模拟电子技术题库答案

1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章半导体器件、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子 ，少数载流子应是空穴 。2、在N型半导体中，电子浓度 大于空穴浓度,而在P型半导体中，电子浓度 小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和 区、放大区、截止区。5、场效应管分为两大类：一类称为 结型场效应管,另一类称为绝缘栅场效应管。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接 N区，电源的负极接P区，这种接法称 为 反向接法或 反向偏置。7、半导体二极管的基本特性是单向

2、导电性 ，在电路中可以起_整流禾口 检波 等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为 _NPN型和 PNP 型两种.它们的符号分别为 和。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。10、硅二极管的死区电压约为 _0.5 V,错二极管的死区电压约为_0.1 M11、晶体管穿透电流I ceo是反向饱 和电流Icbo的 J+B侪，在选用晶体管的时候，一般希望Icbo尽量 /、。gm12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导 。13、PN结具有一单向导电_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是 集电结禾口 发射结<15、为了保证三极管工作在放大区，应使

3、发射结F向偏置、集电路 反向 偏置。16、场效应管是电压 控制型元件、而双极型三极管是电流控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载 流子应是电子 。18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接 P区，电源的负极接N区，这种接法称 为正向接法 或正向偏置。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极， 分别J是 集电极> 发射 极_禾口极。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加上向电压；（2）集电结外加反向电压。22、N型半导体可用 正离子和等量的负电子来简化表示。23、PN

4、结正向偏置时，空间电荷区将变窄。24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极、二极管的符号是025、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会左 移、输出特性曲线会 移，而且输出特性曲线之间的间隔将 .增大。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是温度。27、P型半导体可用!离子和等量的 空穴来简化表示。28、主要半导体材料是®不口错 ；两种载流子是 空穴和电子 ;两种杂质半导体是 P型 和 N型 29、二极管外加 正 向电压导通、外加 反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数B会 变大 、Icbo会 增加,导通电压会 变小。31、双极型三极管有两种载流子导电，即多数载流子和 少数载流

5、子 导电、而单极型三极管只有一种载流子导电，即多数载流子导电。32、N型半导体的多数载流子是电子 ，少数载流子是一空穴。33、某晶体管的极限参数PCm 150mW , Icm 100mA, U（br）ce0 30V。若它的工作电压Uce 10V ,则工作电流不得超过15 mA;若工作电压Uce 1V ,则工作电流不得超过100 mA;若工作电流IC 1mA,则工作电压不得超过 30 V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 Va=-9V, Vb = 6.2V, Vc=6V,则该三极管是 PNP 型三极管，A为集电极,B为基极,C为发射极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是。

6、36、场效应管输出特性的三个区域分别是 ®流 区、:可变电阻K、_夹断 Ko37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为 本征半导体。38、场效应管与晶体管比较，一场效应 管的热稳定好，输入电阻高，.晶 体 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是 发射区> 基区 f 口_集电区。、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏 导通状态。A. 0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ）

7、, 若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ）,若集电结和发射结 均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。A.截止 B.放大C.饱和D.损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 （B ）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电， 而场效应管所导电过程仅仅取决于（A ）的流动。A.多子B.少子C.自由电子D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为Uc （A ） Ub （A ） UeA.>B.<C. =D.<7、对二极

8、管正向电阻rz和反向电阻上的要求是（ C ）A.外rF都大B.亚、年都小C . rz很小，"很大D . rz大，"小8、稳压二极管动态电阻rz （ B ）,稳压性能愈好。A.愈大B.愈小C.为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.无法确定10.结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D ）A.自给偏压电路B.外加偏压电路C.无须偏置电路D.栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ）,而少数载流子 的浓度与（B ）有很大关系。A.温度 B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷12、场效

9、应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化 h参数来分析, 则可认为是（C ）控制型器件。A.电荷B.电压C.电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。A.左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。A.变窄B.基本不变C.变宽D.先变窄，后变宽16、 在250C时，某二极管的死区电压 Uth = 0.5V,反向饱和电流Is=0.1pA, 则在350C时，下列哪组

10、数据可能正确：（ D ）。AUth= 0.575V,Is=0.05pABUth0.575V,Is=0.2pACUth= 0.475V,Is=0.05pADUth = 0.475V,Is=0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP） 与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ） oA.测试各极间电阻B.测试各极间、对地电压C.测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最高工作频率 fM时会损坏。（X ）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（ X ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温 度稳定性好等优点。（V ）

11、4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ X ）5、有人测得晶体管在Ube=0.6V时，Ib=5 A,因此认为在此工作点上的 心大约 为空mv 5.2K 。IB6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放 大作用。（V ）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（X ）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（V ）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ X ）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ X ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ V ）12、由于PN结

