微机原理与接口技术第05章存储器原理与接口1ppt课件

1、第五章 存储器原理与接口DSVcc位线输出位线浮栅管行线绝缘层绝缘层浮动栅雪崩注入式浮动栅雪崩注入式MOS管管n编程编程n使栅极带电使栅极带电n擦除擦除nEPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口芯片上方有一个石英玻璃窗口n当一定光强的紫外线透过窗口照射时，一切存当一定光强的紫外线透过窗口照射时，一切存储电路中浮栅上的电荷会构成光电流泄放掉，储电路中浮栅上的电荷会构成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。使浮栅恢复初态。n普通照射普通照射2030分钟后，读出各单元的内容分钟后，读出各单元的内容均为均为FFH，阐明，阐明EPROM中内容已被擦除。中内容已被擦除。 浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS管管Flot

2、ox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄：浮栅与漏区间的氧化物层极薄20纳纳米以下，称为隧道区。当隧道区电场大于米以下，称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时时隧道区双导游通。隧道区双导游通。 当隧道区的等效电容当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降漏极间的电压大部分降在隧道区，有利于隧道在隧道区，有利于隧道区导通。区导通。擦除和写入均利擦除和写入均利用隧道效应用隧道效应10ms分分 类类掩模掩模ROM可编程可编程ROMPROM可擦除可编程可擦除可编程ROMEPROM随机存储器随机存储器RAM静态存储

3、器静态存储器SRAM动态存储器动态存储器DRAM按按功功能能(Read- Only Memory)(Random Access Memory)(Programmable ROM)(Erasable PROM)UVEPROMEEPROM只读存储器只读存储器ROMFlash Memory(Ultra-Violet)(Electrically)电可擦除电可擦除紫外线擦除紫外线擦除(Static RAM)快闪存储器快闪存储器(Dynamic RAM)只能读出不能只能读出不能写入写入,断电不失断电不失还可以按制造工艺还可以按制造工艺分为双极型和分为双极型和MOS型两种。型两种。 主要目的：存储容量、存取

4、速度。主要目的：存储容量、存取速度。 存储容量存储容量:用字数用字数位数表示，也可只用位数表示。如，某动位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为态存储器的容量为109位位/片。片。地地址址线线控制线控制线数据线数据线存储体存储体译译码码器器输输入入输输出出控控制制单译码构造单译码构造译码器译码器译码器译码器矩阵译码电路矩阵译码电路行线行线列线列线地地址址线线地址线地址线一、一、8086CPU的管脚及功能的管脚及功能 8086是是16位位CPU。它采用高性能。它采用高性能的的N沟道，耗尽型负载的硅栅工艺沟道，耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺制造。由于受当时制造

5、工艺的限制，部分管脚采用了分时复用的的限制，部分管脚采用了分时复用的方式，构成了方式，构成了40条管脚的双列直插式条管脚的双列直插式封装封装 5.3、8086CPU总线产生二、二、8086的两种任务方式的两种任务方式 最小方式：系统中只需最小方式：系统中只需8086一个处置器，一切的控一个处置器，一切的控 制信号都是由制信号都是由8086CPU产生。产生。 最大方式：系统中可包含一个以上的处置器，比如最大方式：系统中可包含一个以上的处置器，比如包含协处置器包含协处置器8087。在系统规模比较大。在系统规模比较大的情的情况下，系统控制信号不是由况下，系统控制信号不是由8086直直接产生，而接产生

6、，而是经过与是经过与8086配套的总线控配套的总线控制器等构成。制器等构成。三、最小方式下三、最小方式下8086CPU总线产生总线产生一、地址线、数据线产生一、地址线、数据线产生 相关信号线及芯片相关信号线及芯片 1、AD15AD0 (Address Data Bus) 地址地址/数据复用信号，双向，三态。在数据复用信号，双向，三态。在T1形状地址周期形状地址周期AD15AD0上为上为地址信号的低地址信号的低16位位A15A0；在；在T2 T4形状数据周期形状数据周期 AD15AD0 上是数据信号上是数据信号D15D0。 2、A19/S6A16/S3 (Address/Status)： 地址/

7、形状复用信号，输出。在总周期的T1形状A19/S6A16/S3上是地址的高4位。在T2T4形状，A19/S6A16/S3上输出形状信息。MOV 2000H, AX地址周期地址周期数据周期数据周期BHEBHEBHEBHES4S3当前正在运用的段存放器当前正在运用的段存放器00ES01SS10CS或未运用任何段存放器或未运用任何段存放器11DS3、三态缓冲的、三态缓冲的8位数据锁存器位数据锁存器74LS373 (8282)A、CP正脉冲，正脉冲，DQB、CP为零，坚持为零，坚持C、/OE=0，O0输出；否那么高输出；否那么高阻阻触发类型：上升沿，下降沿，高电平，低电平A A L L E E/ /

8、S S T T B B/ / S S T T B BA A D D1 1 5 5 - - 0 0A A1 1 9 9 - - 1 1 6 6/ / S S6 6 - - 3 3/ / S S T T B BD D3 3 - - 0 0D D7 7 - - 0 0D D7 7 - - 0 0O O3 3 - - 0 0O O7 7 - - 0 0O O3 3 - - 0 04 41 1 6 6A A1 1 9 9 - - 1 1 6 68 88 8A A D D7 7 - - 0 0A A D D1 1 5 5 - - 8 8A A7 7 - - 0 0A A1 1 5 5 - - 8 88 8

9、 0 0 8 8 6 67 7 4 4 L L S S 3 3 7 7 3 3 * * 3 311233二、数据线驱动相关信号线及芯片 1、双向数据总线收发器8286，74LS245 两个功能：a、双向选择b、通道控制 A、/OE控制通道控制通道/OE0，或门导通；，或门导通； /OE1，或门封锁；，或门封锁；B、T控制方向控制方向T0，BAT1，AB/ /D DE EN N/ /O OE EA AD D1 15 5- -0 0/ /O OE EA A7 7- -0 0A A7 7- -0 0B B7 7- -0 0B B7 7- -0 01 16 68 88 8A AD D7 7- -0 0A AD D1 15 5- -8 8D D7 7- -0 0D D1 15 5- -8 88 80 08 86 67 74 4L LS S2 24 45 5* *2 2T TD DT T/ /R RT T8 88 8、n3、CPU输入/输出数据完成， /DEN无效，74LS245停顿工作，通道断开。1/ /D DE EN N/ /O OE EA AD D1 15 5- -0 0/ /O OE EA A7 7- -0 0A A7 7- -0 0B B7 7- -0 0B B7 7- -0 01 16 68 88 8A AD D7 7- -0