第3次课-常用电子元器件(2)

1、第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用(2) (2) 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.3 电感器电感器v2.3.1 2.3.1 电感器在电子电路中的应用电感器在电子电路中的应用1.1.直流电源滤波

2、直流电源滤波2.2.高频滤波高频滤波3.3.谐振电路谐振电路4.4.振荡器振荡器5.5.陷波器陷波器6.6.高频补偿高频补偿第第3次课次课第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.1 2.3.1 电感器在电子电路中的应用电感器在电子电路中的应用7 7. .阻抗匹配阻抗匹配8.8.延迟线延迟线9.9.耦合与隔直耦合与隔直10.10.形成磁场形成磁场11.11.电源滤波器电源滤波器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.2 2.3

3、.2 电感器的主要技术参数电感器的主要技术参数1.1.标称电感量标称电感量2.2.允许误差允许误差3.3.额定工作电流额定工作电流4.4.品质因数品质因数5.5.分布电容分布电容第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.3 2.3.3 电感器的种类电感器的种类1.1.立式密封固定电感器立式密封固定电感器2.2.卧式密封固定电感器卧式密封固定电感器3.3.可调电感器可调电感器4.4.磁珠磁珠第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2

4、2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 固定电感固定电感 可变电感可变电感第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 变压器变压器脉冲变压器脉冲变压器匹配变压器匹配变压器阻抗变换变压器阻抗变换变压器电源变压器电源变压器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.4 2.3.4 电感器的应用电感器的应用1.1.根据电路要求选用电感器根据电路要求选用电感器2.2.据误差要求，

5、按系列值选用电感器据误差要求，按系列值选用电感器3.3.电流值要减额电流值要减额4.4.注意品质因数注意品质因数 Q Q值值5.5.在在LCLC去耦时，考虑直流电阻去耦时，考虑直流电阻6.6.感抗感抗 X XL L=2fL=2fL7.7.感性负载驱动感性负载驱动第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图2.3.14 感性负载的驱动第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏补充补充-元件值的表示方法元件值的表示方法F10569 容量：容量：精度：精

6、度：5耐压：耐压：63V阻值：阻值： 4 . 2精度：精度：5功率：功率：5W 直标直标第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 数码数码NNZNNZ- 有效数字有效数字- “0”的个数的个数阻值：阻值： 1500精度：精度： 5%pF6800容量：容量：精度：精度：20%耐压：耐压：1000V第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 色码色码颜色颜色数字数字倍率倍率偏差偏差(%)棕棕红红橙橙黄黄绿绿蓝蓝紫紫灰灰白白黑黑无色无色银银金金1234

7、5678901102103104105106107108109100101 2 5 . 0 25. 0 1 . 0 50 20 20 10 5 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏阻值：阻值： 21047精度：精度：5阻值：阻值： 110330精度：精度：2第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏习惯标识习惯标识电容电容F pFnF省略省略F用用 np无倍率符号表示无倍率符号表示pF电阻电阻 K M省略省略用用KM无倍率符号表示无倍率符号表

8、示 电感通常不省略电感通常不省略第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏补充补充-连接器连接器1. 矩形连接器矩形连接器2. D形连接器形连接器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3. IC插座插座4. 压接端子排压接端子排第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏5. 插接端子排插接端子排6. 跳线开关跳线开关第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件

9、的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4 2.4 晶体管晶体管v2.4.1 2.4.1 硅二极管和硅整流桥硅二极管和硅整流桥1 1硅整流二极管硅整流二极管硅整流二极管除主要用于电源电路做整流硅整流二极管除主要用于电源电路做整流元件外，如图元件外，如图2.4.12.4.1所示还可以做限幅、钳所示还可以做限幅、钳位、保护、隔离等多种灵活应用。位、保护、隔离等多种灵活应用。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图（图（c c）中）中J J为电磁继电器线圈，二级管将为电磁继电器线圈，二级管将抑制此感