12、交界面两边存在电位差，所以当把 PN结两端短路时，就有电流 流过。（X ）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向 击穿特性。（X ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ X ）15、有人测试晶体管的% ,方法是通过测得晶体管的Ube 0.7, Ib 20 mA,推算出be u BE /1B 0.7V/20mA 35K。（ X ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极（e或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材

13、料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a饱和；b.放大；c.截止；d损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为 0.7V, 试计算Ux和Uy的值（共9分）+10VR+10V2RUy3ED Ux1 2R芥D。Ux11 R(a)答案：(a)D正偏导通,10 0.7I=3R10 0.7Ux 2RI= =6.2V 3Uy 6.2 0.7 6.9V(b)D仅偏截止I=0UX =0Uy=10

14、V(b)4、如下图，设硅稳压管Vdzi、Vdz2的稳压值分别为6V和9V,求Uo为多少?（共3分）1KUy-9 -VD2 7S?VD1 ZSiO20V答：U0=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0or-FD门门3k*3V .D导通，U0 3V6、判断下列电路能否放大电压信号。(设图中所有电容对交流信号视为短路)(9分)都不能放大电压信号(a)输入交流短路(b)无直流基极偏压(c)输入交流短路7、如下图，设硅稳压管Vdzi、Vdz2的稳压值分别为6V和9V,稳压管的正向压降为0.7V,试写出输出电压Uo为多少？(共8分)R1K25V VDZlZ! r

15、，VDZ2U0 0.7V (b)RIh1K25V VDZ1 本 7RVDZ2(c) Uo 6.7VUo(d)6VUo= ?(a) D 导通 Uo 6V(b) D 截止 Uo 12VVOD1D212V(c) D1导通D2截止U0=0V(d) D2先导通D1截止U 0 =-3V8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出模拟电子技术试题汇编第二章放大电路原理、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，共集 组态带负载能力强、 共基组态频率响应好，共射组态有倒相作用，共集 组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的 对数增益等于其各级对数增益的 2a。3、BJT放大电路的三种组

16、态是共射、 共基: 共集4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是温度变化5、三极管 共集 组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法,就是 图解法?口微变等效电路法07、共集电极放大电路又称为射极输出器或射随器8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即阻容放合、 直接耦合 变压器耦合。9、放大电路的三种基本组态中，一共射组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，共集只具有电流放大能力，共基组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_K的控制；所谓放大作用，具放大的对象是变化量。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受温度 的影响而发生波动，导致放

17、大电路的静态工作点不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为零点漂移0二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称 Q点），下列说法中不正确的是（D ）。A. Q点过高会产生饱和失真B. Q点过低会产生截止失真C.导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D. Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是B 电路。A.共发射极 B.共集电极C .共基极 D .不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ D ）。A.共射电路B.共集电路C.共源电路 D.共基电路4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的

18、放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B ） oA.输入电阻大 B .输入电阻小 C .输出电阻大 D.输出电阻小5、多极放大电路的增益人是（B ）、输入电阻R是（A ）、输出电阻Ro是（C ）。A.由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入3K的负载电阻的输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为（C ）A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。A.环境温度变化引起参数变化B .放大倍数太大C.晶体管的噪声太大D

19、.外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C ）。（2）要求能放大直流信号，可选用（B ）。(3)要求能放大高频交流信号，可选用 (A,B )。(4)要求电路的温漂小，可选用(A,C )。(5)为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用( C )A.阻容耦合B .直接耦合9、用微变等效电路法分析放大电路( BA.只能分析静态工作点B.C.既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是(大电压的电路是(C )。A.共基放大电路 B .共集放大电路C .变压器耦合)只能分析动态参数B )

20、;既能放大电流，又能放C .共射放大电路的变化情况，选择正确答案填入空格(1) Rb减小时，输入电阻Ri _ B11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能-7 -(2) Rc增大时，输出电阻Ro A(3)信号源内阻Rs增大时，输入电阻R CAu(4)信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数UoUs(5)负载电阻Rl增大时，电压放大倍数Au(6)负载电阻Rl减小时，输出电阻Ro C_;(7) 若Rb减小，则静态的Ib将A,UCEQ将B、电压放大倍数UoUi(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的Ib将 C 。Rb增大时,U CEQ 将 _A_。(10)Rc增大时,U CE

21、Q 将 B 0(11)Rs增大时,(12)Rl增大时,U CEQ 将 C OA.增大B.减小C.12、由NPNft体管组成的基本放大电路，如图:输出电压波形出现了顶部削平的失真，则:(1)这种失真是BA.饱和失真B. 截止失真 C.交越失真D.频率失真。(2)为了消除这种失真，应 DA.减小集电极电阻Rc B.改换 小的管子C.增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压VCC。13、由PNP®体管组成的基本放大电路，如图:电压波形出现了顶部削平的失真：则(1)这种失真是AA.饱和失真B.截止失真C 交越失真 D频率失真。(2)为了消除这种失真，应A, B, CA

