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1、第四节第四节 沉淀的污染和纯化沉淀的污染和纯化 沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀共沉淀：当待测组分沉淀析出时，可溶性共沉淀：当待测组分沉淀析出时，可溶性杂质也同时被沉淀下来。杂质也同时被沉淀下来。后沉淀：在被测组分沉淀结束后，杂质有沉后沉淀：在被测组分沉淀结束后，杂质有沉积在沉淀表面的现象积在沉淀表面的现象减少吸附的方法：加热溶液减少吸附的方法：加热溶液 洗涤沉淀减小比洗涤沉淀减小比表面积。表面积。沉淀对杂质离子的吸附选择性：扩散层中能与构晶沉淀对杂质离子的吸附选择性：扩散层中能与构晶离子形成难溶盐或难电离化合物的离子优先被吸附，离子形成难溶盐或难电离化合物的离子优

2、先被吸附，价数高、浓度大的离子易被吸附。价数高、浓度大的离子易被吸附。吸附顺序：先吸附构晶离子形成吸附层，再吸附抗吸附顺序：先吸附构晶离子形成吸附层，再吸附抗衡离子形成扩散层。吸附层和扩散层组成的双电层衡离子形成扩散层。吸附层和扩散层组成的双电层能随沉淀颗粒析出。见图能随沉淀颗粒析出。见图9-2产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力一、共沉淀一、共沉淀（一吸附共沉淀（一吸附共沉淀（二形成混晶（二形成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近时，晶杂质离子与构晶离子半径相近时，晶格结点被杂质离子占据而形成相同晶格格结点被杂质离子占据而形成相同晶格结构的混晶，如结构

3、的混晶，如PbSO4和和BaSO4，BaCrO4和和BaSO4，KMnO4和和BaSO4，消除方法：分离除去杂质。消除方法：分离除去杂质。（三包藏作用（三包藏作用 产生原因：由于沉淀生成得太快，被产生原因：由于沉淀生成得太快，被吸附杂质或母液被覆盖在沉淀内部而造吸附杂质或母液被覆盖在沉淀内部而造成的共沉淀现象。成的共沉淀现象。消除方法：陈化或重结晶消除方法：陈化或重结晶二、后沉淀二、后沉淀 在被测组分沉淀结束后，杂质又在被测组分沉淀结束后，杂质又沉积在沉淀表面的现象叫后沉淀。沉积在沉淀表面的现象叫后沉淀。 例如在稀酸条件下用例如在稀酸条件下用H2S沉淀沉淀Cu2+和和Zn 2+混合溶液中的混合溶液中的Cu2+, ZnS易产生后沉淀。易产生后沉淀。三、沉淀条件的选择三、沉淀条件的选择 1. 晶形沉淀的沉淀条件：稀、慢、搅、热、陈晶形沉淀的沉淀条件：稀、慢、搅、热、陈2. 无定形沉淀的沉淀条件：浓、热、加电解质、无定形沉淀的沉淀条件：浓、热、加电解质、不陈化不陈化 3. 均匀沉淀法：利用一种化学反应，控制一定均匀沉淀法：利用一种化学反应，控制一定的条件，使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可的条件，使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可避免局部沉淀剂过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。避免局部沉淀剂过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。常用的均匀沉淀

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