10、性负载在晶体管抑制此感性负载在晶体管T T由饱和跳变到由饱和跳变到截止时所产生的大幅度的反向电动势，从截止时所产生的大幅度的反向电动势，从而保护而保护T T。图（图（d d）为脉冲微分限幅电路，将在输出）为脉冲微分限幅电路，将在输出削去负尖脉冲。削去负尖脉冲。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图（图（e e）为）为RAMRAM数据保持电路。后备银锌电池数据保持电路。后备银锌电池E=3.6VE=3.6V，在在RAM RAM 正常工作时，正常工作时，RAM RAM 由由+5V+5V电源供电，且可通过电源供电，且可通过

11、D D 对对E E充电。断电时，充电。断电时，RAM RAM 由由E E 供电，供电，D D 将将E E 和电路和电路+5V+5V端隔离。端隔离。图（图（f f）为）为RC RC 充放电电路。充电通过充放电电路。充电通过D1R1D1R1进行，而进行，而放电则通过放电则通过D2R2 D2R2 进行。进行。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图图2.4.1第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2高速开关管高速开关管 第第2 2部分部分 常用

12、电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v检波二极管检波二极管和整流管不同之处在于工作在小信号、高频率和整流管不同之处在于工作在小信号、高频率的电路中，如各种检波器。故其电流小，结电的电路中，如各种检波器。故其电流小，结电容小，工作频率高。容小，工作频率高。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3硅整流桥硅整流桥 v常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三相全桥几种，如图相全桥几种，如图2.4.22.4.2所示。所示。v其中单

13、相全桥在小功率整流电流中应用广泛，其中单相全桥在小功率整流电流中应用广泛，而三相全桥则在电力整流器、逆变器等大功而三相全桥则在电力整流器、逆变器等大功率设备中使用。率设备中使用。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏常见硅整流桥的外形第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器

14、件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏4 4肖特基（肖特基（SchottkySchottky）二极管）二极管v肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，其制造工艺与其制造工艺与TTLTTL电路相类似，工艺步骤比较电路相类似，工艺步骤比较复杂。它不是利用复杂。它不是利用PNPN结的单向导电性，而是结的单向导电性，而是利用势垒的整流作用和多数载流子导电，因利用势垒的整流作用和多数载流子导电，因而没有少数载流子的存储效应。因此具有反而没有少数载流子的存储效应。因此具有反向恢复时间短（最低可达向恢复时间短（最低可达10ns10ns）和正向压

15、降）和正向压降低（可达低（可达0.2V0.2V）的突出优点。它主要用于开）的突出优点。它主要用于开关稳压电流做整流和逆变器中作续流二极管。关稳压电流做整流和逆变器中作续流二极管。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏5 5快恢复（快恢复（Fast RecoveryFast Recovery）二极管）二极管v快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利用用PNPN结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。v它的扩散深度及外延层（外延

16、型）可以精确控制，它的扩散深度及外延层（外延型）可以精确控制，因而可获得较高的开关速度，同时，在耐压允许范因而可获得较高的开关速度，同时，在耐压允许范围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。v它的反向时间约为它的反向时间约为0.20.20.750.75 s s。v和肖特基二极管相比，其耐压高得多。它主要也用和肖特基二极管相比，其耐压高得多。它主要也用在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高效率和减少噪声。效率和减少噪声。v高速恢复二极管反向恢复时间可达高速恢复二极管反向恢复时间可达25ns25ns。 第第2 2

17、部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏设计电路选用各种二极管时应注意以下几点：设计电路选用各种二极管时应注意以下几点：v（1 1）电流减额）电流减额电流减额因子电流减额因子S0.5S0.5。如图。如图2.3.12.3.1（a a）的全波整流电路，）的全波整流电路，若通过负载若通过负载R RL L的平均电流的平均电流I IL L0.5A4.8V4.8V，则可以选用正向压降在，则可以选用正向压降在0.10.10.2V0.2V之间的肖特基二极管。之间的肖特基二极管。v（5 5）工作频率）工作频率二极管的最高工作频率与其结构与工艺密切