22、.减小集电极电阻Rc B.改换 小的管子C增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压VCC。14、如下图，选择正确答案填空(1)要使静态工作电流Ic减小，则Rb2应_A一。(2) &2在适当范围内增大，则| Au|B , R_A一，Ro_C (3) Re在适当范围内增大，则| Au|C Ri_C,RoC。(4) 从输出端开路，到接上 Rl ,静态工作点将_C U。B(设 静态工作点偏低)(5) Vcc减小时，直流负载线斜率_C(6) Rc减小时，直流负载线斜率 A A.增大 B. 减小C. 不变(7)若Vcc=10V, % =4 K , Rb2 =6K , Re =

23、3.3 K , Rc =2K , C1、C2 足 够大，设U be 0.7V则：Vi=0 ,管压降U CE大约是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V)使管子印由50改为100,则Au|是 A1(A.约为原来的2倍B.约为原来的2 C.基本不变D约为原来的4倍)保持 二50不变，将Re由3.3 K 改为6.6 K ，则| Au | C 。1(A约为原来的2倍 B约为原来的2 C 基本不变1D约为原来的4倍 E约为原来的4 )15、两级放大电路Au1=-40,入2=-50,若输入电压ui 5mV,则输出电压uo为_CA . -200mV B.-250mV C.10V D.100V

24、三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号(能放大的M不能正常放大的画公)。2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管 晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。+2V+ 12V+ 10.75VO-7+3V(b)+ 10.3VJ+ 10V(d)-5.3V。0V-6V(c)放大O 5V0.7VO 0V放大截止饱和3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）（b） 截止（a）放大3分，共4、判断图示电路是否有信号放大作用（用，“X”表示。每图12分）模拟电子技术试题汇编 +Vcc+VCCr+V-+ +Vcc+Vcc+VccLTl+VccLzs-13 -(d)

25、(e)(f)(d)x(e)(f) V5、判断下列电路能否放大电压信号。（6分）（设图中所有电容对交流信号视为短路）I+Vcc1XX6、如下图，判断是否正确:(c)(c)(b)(b)g+Vcc(a)(a)+VccL(1) Ri = RbiRb2( rbe + Re) ( X )(2) R = Rbi/Rb2%e+(1+ )Re(X )(3) R = Rbi/&2rbe( V )(4) Ro=Rc/Rl(义)(5) Ro=Rc( V )(6) Au= - R/Rl( X )rbe Re Au=RcL( X )rbe(8) Au= - Rc / Rl( V )rbe7、判断下列说法是否正确，

26、对的画 M错误的画X(1)晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。(X)(2)在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。( X)(3)在基本共射放大电路中，若晶体管的 增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。(V)(4)对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。(X )(5)共集放大电路的电压放大倍数是小于 1 ,故不能用来实现功率放大。(X(6)共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。( 附(7)共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。( X)(8)共基放大电路只能放大电流，但不能放大

27、电压。( X)四分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路(图中晶体管类型不允许改变)+VccUi有三个错误：(1)：电源极性错(2) : C1.C2极性错(3) : Rc位置接错2、分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路, 要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。模拟电子技术试题汇编有三个错（1） R位置接错（2） C2位置接错（3） C3位置接错3、分析下图能否对1KHz的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进 行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1, Uo无直流成分。答：不能正常放大。错误有：（1）Ci位置接错。（2） C2位置接错

28、。（3）Ci、C2极性接反。（4）若要Au 1 ,则不能从射极输出。ARcRlAu =; 1 ,且Vo无直流成分。be 1Re4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶 体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形 是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。(a)均为共基组态。“波形有错。(a)图U0波形应与5波形相同(b)图UO波形应无直流分量五、计算题1、在下图的放大电路中，设三极管的=30, Ubeq=0.7V,通二1k , Rbi=10k ,Rb2 50K , Re=1.3k ,Rc=R=5k ,Vcc=12V。+VccUiRb

29、2RcC2C1Rb1R .L UoRe（1）试估算静态时的Ibq、Icq、Uceq ； （ 5分）（2）设电容Ci、C2和Ce均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数Aum；（5分）（3）估算放大电路的输入电阻R和输出电阻R。； （5分）（4）如果去掉旁路电容Ce,写出此时放大电路的中频电压放大倍数Aum和输入电阻R和输出电阻Ro的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）U BQ10*1210 50(1)2VVbqUbeq 2 0.7I cq I eq1 mARe 1.35.7VVceq Vcc Icq Icq(Rc Re)12 1*(5 1.3)(2)Aum(R1/Rc)rbe30(5/15

