微波电路电调衰减器测试方法

1、国家标准 微波电路 电调衰减器测试方法 （征求意见稿 ）编制说明1 工作 简况1.1 任务来源本项目是 2018 年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项，本国家标准的制定任务已列入 2018 年国家标准制修订项目， 项目名称为 微波电路 电调衰减器测试方法 项目编号为： 20182275-T-339 。本标准由成都亚光电子股份有限公司、中国电子技术标准化 研究院负责组织制定， 标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委 员会 （ SAC/TC78/SC2） 。1.2 起草单位简介成都亚光电子股份有限公司前身为成都亚光电子有限责任公司， 系由原国营亚光电 工总厂（又称

2、国营第 970 厂）改制而来，国营亚光电工总厂建立投产于 1965 年，是原 电子工业部最早建立的两个半导体器件厂家之一， 是我国第一批研制生产微波半导体器 件及电路的骨干企业， 也是我国军用微波集成电路的主要生产定点厂。 公司主要从事微 波集成电路、微波二极管、晶体三极管、安保器材、无线电通讯器材等产品的科研、制 造，为通信、雷达、测量、导航、电子对抗、安全防范、智能交通等提供产品、技术、 标准和解决方案。军品产品长期为航天科技、航天科工、中国电科、中国电子、航空工 业等军工集团的科研院所、工厂提供配套服务，应用于各类航天器材及机载、舰载、弹 载等武器平台。民品产品主要客户为银行信用社、广播

3、电视局、公安部门、博物馆、仓 库等。中国电子技术标准化研究院是工业和信息化部直属事业单位， 专业从事工业和电子信息 技术领域标准化科研工作 。中国电子技术标准化研究院紧紧围绕部中心工作 ，立足标准化工 作核心，研究工业和电子信息技术领域标准化发展战略，提出相关规划和政策建议；组织建 立和完善电子信息、软件服务等领域技术标准体系，开展共性、基础性标准的研究制定和应 用推广；承担电子产品的试验检测、质量控制和技术评价、质量监督检查和质量争议鉴定等 工作；负责电子工业最高计量标准的建立、维护和量值传递工作；开展管理体系认证、产品 认证、评估服务等相关活动；建立和维护标准信息资源，开展标准信息服务、技

4、术咨询评估 和培训活动。1.3 主要工作过程接到编制任务， 项目牵头单位成都亚光电子股份有限公司成立了标准编制组 ，中国电子 技术标准化研究院参与标准编制工作。编制组落实了各单位职责，并制定编制计划。编制组查找了国际、国内微波电路电调衰减器测试方法相关标准，认真研究了现行微波电路电调衰减器标准体系和相关标准技术内容，在此基础上形成了标准草案。2 标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题2.1本标准制定原则本标准遵循 科学性、实用性、统一性、规范性”的原则进行编制，依据GB/T 1.1-2009规则起草，确立了本标准的范围、规范性引用文件、术语和定义。2.2标准的主要内容与依据2.2.1

5、本标准的定位本标准来源于“集成电路标准研制”课题，规定了微波电路电调衰减器的测试方法。目前，国内对微波电路电调衰减器测试方法的标准有SJ 21272-2018微波衰减器测试方法，其中有部分参数的测试方法，但规定的参数存在缺项，而这正是用研双方比较关注 的参数，例如输入和输出回波损耗、交调失真、响应时间等。国际上暂无相关标准。2.2.2关于引用文件弓I用了 GB/T 17573-1998半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则、GJB 3007A-2009 防静电工作区静电要求。2.2.3术语和定义微波电路电调衰减器测试方法的相关术语主要包括插入损耗、带内波动、衰减量、衰减平坦度、衰减范围

6、、衰减温度稳定性、衰减精度、衰减温度系数、输入回波损耗、输出回波 损耗、输入驻波比、输出驻波比、ndB压缩输入功率、交调失真、n阶交调点输入功率、附加相移、最大承受功率、幅度一致性、相位一致性、开关时间、响应时间等。3 主要试验(或验证)情况分析采用本标准中规定的测试方法，在常温下对亚光电子的JYGS10021、DK2 (VJBS1127)和ADI公司的HMC346ALP3E电调衰减器进行了电参数测试，测试结果见表1。表1测试结果与产品技术要求对比表(常温)产品型号参数名称测试结果产品技术要求JYGS10021插损态电压驻波比(1.28 1.4GHz)VSWiRK 1.09VSWRt W 1.

7、10w 1.2插入损耗(1.281.4GHz)w 0.48dBw 0.6dB衰减范围(1.281.4GHz)83dB> 70 dB产品型号参数名称测试结果产品技术要求开通时间（1.281.4GHz）45 nsw100ns关断时间（1.281.4GHz）54 nsw100nsDK2( VJBS1127插损（f 0）1.13 dBw 1.5dB带内不平坦度（fLf H）0.12 dBw 0.4dB衰减量（fo）21.2 dB20dB 24dB直通驻波（fLfH）VSW/f= 1.08VSWR =1.11w 1.3衰减驻波（fLfH）VSW/f= 1.88VSWR =1.63w 2.0插损随温

8、度变化量（f0 ）0.06 dBw 0.2dBHMC346ALP3E插入损耗DC-10GHZw 2.9 dB-DC-14GHZw 3.0 dB衰减范围DC-10GHZ29.8 dB-DC-14GHZ27.4 dB回波损耗（DC-14GHZ8.9 dB-响应时间8ns-开关时间16 ns-0.25dB压缩输入功率（插损态，0.5-14GHZ）> 9.2dBm-3阶交调点输入功率（插损态，0.5-14GHZ）> 9.2dBm-经验证，按照本标准的测试方法可顺利进行产品测试。4 知识产权说明无。5 采用国际标准 和国外先进标准情况无6 与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性本标准不违反现行的法律、法规和规章。与GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则 、GJB 3007A-2009 防静电工作区静电要求 以及 SJ 21272-2018 微 波