18、相关，二极管的最高工作频率与其结构与工艺密切相关，例如普通硅整流管例如普通硅整流管PN PN 结为平台结构，结电容大，结为平台结构，结电容大，正向整流大，工作频率低。正向整流大，工作频率低。2AP2AP型锗二极管为点接型锗二极管为点接触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。v（6 6）反向漏电流）反向漏电流 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.2 2

19、.4.2 半导体三极管半导体三极管v1 1常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏金属封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏塑料封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏贴片三极管贴片三极管贴片第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2通用功率

20、管通用功率管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏塑料封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏金属封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏达林顿（达林顿（Darlingtons）功率管）功率管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3双极性半导体三极管选用时的注意事项双极性半导体三

21、极管选用时的注意事项 v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型首先必须根据电路的要求确定三极管的首先必须根据电路的要求确定三极管的类型。多数场合设计者喜欢选用类型。多数场合设计者喜欢选用NPNNPN型。型。但是如果需要低电平使三极和导通或需但是如果需要低电平使三极和导通或需要采用互补推拉式（要采用互补推拉式（pull-pushpull-push）输出，）输出，则必需使用则必需使用PNPPNP型晶体管。型晶体管。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参

22、数）极限参数晶体管特性表一般均会给出极限参数，设计晶体管特性表一般均会给出极限参数，设计时必须对时必须对I ICMCM、P PCMCM、BVBVCEOCEO（或（或V V( (BRBR) )CEOCEO基极开基极开路时的集电极发射极间的击穿电压）、路时的集电极发射极间的击穿电压）、BVBVEBOEBO、I ICBOCBO、 、f fT T（特征频率，（特征频率，f fT T= =f f ，f f为工作频为工作频率 ） 等 参 数 进 行 减 额 使 用 。 其 中 由 于率 ） 等 参 数 进 行 减 额 使 用 。 其 中 由 于BVBVCEOCEO BVBVCESCES BVBVCERCE

23、R BVBVCEOCEO，所以只要，所以只要BVBVCEOCEO满足要满足要求就可以了。求就可以了。一般高频工作时，一般高频工作时，f fT T的减额因的减额因子可选为子可选为0.10.10.20.2。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3 3）开关参数）开关参数晶体管工作于开关状态时，一般应选用开关晶体管工作于开关状态时，一般应选用开关参数（参数（t tonon、t toffoff、C Ccbcb、f fT T）好的开关晶体管。）好的

24、开关晶体管。若选用普通晶体管，则需选用若选用普通晶体管，则需选用f fT T100MHz100MHz的管的管子。而且实用时，其开关参数（如子。而且实用时，其开关参数（如t tr r、t tf f）和集电极负载电阻、负载电容密切相关。集和集电极负载电阻、负载电容密切相关。集电极电阻愈小，开关速度愈快，但电极电阻愈小，开关速度愈快，但I IC C和管耗和管耗都会增加，应权衡决定。都会增加，应权衡决定。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3

25、3）开关参数）开关参数v（4 4）共射极交流小信号电流放大系数）共射极交流小信号电流放大系数 （h hFEFE）小功率晶体管的共射极交流小信号电流放大系数小功率晶体管的共射极交流小信号电流放大系数 （h hFEFE）较高，数字万用表测的是直流）较高，数字万用表测的是直流h hFEFE，和交流，和交流h hFE FE 接近，但有差异。大功率晶体管接近，但有差异。大功率晶体管h hFEFE要低得多。要低得多。特别值得注意的是：即使是小功率晶体管在开关应特别值得注意的是：即使是小功率晶体管在开关应用时，饱和状态的用时，饱和状态的h hFEFE，也远较正常值为小。，也远较正常值为小。第第2 2部分部分

26、 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3 3）开关参数）开关参数v（4 4）共射极交流小信号电流放大系数）共射极交流小信号电流放大系数 （h hFEFE）v（5 5）发热及散热问题）发热及散热问题v（6 6）部分晶体管内部并联高速反向保护二极）部分晶体管内部并联高速反向保护二极管管小功率晶体管应避免靠近发热元件，以减小温度小功率晶体管应避免靠近发热元件，以减小温度对性能的影响。大功率晶体管必须根据实际耗散对性能的影响。大功率晶体管必须根据实际耗散功率，固定

