完过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但未与氧完全反应。全反应。n降低方法降低方法 （1）干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。）

28、干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。热氧化时，首先采用干氧氧化方法可以减小这一热氧化时，首先采用干氧氧化方法可以减小这一现象。现象。 （2）氧化后，高温惰性气体中退火也能降低固）氧化后，高温惰性气体中退火也能降低固定电荷。定电荷。50界面陷阱电荷界面陷阱电荷Qitn界面态（界面陷阱电荷）界面态（界面陷阱电荷）Qit是能量处于硅禁带中、是能量处于硅禁带中、可以与价带或导带交换可以与价带或导带交换电荷的陷阱能级或电荷电荷的陷阱能级或电荷状态。状态。n与衬底晶向、氧化条件与衬底晶向、氧化条件和退火条件密切有关。和退火条件密切有关。 (111) 最高，最高，(100) 最最低。低。n降低方法降低方法

29、-在金属化后在金属化后退火（退火（PMA）；低温、）；低温、惰性气体退火可降低。惰性气体退火可降低。51氧化层陷阱电荷氧化层陷阱电荷Qotn存在于存在于SiO2中和中和Si-SiO2界面附近，陷阱界面附近，陷阱俘获电子或空穴后分别荷负电或正电。俘获电子或空穴后分别荷负电或正电。n产生方式主要有电离辐射和热电子注入。产生方式主要有电离辐射和热电子注入。n降低方法降低方法-选择适当的氧化工艺条件；选择适当的氧化工艺条件；在惰性气体中进行低温退火；采用对辐在惰性气体中进行低温退火；采用对辐照不灵敏的钝化层可降低。照不灵敏的钝化层可降低。52氧化诱生堆垛层错（氧化诱生堆垛层错（OSF）界面硅侧有大量界

30、面硅侧有大量自填隙硅自填隙硅原子，原子，这些点缺陷这些点缺陷结团结团形成堆垛层错，形成堆垛层错，一般位于一般位于111面中。面中。Si腐蚀后，显露的腐蚀后，显露的OSF，继，继续腐蚀将显露更多缺陷续腐蚀将显露更多缺陷53n一般要求：表面无斑点，裂纹，白雾，发花和针孔等毛病；n主要为表面观察和厚度测量2.8 氧化层检测氧化层检测542.8 氧化层检测氧化层检测n镜检：外观颜色均匀性，有无裂纹等镜检：外观颜色均匀性，有无裂纹等n厚度：光学方法、探针轮廓仪等厚度：光学方法、探针轮廓仪等n针孔密度：腐蚀法、铜缀法针孔密度：腐蚀法、铜缀法n电荷面密度：电荷面密度：C-V法法55（）双光干涉法n原理：利用测定氧化层台阶上的干涉条纹数目求氧化层厚度的双光干涉法。当用单色先垂直照射氧化层表面时，由于是透明介质，所以入射光将分别在表面和硅界面处反射。n设备：一台单色光源（一般采用纳光灯）和一台普通的干涉显微镜。n测量方法：n试片（陪片）表面涂一小滴黑胶，然后在HF中未被保护的腐蚀掉，丙酮除去黑胶，这样在硅片表面出现一个台阶。用干涉显微镜观察表面时，在台阶处就出现的明暗相同的干涉条纹，根据干涉条纹数目，可计算出的氧化层厚度 n一般从一个最亮到相邻的一个最亮条（或最暗条到相邻的另一个最暗条）就算一个干涉条纹。而从最暗到相邻最亮条则可算为半根。56（a） （b）