30、)175-27 -Ri%/%/%rbe1kR0Rc5kCe断开，Re有电流串联负反馈,A(Rc/Rl)Aumrbe(1) ReRiRb1/%/% (1)ReR0Rc5kAum下降），Ri增加，R0不变;Rb1=5 kQ ,+Vcc(1)估算电路的静态工作点 ubq、icq、uceq ?(2)画出微变等效电路，计算电压放大倍数 Au、 输入电阻Ri、(3)若信号源内阻为Rs=1kQ时，求Aus U"Us的数值。输出电阻Ro(1)U BQRbi Vcc5 12RbiRb25 151 CQI EQU BQ U BEQ3 0.7Re2.31mA2、 (20分)图示电路中，已知 Ubeq=0.

31、7V, P =100, ,=374。，Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ, Rc=Rl=3 kQ, Vcc=12V。Uceq 、cc LqR Re)12 1 (3 2.3)6.7 V26 (2)图略rbe374 (1 100)-63k1Au(RC Rl)100 (3 3)rbe3R 5/15/3k1.66kRRc 3k(3)Aus Au 谨(5。)31.23、如下图，C1C4足够大,(1)画出直流通路和微变等效电路(6分)(4分)(2)设Ubeq 0.7V ,求静态工作点Icq、UceqU(3)求 R、R。、Au设=30, rbb'=19 4(6 分)Ui(4) I CEO、U

32、 ces忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值Uom (4分)(总共20分)解：(1)图略(2)U BQU CEQX VccR1R2VCC I CQ ( R32020 4V,Icq20 80R4R5)20 1 (1I EQ10U BQ U BEQR3.3) 5.7V4 0.7 1mA 3.3(3)RiR1 / R3 / rbe%erbb(12626194 (1 30)1K1R0R410K?; U0(R4/RL)Au urbe30(10/10)1150(4)不饱和失真Uom Uceq 5.7V不截止失真 UomIcq(R4Rl) 1 (10/10) 5V最大不是真输出电压峰值Uom 5V4、如图所

33、示电路中，已知三极管T为硅管rbb,=337Q,UBEQ=0.7V, (3=50；Ri=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,RL=2KQ ,VcC=12U (共 18 分)试求：(1)静态工作点Q (IbqI cqUceQ) ?(2)电压放大倍数Au= ?输入电阻R =?输出电阻Ro = ?+VCc+UoU BQI CQI EQRb2U BQ15 1251 15U BEQ2.7V2.7 0.7 2mAI BQI CQU CEQ(2)RirbeR0AuRe20.04mA50Icq(Rc Re)122 (21) 6VRb1 / Rb2 / Rberbe1Kr

34、bb'RcUo Ui26(1)1 337I EQ2K(Rc/Rl)rbe5、电路如下图（a）所示，图（b）(1502650)7(2/2)11K50是晶体管的输出特性，静态时 Ubeq = 0.7V。利用图解法分别求出Rl = qo和Rl= 3kQ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom0 (共 15 分)解：（1）/rtiuAib）ic0,Uce12V 解:RL，做宜流负载线UCE12 ic 36.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。(共帆)0,ic124mARL 图3K静，出t如 OM（ Icq卜CURL/）。2（3/3）=4域=50） （6 分）(2)画出微变等效电路，估算放大

35、器的动态参数Au、R、Ro (设rbb'=340=60）HmA（9分）80uARLUi一 +24V+Vcc4.83.62.460uA40uAUo5K1.220uA2410152025 uce/v解:(1)作直流负载线UCEVCCicRcic0,UceUce 0,ic12V4.8mAI bq 40uA相交 Q点，得 Icq 2.4mA,Uceq 12V IiUebe1KAbe(RcRlrbe26bb, (1)-I EQ50(55)11K125Ro Rc 5K7、如下图，CiC3足够大，(1)画出直流通路和微变等效电路(4分)(2)求静态工作点Ibq、Uceq。(4分)(3)求输入、输出电阻R、Ro及电压放大倍数Au各自的表达式。(4分)(总共12分)£>+VccQRcC3R1R2UoC2O0 +C1略(2) Ibq(1 B)RcI(R1R2) VbeqVccI BQVccVbeq(1 B)Rc R1 R2,VceqVcc(1 B)IbqRc(3) Ri=R1 /rbeR0=R2/R3eAu =(R2R3Rl)rbe26 _,26mvrbe = rbb+(1+)- = rbb +I EQI BQ8.电路如