27、在足够面积的散热器上。功率，固定在足够面积的散热器上。部分通用型和达林顿型晶体管的集电极与部分通用型和达林顿型晶体管的集电极与发射极之间在管子内部并联了一只高速反向发射极之间在管子内部并联了一只高速反向保护二极管。部分晶体管没有这只二极管，保护二极管。部分晶体管没有这只二极管，需要时在外部并联之。需要时在外部并联之。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.3 2.4.3 场效应管场效应管v场效应管（场效应管（FETFET）因为通过它的电流只能是空）因为通过它的电流只能是空穴电流或电子电流的一种，故又称为单极性穴

28、电流或电子电流的一种，故又称为单极性器件。又因为流经该器件的电流受控于外加器件。又因为流经该器件的电流受控于外加电压所形成的电场，故称为场效应管。电压所形成的电场，故称为场效应管。v各种场效应管的共同特点是：输入阻抗极高，各种场效应管的共同特点是：输入阻抗极高，噪声小，特性受温度和辐射的影响小，因而噪声小，特性受温度和辐射的影响小，因而特别适用于高灵敏度、低噪声的电路里。特别适用于高灵敏度、低噪声的电路里。1 1结型场效应管结型场效应管2 2绝缘栅金属氧化物场效应管绝缘栅金属氧化物场效应管 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室12

29、12年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2绝缘栅金属氧化物场效应管绝缘栅金属氧化物场效应管 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年

30、夏年夏 3 3FETFET应用时的注意事项应用时的注意事项（1 1）不同类型）不同类型FETFET应加电压的极性应加电压的极性 （2 2）不论是哪一类）不论是哪一类FETFET，它的栅极基本上，它的栅极基本上不消耗电流，故要求输入电阻很高时，应不消耗电流，故要求输入电阻很高时，应选用选用FETFET。（3 3）由于）由于FET FET 传输特性的非线性，其跨导传输特性的非线性，其跨导与工作点有关，与工作点有关，| |V VGSGS| |愈低，愈低，g gfs fs 愈高。愈高。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏注

31、意事项（续）注意事项（续）（4 4）MOSMOS FET FET 珊极的绝缘性质，易在外电珊极的绝缘性质，易在外电场的作用下绝缘被击穿，故保存和焊接时均场的作用下绝缘被击穿，故保存和焊接时均应采取相应措施。焊接时电路铁应妥善接地应采取相应措施。焊接时电路铁应妥善接地或络铁断电焊接。或络铁断电焊接。（5 5）FET FET 是多子导电，受温度影响小。在是多子导电，受温度影响小。在工作温度变化剧烈的场合，宜选用工作温度变化剧烈的场合，宜选用FETFET。（6 6）FET FET 的低噪声，使其特别适合在信噪的低噪声，使其特别适合在信噪比要求高的电路里使用，如高增益放大器的比要求高的电路里使用，如高

32、增益放大器的前级。前级。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.4 2.4.4 功率功率VMOS VMOS 场效应晶体管场效应晶体管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.3.4 2.3.4 功率功率VMOS VMOS 场效应晶体管场效应晶体管v1 1VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（1 1）开关速度非常快）

33、开关速度非常快vVMOS VMOS 器件为多数载流子器件，不存在存贮器件为多数载流子器件，不存在存贮效应，故开关速度快。一般低压器件开关时效应，故开关速度快。一般低压器件开关时间为间为10ns10ns数量级，高压器件为数量级，高压器件为100ns100ns数量级。数量级。适合于做高频功率开关。适合于做高频功率开关。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（2 2）高输入阻抗和低驱动）高输入阻抗和低驱动其输入电阻通常其输入电阻通常10107 7以上，直流驱动电流在以上，直流驱动电

