一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法

1、一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，以100重量份的钛酸领为基材，添加有如下成分：银银化合物(NiNb2O6)1.45-12.5wt%;氧化错5-20wt%;碳酸镒0-0.2wt%;稀土氧化物0.025-0.2mol%;Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%o本发明主要通过改变NiNb2O6和氧化错的添加量，来调整该电容器介质的介电常数以及其容量-温度的变化关系，使之具有线性关系，可用于温度补偿型电容器介质，制作成可用于脉冲功率条件下使用的MLCC介质。所制得的电容器介质具有低损耗、可中温烧结等有益效果。1000042010.21、一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征

2、在于：以100重量份的钛酸顿为基材，添加有如下成分：银镇化合物1.45-12.5wt%;氧化错5-20wt%;碳酸镒0-0.2wt%;稀土氧化物0.025-0.2mol%;Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%。2、如权利要求1所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征在于：所述银镇化合物由摩尔比1:1的氧化锂和氧化亚银制得。3、如权利要求1所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征在于：所述Zn-B-Ba-Si玻璃由如下重量份的成分制得：氧化锌42-53份;硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸领15-25份。4、一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器

3、介质的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，将氧化锂和氧化亚银按摩尔比1:1进行配比，制备银镇化合物；步骤二，利用如下重量配比的组分制备Zn-B-Ba-Si玻璃粉：氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸领15-25份；步骤三，以100重量份的钛酸顿为基材，添加有如下成分：锂镇化合物1.45-12.5wt%、氧化错5-20wt%、碳酸镒0-0.2wt%、稀土氧化物0.025-0.2mol%、Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%,用去离子水作为分散介质，球磨、烘干、粉碎即得即制得温度补偿型MLCC材料。5、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器

4、介质的制备方法，其特征在于：步骤三中钛酸领进行如下处理：在1100-1150C范围内煨烧处理1.5-2h。6、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤一中银银化合物制备方法如下：将氧化锂和氧化亚银按照摩尔比1:1进行配比、称量、球磨混合、烘干，烘干后块状物破碎过40-80目标准筛并于850-1150C煨烧1.5-2.5小时，获得银银化合物。7、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤二中Zn-B-Ba-Si玻璃粉的制备方法如下：按所述配比进行配比、称量、球磨混合，并于1200C1250c熔融后水

5、淬，磨细后烘干过325目标准筛,制得Zn-B-Ba-Si玻璃粉。8、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤三中采用2-5mm的死安定错球作磨介，研磨6-14h,烘干后过80目标准筛，加入56.5%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒，再次过80目标准筛。9、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的方法，其特征在于：步骤四中造粒后的粉料在810MPa下压制成圆片生坯，在450-550C排有机物1小时，然后用3小时升温至11001150C,烧结23h,即制得所述温度补偿型电容器介质。一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备

6、方法技术领域本发明涉及一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法。背景技术温度补偿型电容器介质，在-55125c范围内，其容量-温度的变化关系呈线性关系，而且具有很低的介质损耗，根据EIA-98标准，温度补偿型电容器或介质的品质因素Q>1000,即要求介质损耗<10-40因此在高频、高压环境中，不易发热，抗冲击能力高，又可称为高频陶瓷电容，因此可用作脉冲功率MLCC在现代通讯小型化集成化发挥着重大的作用，对国防科技建设发展有着深远的意义。目前典型的温度补偿型介质材料有钛酸镁锌-钛酸钙、错酸镁锌-钛酸钙、钛酸领-错酸钙、钛酸领-钛酸专思、错酸领-钛酸锅以及一些锯酸盐、铝

7、酸盐、稀土的钛酸盐等等。但是这些材料为了能达到较高的体积密度、品质因素Q以及击穿电压，往往烧结温度较高，需使用较贵金属内电极，或者有低温共烧工艺，比如化学法制备的材料则需要特殊烧结设备、规模化成本更高，因此开发一种能满足温度补偿型材料性能的材料体系，实现中温烧结，将具有重要的经济效益和社会效益。发明内容本发明的主要目的在于克服现有技术的缺点，提供一种低损耗（介质损耗40-4）、中温烧结的、可适用于脉冲功率条件下的具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法。本发明主要解决如下几个问题：1）采用低居里点的物质来调节材料系统的居里点，使居里点往负温度方向移动；2）添加改性物质，宽化容量-温

8、度的变化关系，使之在较宽的变化范围内可调节；3）添加包括稀土在内的各种元素，降低材料系统的介质损耗以及提高材料的抗老化、耐击穿电压等等；4）添加低熔点玻璃，继续改性材料系统的各种性能，并有效低降低材料的烧结温度，实现可中温烧结。本发明采用如下的技术方案：一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，以100重量份的钛酸领为基材，添加有如下成分：银镇化合物（NiNb2O6）1.45-12.5wt%;氧化错5-20wt%;碳酸镒0-0.2wt%;稀土氧化物0.025-0.2mol%;稀土氧化物为部铺、错、钺、彭、钱、镐、钦、银、锌、镣、镭、铳和包中的一种或多种复合；Zn-B-Ba-Si玻璃3-10

