场效应晶体管及实际放大电路

1、场效应晶体管及实际放大电路3.1 3.1 结型场效应晶体管结型场效应晶体管3.2 3.2 绝缘栅型场效应晶体管绝缘栅型场效应晶体管3.3 3.3 场效应晶体管的主要参数与比较场效应晶体管的主要参数与比较3.4 3.4 场效应晶体管放大电路场效应晶体管放大电路3.5 3.5 实训实训 陈奕迅晶体管放大电路的调试陈奕迅晶体管放大电路的调试第第3章章 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路3.1 结型场效应晶体管结型场效应晶体管3.1.1 结构与图形符号结构与图形符号3.1.2 工作原理工作原理1. uGS对导电沟道的控制作用对导电沟道的控制作用 2. uDS对对iD的影响的影响3.1.3 特性曲

2、线特性曲线1. 输出特性曲线输出特性曲线 常数GSuDSDufi| )(预夹断轨迹饱和区(恒流区)uGS0 V1 V3 V2 V截止区U(BR)DSuDS / V击穿区可变电阻区iD / mAO2. 转移特性曲线转移特性曲线 常数DSuGSDufi| )(2)(1offGSGSDSSDUUIi3.2 绝缘栅型场效应晶体管绝缘栅型场效应晶体管3.2.1 N沟道增强型沟道增强型MOS管管1. 结构与图形符号结构与图形符号2. 工作原理工作原理a）b）c）d）e）N+N+P衬底sgduGSB 耗尽层 N+N+P衬底sgduGSB 反型层N+N+P衬底sgduGSuDSBN+N+P衬底sgduGSuD

3、SAN+N+P衬底sgduGSuDSAN沟道增强型MOS管导电沟道变化情况 3. 特性曲线特性曲线O iD / mAuDS=uGS-UGS(th)预夹断轨迹可变电阻区饱和区UGS=2UGS (th)UGS3UGS2UGS1UGS=UGS(th)截止区击穿区U(BR)DSuDS / V uGS / V2UGS(th)UGS(th)OiD / mAIDOa） b）特性曲线特性曲线a）输出特性）输出特性 b）转移特性）转移特性3.2.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管管1. 结构与符号结构与符号 a） b） c） 图 3-9 耗尽型 MOS 管的结构与符号 a）N 沟道管结构图 b）N 沟道管电路符

4、号 c）P 沟道管电路符号 P衬底金属铝sgdBgdsB衬底gdB衬底s耗尽层二氧化硅（SiO2)反型层N+N+2. 工作原理工作原理 a） b） c） 图 3-9 耗尽型 MOS 管的结构与符号 a）N 沟道管结构图 b）N 沟道管电路符号 c）P 沟道管电路符号 P衬底金属铝sgdBgdsB衬底gdB衬底s耗尽层二氧化硅（SiO2)反型层N+N+3. 特性曲线特性曲线3.3 场效应晶体管的主要参数与比较场效应晶体管的主要参数与比较3.3.1 场效应晶体管的主要参数场效应晶体管的主要参数3 极限参数极限参数 3.4 场效应晶体管放大电路场效应晶体管放大电路3.4.1 共源极放大电路共源极放大

5、电路1. 自偏压共源放大电路自偏压共源放大电路+-uiC1C2+-uoCSgsdRGRSRD+UDDgsdRSRDRG+UDDRL VT+1）静态分析）静态分析2）动态分析）动态分析2. 分压式偏置共源放大电路分压式偏置共源放大电路+-uiC1C2+-uoCSsdRSRD+ UD DRG 1RG 2RL gRGV TgsdRSRDRG 1RG 2RG+ UD DID+1）静态分析）静态分析+-uiC1C2+-uoCSsdRSRD+ UD DRG 1RG 2RL gRGV TgsdRSRDRG 1RG 2RG+ UD DID+2）动态分析）动态分析gdsVTRL RDRG+-uo+-uiRG1RG2+-ui+-uogdsugsgmugsRDRL +-RGRG2RG1id3.4.2 共漏极放大电路共漏极放大电路+-uiC1C2+-uogsdRS+UDDRG1RG2RGRL VT+-ui+-uogdsgmugsRSRL Ro+-ugsRiii +RGRG1RG2（3）输出电阻）输出电阻ui=0gdsgmugs+-ugsiRoRs+-uRGRG1RG2ugRugRuugRuimSmSgsmS)1(mSmSogRgRiuR1/