34、流在0.10.1 A A的数量级，故只要逻辑幅值超过的数量级，故只要逻辑幅值超过VMOSVMOS的阈电的阈电压（压（3.5V3.5V4V4V），则可直接被），则可直接被CMOSCMOS和和LSTTLLSTTL、标准、标准TTL TTL 等器件直接驱动，驱动电路简单。可以用上等器件直接驱动，驱动电路简单。可以用上拉电阻提高驱动电平。上拉电阻值影响拉电阻提高驱动电平。上拉电阻值影响VMOS VMOS 管开管开关时间。关时间。v（3 3）安全工作区大）安全工作区大VMOS VMOS 器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故

35、电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故工作安全，可靠性高。工作安全，可靠性高。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（4 4）热稳定性好）热稳定性好VMOS VMOS 器件的最小导通电压由导通电阻器件的最小导通电压由导通电阻r rDS(on)DS(on)决决定。低压器件的定。低压器件的r rDS(on)DS(on)甚小，但是随着漏源间甚小，但是随着漏源间电压的增加而增加，即漏极电流有负的温度系电压的增加而增加，即漏极电流有负的温度系数，使管耗随温度的变化得到了一定的自补

36、偿。数，使管耗随温度的变化得到了一定的自补偿。v（5 5）易于并联使用）易于并联使用VMOS VMOS 可简单并联，以增加其电流容量。而双可简单并联，以增加其电流容量。而双极型器件并联使用须增加均流电阻、内部网络极型器件并联使用须增加均流电阻、内部网络匹配以及其它额外的保护装置。匹配以及其它额外的保护装置。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（6 6）跨导高度线性）跨导高度线性VMOS VMOS 器件是一种短沟道器件，当器件是一种短沟道器件，当V VGSGS上升到一定值上升

37、到一定值后，跨导基本为一恒定值，这就使其做为线性器后，跨导基本为一恒定值，这就使其做为线性器件使用时，非线性失真大大减小。件使用时，非线性失真大大减小。v（7 7）管内存在漏源二极管）管内存在漏源二极管VMOS VMOS 器件内部漏源之间器件内部漏源之间“寄生寄生”了一个反向的漏了一个反向的漏源二极管，它的正向开关时间小于源二极管，它的正向开关时间小于10ns10ns，和快速，和快速恢复二极管类似也有一个恢复二极管类似也有一个100ns100ns数量级的反向恢复数量级的反向恢复时间时间t trrrr。此二极管在实际电路中可起钳位和消振。此二极管在实际电路中可起钳位和消振的作用。的作用。第第2

38、2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（8 8）注意防静电破坏）注意防静电破坏尽管尽管VMOS VMOS 器件有很大的输入电容，不象一般器件有很大的输入电容，不象一般MOS MOS 器件那样对静电放电很敏感，但由于它的栅源最器件那样对静电放电很敏感，但由于它的栅源最大额定电压约为大额定电压约为 20V20V，远远低于，远远低于1001002500V2500V的静的静电电压，因此要注意采取防静电措施：运输时器电电压，因此要注意采取防静电措施：运输时器件应放在抗静电包装或导电的泡沫塑料中

39、。拿取件应放在抗静电包装或导电的泡沫塑料中。拿取器件时要带接地手镯。最好在防静电工作台上操器件时要带接地手镯。最好在防静电工作台上操作。焊接要用接地电铬铁。在栅源间应接一个电作。焊接要用接地电铬铁。在栅源间应接一个电阻保持低阻抗，必要时并阻保持低阻抗，必要时并20V20V的稳压管加以保护。的稳压管加以保护。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2. VMOS特性表第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3. VMOS 3. VMOS 应用实

