常用半导体器件选择复习题

1、第4章常用半导体器件-选择复习题1 .半导体的特性不包括 。A.遗传性 B.光敏性C.掺杂性D. 热敏性 2.半导体中少数载流子在内电场作用下有规那么的运动称为A.漂移运动B.扩散运动C.3 . N型半导体中的多数载流子是 。A.自由电子 B.电子C.4. P型半导体中的多数载流子是 _A.空穴B.5 .本征半导体中掺微量三价元素后成为A.P 型 B.N6. 本征半导体中掺微量五价元素后成为A. N型7. 在PN结中由于浓度的差异， 是有序运动空穴D.OD.同步运动光子O电子C.自由电子 D.半导体。型C.复合型D.导电型半导体。型 C.复合型D.导电型光子B. P空穴和电子都要从浓度高的地方

2、向浓度低的地方运动，这就漂移运动再封装起来，B. 三极管9.当外电场与内电场方向相同时，阻挡层A.变厚 B. 变薄10 .当外电场与内电场方向相反时，阻挡层A.变薄 B. 变厚11 . PN结的根本特性是。A.单向导电性 B. 半导性 C.电流放大性D. 绝缘性12 .晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构_A.截止区 B. 发射区 C. 基区 D.集电区13 .稳压二极管一般要串 进行工作，以限制过大的电流。A电阻 B 电容A.扩散运动&将一个PN结两端各加一条引线,A.二极管B.C.有序运动 D.同步运动 就成为一只C.电子管14 .下列图电路中，设硅二极管

3、管的正向压降为A. 0V B . 3VD.晶闸管 电子不容易通过。变为导流层，电子容易通过。C. 消失 D.变为导流层 ?C. 消失 D.电感 D 电源0V,C那么Y=.10V D . 1.5V+10V15 .下列图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V,那么A. 0V B . 3V CY=.10V D . 1.5V16 .下列图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V,那么 Y 。A. 3V B . 0 V C . 10V D . 1.5V17.F图电路中,y+10V设硅二极管管的正向压降为0V,那么Y= 。A. 0V B . 3V C . 10V D . 1.5V-10V18.F图电路中,设硅二

4、极管管的正向压降为A. 3V B . 0V0V,贝 y Y= _C . 10VOD . 1.5V19.F图电路中,设硅二极管管的正向压降为A. 3 V B . 0V0V,贝 y Y= _C . 10Vo.1.5V-10V20 三极管各极对公共端电位如下图，那么处于放大状态的硅三极管是2VJ-JVUCe近似等于电源电压UCc, Ic21在单管固定偏置共射极放大电路中，假设测得三极管的静态管压降近似等于零时，那么该管的工作状态为 。A.截止B. 饱和C.放大 D.不能确定22 .在单管固定偏置共射极放大电路中，假设测得三极管的静态管压降UCe近似等于0, Ic近似等于UWR：,那么该管的工作状态为

5、 。A.饱和 B.截止C.放大 D.不能确定23 .在如下图的稳压电路中，稳压管 D与D相同，其稳压值 UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0 为。i=18VA. 6V B. 4.6V C. 5.3V D. 1.4V24 在如下图的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值 Lt=5.3V、U0为+ i>% 18VA. 10.6V25 在如下图的稳压电路中，稳压管U0为A. 1.4V26 .在如下图的稳压电路中，稳压管U0为正向压降0.7V ,输出电B. 1.4V C. 5.3V D. 0VDi与D2相同，其稳压值 UZ=5.3V、tfi=18VB. 4.6V C. 5.3V D

6、. 6VD1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、o+P；=iSVo-A. 0.7V B. 4.6V C. 1.4V D. 6V27 在如下图的稳压电路中，稳压管Di与D2相同，其稳压值U0为正向压降正向压降UZ=5.3V、正向压降0.7V ,0.7V ,输出电输出电0.7V，输出电叩siro-A. 5.3V B. 4.6V C. 1.4 V28 二极管的用途不包括A.放大 B. 钳位C.29 .工作在放大状态的 NPN极管，其发射结电压A. U be>0 , Ubc<030 .在如下图的二极管电路中，D. 6V整流保护 D.UBE和集电结电压 UBC应为B. U be>0 ,

7、 Ubc>0 C. Ube<0, U bc<0 D. U be<0 , Ubc>0二极管D i导通；D 2截止。设二极管正向压降为0V,那么U AB为B .12C . 15 D.2715V31.晶体三极管工作在截止区的特点是_A .发射结和集电结均反偏 C .集电结正偏，发射结反偏32 .晶体三极管工作在饱和区的特点是 A .发射结和集电结均正偏C .集电结正偏，发射结反偏33 晶体三极管工作在放大区的特点是_A.集电结反偏，发射结正偏 C.集电结正偏，发射结反偏34 .适宜在低频电路工作的二极管是A.面接触二极管35 .适合在高频电路工作的二极管是A .点触型二

8、极管B .发射结和集电结均正偏D.集电结反偏，发射结正偏B.发射结和集电结均反偏D .集电结反偏，发射结正偏B .发射结和集电结均反偏 发射结和集电结均正偏OB.点接触二极管C .随便哪种均可36 .稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，OB .面触型二极管在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化C 随便哪种均可A .很小B .很大37 .某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：A .锗NPN管 B锗PNP管38 .某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：A.硅NPN管B .锗NPN管39 某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：A .锗PNP管B .锗NPN管40 某放大器中晶体三极管三个

9、极的电位分别是：A .硅PNP管B .锗NPN管41. 适宜在低频工作的二极管是 A.面接触二极管42. 适合在高频工作的二极管是 A.点触型二极管43. 在图示电路中，UZ1=2V, UZ2=5V,A. 744.在图示电路中，UZi=2V, UZ2=5V,A. 5.7C .不会变D .不定2V, 1.8V , 9V。那么可以判断此三极管为C .硅PNP管2V, 1.3V , 5V。C .硅 PNP 管D .硅NPN管那么可以判断此三极管为:D .锗PNP管-2V , -1.8V , -5V。那么可以判断此三极管为:C .硅PNP管 D .硅NPN管-2V , -1.3V , -5V。那么可以

10、判断此三极管为:C .锗PNP管 D .硅NPN管B.点接触二极管C.随便哪种均可C.随便哪种均可正向导通时UD= 0.7V，其输出电压为 B. 2.7 C. 5.7 D. 3.7B.面触型二极管10V正向导通时 UD= 0.7V，其输出电压为B. 7 C. 2.7 D. 3.7V。45.在图示电路中，UZi=2V, UZ2=5V,正向导通时 UD= 0.7V，其输出电压为 V。A. 2.7 B. 7 C. 5.7 D. 3.746.稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化 A.很小B.很大C.不会变D.不定47电路如下图，二极管正向导通时Ud = 0.7V，输出的电压应为:A. 0.7 B. 4.7 C. 3.3 D. 1248.图示电路中,Ub为稳压管的稳压值为Uzi=2V , Uz2=5V，稳压管正向导通时Ud = 0.7V，那么输出电压A. 2 B. 7 C. 5 D. 0.710V49 .图示电路中,Ub为稳压管的稳压值为Uzi=2V , Uz2=5V，稳压管正向导通时Ud = 0.7V，那么输出电压A. 0.7B. 7C. 5 D. 210VZS!率50