半导体器件的基础知识

1、第一章半导体器件的基础知识一、 填空题1、自然界中的物质按着导电能力分为、三类。2、半导体的导电能力会随着、和的变化而发生变化。3、半导体材料主要有和两种。4、半导体中的载流子是和。5、主要靠导电的半导体称为N型半导体，主要靠导电的半导体称为P型半导体。6、经过特殊工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为结。7、PN结的特性是。8、半导体二极管的符号是。9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的。10、二极管的核心部分是一个，具有特性。11、半导体二极管又称。它是由，从P区引出的极和从N区引出的极以

2、及将他们封装起来的组成。12、由于管芯结构不同，二极管又分为、。13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的。用于定量描述这两者关系的曲线称为。14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时，开始时，正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大电阻。通常把这个范围称为，相应的电压称为。15、硅二极管的死区电压约为；锗二极管的死区电压约为。16、硅管的导通电压约为，锗管的导通电压约为，17、加在二极管的反向电压不断增大，当达到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为，相应的电压称为。18、半导体二极管的主要参数有、。19、半导体三极管的核心是。

3、20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域：、和。由这三个区引出三个电极为：、和 。分别用字母、和 。其中区相对较薄。21、半导体三极管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为 ；集电极与基极之间的PN结称为。22、由于半导体基片材料不同，三极管可分为型和型两大类。23、半导体三极管常采用、和 封装。24、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有和；按管芯所用半导体材料分有和；按结构工艺分有和；按用途分有和。25、三极管各个电极上电流的分配关系是。26、在半导体三极管中，基极电流IB的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的原理。27、要使三极管起到电流放大作用，必须保证发

4、射结加电压，集电结加电压。28、三极管三种基本连接方式是、。29、三极管的三种工作状态是、。30、三极管工作在截止区的条件为；三极管工作在放大区的条件为三极管工作在饱和区的条件为31、在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状管称为。32、在一个封装内包含有两只三极管的新型器件，称为。33、半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为。场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件，称为。34、根据结构和工作原理不同，场效晶体管可分为和两大类。35、结型场效晶体管的电路符号为、，它有三个电极为、。二、 判断题1、PN结接触面积大，载流量大，适合于大电流场合使用。（ ）2

5、、二极管和三极管是非线性元件。（ ）3、电子技术中的线性与非线性指的电压与电流是否成正比例关系。（ ）4、理想二极管正向电阻是零，反向电阻无穷大。（ ）5、三极管的三个电极可以调换使用。（ ）6、硅二极管和锗二极管正向导通分压相等。（ ）7、三极管的发射区和集电区是由同一半导体构成的。（ ）8、三极管就是两个二极管反接构成。（ ）9、二极管的伏安特性曲线和三极管的特性曲线相同。（ ）11、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （ ）12、二极管具有单向导电性。（ ）13、三极管无论工作在何种工作状态，电流IE=IB+IC=(1+)IB ()14、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结，因此可以用

6、两个背靠背连接的二极管替换。（ ）15、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （ ）16、三极管是一种电流控制器件。（ ）17、二极管两端加上0.7V的电压就能导通。（ ）18、二极管的正向电阻比反向电阻大。（ ）19、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。（ ）20、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。（ ）三、选择题1在三极管的输出特性曲线族中，每条曲线与（ ）对应。A、IE B、UBE C、IB D、UCE2在N型半导体中（ ）。 A只有自由电子 B只有空穴 C有空穴也有自由电子3掺入五价杂质元素的半导体是（ ）。 型半导体 型半导体 本征半导体4.如果测得一个放大电路中其三极管

7、的直流电压UCE，则它处于（ ）。 放大状态 饱和状态 截止状态 5在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管6稳压二极管稳压时，其工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区7.NPN型三极管处在放大状态时是( )A.UBE<0, UBC<0 B.UBE>0, UBC>0C.UBE>0, UBC<0 D.UBE<0, UBC>08、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.

8、7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏9、三级管开作在放大区，要求（    ）A、发射结正偏，集电结正偏         B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏          D、发射结反偏，集电结反偏10、一只NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）A饱和区 B截止区C放大区 D击穿区

9、11、三极管参数为PCM=800mW,ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。AUCE=15V，IC=150 mA BUCE=20V，IC=80 mA CUCE=35V，IC=100 mA DUCE=10V，IC=50mA 12、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7VC VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V13、如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ）A均为正偏 B均为反偏 C

10、发射结正偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏14、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏15、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 D、5016、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） AC > UB > UE B。C< UB < UEC。UB >C > UED。C > UE > UB17、二极管具有（ ）A、信号放大作用

11、 B、单向导电性 C、双向导电性 D、负阻特性18、二极管两端加正向电压时（ ）A、立即导通 B、超过击穿电压就导通C、超过0.2V就导通 D、超过死区电压就导通19、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（ ）A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路D、功能正常20、下列元器件中，（ ）可将电信号转变成光信号。A、二极管 B、三极管C、发光二极管 D、光电二极管21、开关三极管一般的工作状态是（）。A截止B放大C饱和D截止或饱和22、三极管的两个PN结均正偏或均反偏时，所对应的状态分别是（）。 A截止或放大B截止或饱和C饱和或截止D放大或截止23、如图示，试判断工作在饱和状态的

12、管子（ ）。+7.5V-8V+7.1V+5V+3.2V(a)+3.5V-3V-2.3V(b)+6.9V+4V(c)+5V0V(d)24、二极管加正向电压时，其正向电流（ ）A、较小 B、较大 C、微小 D、无电流25、二极管的正极电位是10V，负极电位是5V，则该二极管处于（ ）A、零偏 B、反偏 C、正偏 D、没反应26、测得电路中三极管各电极相对于地的电位如图所示，从而可判断出该三极管工作在（ ）A、饱和状态 B、放大状态 C、导致状态 D、截止状态4.3V5V4.6vVV27、某三极管工作在放大状态，其引脚电位如图所示，则该三极管是（ ）A、PNP型硅管 B、NPN型硅管C、PNP型锗管

13、 D、NPN型锗管5V 5.7V 1V28、由理想二极管组成的电路中，它们的输出电压为（ ）A、UR=0 B、UR=8v C、UR=4V D、UR=1v29、如下图所示，二极管为硅管，工作于正常导通状态的是（ ）30、某同学用万用表测量一电子线路中得晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V,VBC=-5.4V,则该管是（ ）A、PNP型处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态四、简答题1、场效晶体管与三极管相比有哪些特点？ 2、为什么二极管可以当做一个开关使用？画图说明。3、选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数有什么意义？4、简述三极管的内部基本结构和各区的特点？5、三极管三种工作状态的条件是什么？处于放大状态PNP和NPN两种三极管的电位关系是什么样的？6、给你一个二极管和一块万用表，怎样判断二极管两个电极？7、三极管有哪三种工作状态？各有什么特点？五、计算题1、已知某三极管的交流放大系数ß=100，当B=20微安时，C=2毫安，若把B调到40微安，则C应为多少？2、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UA0=？（4分）3、 判断图示三极管的工作状态。3V2V6V0.7V5V0V3V3.7V3.3V-1.7V-5V-1V4、已知两只三