40、例应用实例vVMOS VMOS 器件由于具有双极性晶体管不可比拟的优器件由于具有双极性晶体管不可比拟的优点，其应用十分广泛。图点，其应用十分广泛。图2.3.62.3.6为几种应用实例。为几种应用实例。图（图（a a）为灯泡寿命延长器。）为灯泡寿命延长器。图中图中L L为为15W15W250W250W的钨丝白炽灯，的钨丝白炽灯，R Rt t为负温度系数为负温度系数的热敏电阻，冷态电阻约的热敏电阻，冷态电阻约1.65M1.65M 。初通电时，由于。初通电时，由于R Rt t很大，通过很大，通过L L 的电流很小，随着能电时间的增长，的电流很小，随着能电时间的增长，R Rt t电阻逐渐减小，电阻逐渐

41、减小，L L 亮度逐步增加，约亮度逐步增加，约0.5s0.5s后降低后降低至至150k150k，L L 到达正常亮度。到达正常亮度。该电路可控制加于灯泡的该电路可控制加于灯泡的10101515倍额定值的冲击电倍额定值的冲击电流和降低由交流电源在灯丝上引起的机械应力（振流和降低由交流电源在灯丝上引起的机械应力（振动）动） 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏灯泡寿命延长器灯泡寿命延长器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（b b）

42、为某电池供电的便携式仪器利用）为某电池供电的便携式仪器利用VMOS VMOS 做做为模拟开关的应用。由于电源开关为单触点的薄为模拟开关的应用。由于电源开关为单触点的薄膜开关而非双触点的机械开关，故使用了此电路。膜开关而非双触点的机械开关，故使用了此电路。40434043为四重为四重RS RS 触发器。电路接通瞬间由触发器。电路接通瞬间由0.10.1 F F电电容和容和100k100k 电阻使其电阻使其Q=1Q=1，VMOS VMOS 管断。接下管断。接下“开开”按钮时，按钮时，R=0R=0，Q=0Q=0，VMOS VMOS 管通，电源通往用电回管通，电源通往用电回路。选用大电流管路。选用大电流

43、管TP8P10TP8P10（R RDSDS 0.40.4 ）以减小）以减小VMOS VMOS 管导通损耗。管导通损耗。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（c）为）为VMOS简单逆变简单逆变电源。电源。4011电路电路组成不对称组成不对称RC多谐振荡器，它多谐振荡器，它输出的二个反相输出的二个反相脉冲分别脉冲分别v驱动驱动T1和和T2两只两只VMOS，在升压变压器在升压变压器的次级可产生的次级

44、可产生220V、50Hz的交流电。的交流电。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（d）中的）中的RC不对称多沿振荡器产生约不对称多沿振荡器产生约100kHz的的方波控制方波控制VMOS管的通断。管的通断。D1、D2和二只和二只0.1 F的电的电容构成二倍压整流电路。利用稳压管可获得容构成二倍压整流电路。利用稳压管可获得(35)V的输出。的输出。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.5 2.4.5 晶体管阵列晶体管阵列 v1

45、 1MCMC1411/1412/1413/14161411/1412/1413/1416七重达林顿七重达林顿晶体管阵列晶体管阵列晶体管阵列与普通晶体管相比具有体积小，晶体管阵列与普通晶体管相比具有体积小，参数一致和可靠性高等优点，在微机后向参数一致和可靠性高等优点，在微机后向通道中应用较多，可直接驱动灯、继电器通道中应用较多，可直接驱动灯、继电器或其它大电流负载。内部的钳位二极管特或其它大电流负载。内部的钳位二极管特别适用于驱动感性负载。别适用于驱动感性负载。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分

46、 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏ULN2003 也是晶体管阵列也是晶体管阵列第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏晶体管阵列晶体管阵列v2 2功率功率MOSFET MOSFET 阵列阵列图图2.3.102.3.10为为P P沟道功率沟道功率MOSFET MOSFET 阵列的封阵列的封装及电连接图，内部封装了装及电连接图，内部封装了4 4只只MOSFETMOSFET。主要用于电机、灯泡的驱动。它应用于主要用于电机、灯泡的驱动。它应用于开关状态，驱动电平开

