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文档简介
1、得分120分评卷人 电子技术试卷 一、填空题(每空1分,共22)1PN结具有 性能,即:加 电压时PN结导通;加 电压时PN结截止。2晶体二极管因所加 电压过大而
2、0; ,并且出现 的现象,称为热击穿。3硅晶体三极管的饱和压降约为 V,锗晶体三极管的饱和压降约为 V。4一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。5对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要 些,
3、以减轻信号源的负担,输出电阻要 些,以增大带动负载的能力。6逻辑代数的三种基本运算是 、 和 。7放大电路必须设置合适的静态工作点,否则,输出信号可能产生8半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是( )、( )、( )。9就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,( )的
4、抗干扰能力强,( )的转换速度快。10由555定时器构成的三种电路中,( )和( )是脉冲的整形电路。 。二、判断题(每题2分,共16分)1在半导体内部,只有电子是载流子。( )2晶体二极管击穿后立即烧毁。( )3无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。( )4放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。(
5、; )5交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。( )6逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态,并不表示数值的大小。( )7与门的逻辑功能可以理解为输入端有0,则输出端必为0;只有当输入端全为1时,输出端为1。( )8负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。( )三、选择题(每题3分,共18分)1内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是(
6、; )A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体 2晶体三极管的发射结正偏,集电极反偏时,则晶体三极管所处的状态是( )A、放大状态 B、饱
7、和状态 C、截止状态3晶体管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管( )A、发射结为反向偏置 B、集电结为正向偏置 C、始终工作在放大区4凡在数值上或时间上不连续变化的信号,例如只有高、低电平的矩形波脉冲信号,称为( )A、模拟信号
8、60; B、数字信号 C、直流信号5二进制数10011转换为十进制数后为( )A、18 B、19 C、216
9、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管四、问答题与计算题(64)1画出三极管的输出特性曲线。(6分)
10、160; 2设计一位十进制数的四舍五入电路(采用8421BCD码)。要求只设定一个输出,并画出用最简与非门实现的逻辑电路图和真值表 (15分)3.,已知电路及CP、A的波形如图5(a)(b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C 的波形。 (15分)BC4、电路如图7所示,其中RA=RB=10k,C=0.1f,试问:1)在Uk为高电平期间,由55
11、5定时器构成的是什么电路,其输出U0的频率f0=?2)分析由JK触发器FF1、FF2、FF3构成的计数器电路,要求:写出驱动方程和状态方程,列出状态转换表,画出完整的状态转换图;3)设Q3、Q2、Q1的初态为000,Uk所加正脉冲的宽度为Tw=6/f0,脉冲过后Q3、Q2、Q1将保持在哪个状态? (共20分) 5、图8所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。ROM中的数据见表8所示。试画出在CP信号连续作用下的D3、D2、D1、D0输出的电压波形,并说明它们和CP信号频率之比。 (8分) 表8 地址输入 数据输出图示A3 A2 A1 A0D3 D2 D1
12、 D00 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 10 0 0 00 0 1 10 1 0 00 1 0 11 0 1 01 0 0 11 0 0 01 1 1 11 1 0 00 0 0 10 0 1 00 0 0 10 1 0 00 1 1 10 0 0 0 CP波形如图所示: D0D1D2D3答案:一、填空题1单向导电性 正向 反向2反向
13、; 击穿 烧毁30.7 0.34增大5大 小6逻辑乘 逻辑加 逻辑非7失真8.地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 9双积分型、逐次逼近型 10施密特触发器、单稳态触发器二、判断题1错 2错 3错 4错 5对 6对 7对 8错三、选择题1C 2A 3C4B 5B
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