9、wt%。进一步地，所述银镇化合物由摩尔比1:1的氧化锂和氧化亚银制得。进一步地，所述Zn-B-Ba-Si玻璃由如下重量份的成分制得：氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸领15-25份骤:一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，包括如下步步骤一，将氧化锂和氧化亚银按摩尔比1:1进行配比，制备银镇化合物;步骤二，利用如下重量配比的组分制备Zn-B-Ba-Si 玻璃粉：氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸领15-25份；步骤三，以100重量份的钛酸顿为基材，添加有如下成分：锂镇化合物1.45-12.5wt%、氧化错5-20wt%

10、、碳酸镒0-0.2wt%、稀土氧化物0.025-0.2mol%、Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%,用去离子水作为分散介质，球磨、烘干并造粒；步骤四，将造粒后的粉料压制成生坯，排有机物、烧结，即制得温度补偿型电容器介质。进一步地，步骤三中钛酸领进行如下处理：在1100-1150C范围内煨烧处理1.5-2h0进一步地，步骤一中银银化合物制备方法如下：将氧化锂和氧化亚银按照摩尔比1:1进行配比、称量、球磨混合、烘干，烘干后块状物过40-80目标准筛并于850-1150C煨烧，获得银镇化合物。进一步地，步骤二中Zn-B-Ba-Si玻璃粉的制备方法如下：按所述配比进行配比、称量、球磨混合，并于12

11、00c1250c熔融后水淬，磨细烘干后过325目标准筛，制得Zn-B-Ba-Si玻璃粉。进一步地，步骤三中采用2-5mm的死安定错球作磨介，研磨6-14h,烘干后过80目标准筛，加入56.5%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒，再次过80目标准筛。进一步地，步骤四中造粒后的粉料在810MPa下压制成圆片生坯，在450-550C排有机物1h,然后用3h升温至11201150C,烧结23h,即制得所述温度补偿型电容器介质。本发明的有益效果是，NiNb2O6是一种居里点低，QXf大，谐振频率温度系数低的一种钙钛矿型结构材料，在以钛酸顿为基础的MLCC材料中，添加NiNb2。6,不仅可以使材料的居里点向负温度方

12、向移动，而且可以降低介质损耗。而添加氧化错是为了改善材料的容量-温度变化率，使材料的变化率变小并且呈线性关系。本发明的核心即通过改变NiNb2。6与ZrO2含量的变化，以调节该种钛酸顿基介电材料的介电常数以及容温变化率的线性关系。另，添加碳酸镒以及稀土氧化物可以有效抑制材料结构中氧空位产生，并且提高材料的抗还原、抗老化性能,确保材料的品质因素Q符合标准。添加Zn-B-Ba-Si玻璃是为了将降低烧结温度，使材料在中温范围内可致密烧结，有利于使用材料价格较低廉的金属内电极。具体实施方式一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，包括如下步骤：1、将钛酸锁在1100-1150C范围内煨烧

13、处理1.5-2h;2、将氧化锂和氧化亚银按照摩尔比1:1进行配比、称量、球磨混合、烘干，烘干后块状物过40-80目标准筛并于850-1150C煨烧，获得银镇化合物；3、按重量份氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸领15-25份进行配比、称量、球磨混合，并于1200c1250C熔融后水淬，磨细烘干过325目标准筛，制得Zn-B-Ba-Si玻璃粉；4、以100重量份的钛酸顿为基材，添加有如下成分：锂镇化合物1.45-12.5wt%、氧化错5-20wt%、碳酸镒0-0.2wt%、稀土氧化物0.025-0.2mol%、Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%,用去离子水作为分

14、散介质，采用2-5mm的死安定错球作磨介，研磨6-14h，烘干后过80目标准筛，加入56.5%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒，再次过80目标准筛；5、造粒后的粉料在810MPa下压制成圆片生坯，在450-550C排有机物1h,然后用3h升温至11201150C,烧结23h,即制得所述温度补偿型电容器介质。F表1#-6#为本发明的六个实施例及其制得产品的性能参数。No.BaTiO3NiNb2O6Wt%ZrO2Wt%MnCO3Wt%Re2O3mol%GlassWt%KvalueTgs10-4TCC(ppm/C)-55C+125C1#1001.45500.0531890114570-35792#1003.66.40.250.059527111998-19893#1004.27.20.50.051042291245-17854#1003.260.50.0751144962126-20895#1007.2120.250.075131