47、关状态，驱动电平4V4V。导通电性达。导通电性达0.80.8 。输入电容。输入电容190pF190pF。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.5 2.5 表面贴装元器件表面贴装元器件 v表面贴装元件（表面贴装元件（SMCSMC）、表面贴装器件（）、表面贴装器件（SMDSMD）又称为片状无引脚又称为片状无引脚LLLL（Lead-LessLead-Less），元器件），元器件外形尺寸只有几毫米、由于特

48、殊的工艺及结构，外形尺寸只有几毫米、由于特殊的工艺及结构，加上表面焊接技术（加上表面焊接技术（SMTSMT），具有重量很轻、），具有重量很轻、高频噪声小、抗干扰能力强而且耐振动冲击性高频噪声小、抗干扰能力强而且耐振动冲击性能好、便于全自动化生产等一系列突出的优点，能好、便于全自动化生产等一系列突出的优点，使电子系统的质量产生了一个飞跃。使电子系统的质量产生了一个飞跃。v表贴元器件分为无源元件（电阻器、电容器、表贴元器件分为无源元件（电阻器、电容器、电感器）和有源器件（晶体管、集成电路）二电感器）和有源器件（晶体管、集成电路）二种。其外形有矩形、园柱形和异形三种。种。其外形有矩形、园柱形和异形三

49、种。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏表表2.5.1 2.5.1 表面贴装元器件的分类表面贴装元器件的分类第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.5.1 2.5.1 表贴无源元器件表贴无源元器件v1 1矩形片状电阻矩形片状电阻矩形片状电阻是片状元器件中用量最大的一种元器矩形片状电阻是片状元器件中用量最大的一种元器件，矩形片状电阻的外形如图件，矩形片状电阻的外形如图2.4.12.4.1所示。它是在一所示。它是在一个基础瓷片上用蒸发的方

50、式形成一层电阻膜层，在个基础瓷片上用蒸发的方式形成一层电阻膜层，在电阻膜层上面再敷加一层保护膜，保护膜采用玻璃电阻膜层上面再敷加一层保护膜，保护膜采用玻璃或环氧树脂，两端夹以引线电极。或环氧树脂，两端夹以引线电极。片状电阻阻值常常直接标注在电阻外面，用片状电阻阻值常常直接标注在电阻外面，用3 3位数字位数字表示，前两位数表示，前两位数 字表示阻值的有字表示阻值的有 效数，第三位表效数，第三位表 示有效数字后面示有效数字后面 零的个数。零的个数。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 2 2片状电位器（可调电阻器）片状

51、电位器（可调电阻器）v片状电位器有片状的，圆柱形的和无引线扁平结构等多种。片状电位器有片状的，圆柱形的和无引线扁平结构等多种。主 要 采 用 玻 璃 釉 作 为 电 阻 体 材 料 ， 其 尺 寸 为主 要 采 用 玻 璃 釉 作 为 电 阻 体 材 料 ， 其 尺 寸 为4mm4mm5mm5mm2.5mm2.5mm。片状电位器的外形如图。片状电位器的外形如图2.4.22.4.2所示。所示。v其高频特性好，可达其高频特性好，可达100MHz100MHz，阻值范围从，阻值范围从10102M2M，额，额定功率有定功率有1/20W1/20W、1/8W1/8W、1/4W1/4W等多种，最大的等多种，最

52、大的1/2W1/2W，电流可，电流可达达100mA100mA。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3矩形片状陶瓷电容器矩形片状陶瓷电容器v它也有矩形和圆柱形两种，矩形采用多层叠层结构，它也有矩形和圆柱形两种，矩形采用多层叠层结构，具有体积小容最大的特点，体积容量比可达具有体积小容最大的特点，体积容量比可达1010 F/cmF/cm2 2。矩形片状陶瓷电容器的外形如图矩形片状陶瓷电容器的外形如图2.4.32.4.3所示。所示。v其内电极与介质材料是共同烧结而成的，具有良好的其内电极与介质材料是共同烧结而成的，具有良好的防潮性能和高可靠性。防潮性能和高可靠性。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用（常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏贴片电容器的外形与参数贴片电容器的