毕设之开关电源设计_第1页
毕设之开关电源设计_第2页
毕设之开关电源设计_第3页
毕设之开关电源设计_第4页
毕设之开关电源设计_第5页
已阅读5页,还剩5页未读, 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、 综 合 课 程 设 计开 关 电 源 设 计 院系、部: 姓 名: 班 级: 指导教师签名: 年 月 日·北京 目 录任务书-3设计根本条件-3论文摘要-3关键词-3原理框图-3开关电源主电路的设计-3电压型半桥逆变工作原理-3IGBT管的电压电流市场计算与选择-4驱动控制电路的设计-7缓冲保护电路的设计-8器件参数-9设计体会-9参考文献-9任务书1 设计整流与逆变主电路,计算参数并选择器件2 驱动控制电路的设计3 缓冲保护电路的设计4 绘制原理图设计根本条件输入 / 输出电压:单相220V AC/ 28VDC输出电流:100A 28V论文摘要这次设计应用了全控型器件IGBT来完

2、成开关稳压电源的设计,电压型半桥式逆变电路构成开关电源主电路,采用EXB系列驱动电路模块为IGBT驱动、CW494PWM为控制芯片共同构成驱动控制电路。关键词IGBT 半桥式逆变电路 EXB驱动原理框图 开关电源主电路的设计一) 电压型半桥逆变工作原理电压型逆变的特点是输出电压矩形波、输出电流近似正弦。当IGBT二管均不触发截止时,通过电容C1、C2 分压,电容二端均为1/2 U。当IGBT1管触发导通时,U经IGBT1管VI1,高频变压器一次侧对C2充电,C1上电压通过VI1管对变压器放电;VI2导通VI1关断时,U经VI2、变压器对C1充电,C2通过VI2管对变压器放电。由于C1、C2电容

3、量大,器件交替触发通断频率高,电容两端电压可看成不变均为U/2。从理想状态分析,逆变器输出电压波形为交变矩形波,幅值均为了1/2 U。感性负载时,由于电流滞后电压,IGBT管需接反并二极管模块内部已有,提供无功功率与续流。实际工作时,由于IGBT管关断需要时间,在两管交替触发时刻会造成两管同时导通使直流电压短路,这是绝不允许的。为此通过触发脉冲的脉冲的脉宽调制控制,使IGBT管导通时间少于是1/2 T,即出现两管均不导通的死区,通常控制脉宽占空比范围为0.850.9,这种控制方式称死区控制。二) IGBT管的电压电流市场计算与选择管子电压 交流220V经全桥整流滤波,加至逆变桥的电压U约为28

4、0V左右,考虑余量通常选600V等级的IGBT管。管子电流19A,考虑开关损耗和裕量选50A管子。选用二管模块结构的IGBT管,型号为SKM 50GB123D 德国西门康公司生产。高频整流 20KHz高频交流的整流由高频变压器与高频全波整流组成。高频变压器作用是电压变换、功率传递和输入输出隔离。1) 高频变压器的参数计算原边电压Vs = 140V, 副边为有中心抽头全波整流工作方式,输出电压Vo= 28V ,Io=100A,频率为20KHz,变压器效率=0.98,调整率a1%,工作磁通密度Bw=0.3T,铁心选用EI型(1) 视在功率。设整流电路二极管的压降 (2) 计算Ke 和 的值。查表得

5、,方波波形系数Kf = 4 (3) 由表查得最接近的值磁心编号,并记下其他参数为型号为2-50EI,(4) 计算原边绕组匝数Np。其中 (5) 求原边电流Ip。(6) 求电流密度。(7) 计算原边绕组裸线面积。 由AWG导线规格表查得最接近裸线面积的导线编号为AWG#18 计算原边绕组电阻 计算原边绕组铜耗为(8) 求副边绕组匝数。 ,副边电压为 计算副边绕组裸线面积 查表得最接近裸线面积为AWG#12计算副边绕组电阻 计算副边绕组铜耗为 在绕制变压器时,尽量选用多股线,并使多股线截面积与上面所选的AWG#12,18截面积相等。(9) 求调整率a。调整率是导线内阻的反映,也是铜耗的反映,故有

6、符合调整率a1%的要求,设计通过。下面有关铁耗等计算,也许可以满足总损耗限定,温度限定的要求,在此从略。2) 高频整流采用快恢复开关二极管,采用美国MOTOIROLA公司生产的超快恢复功率二极管,型号为MUR200 40CT,电流为100A,电压为40V,反向恢复时间<50ns。 图1开关电源主电路图驱动控制电路的设计 图2 驱动控制电路 图3 EXB840周边电路缓冲保护电路的设计图4 R、C、D过压吸收和栅极保护电路IGBT逆变器高频工作,有明显波形畸变,关断时会造成很陡的尖峰电压,需设计适宜的缓冲或吸收网络。图4中,二极管D的作用是让电容在IGBT开通瞬间通过R2放电,以减少其开通

7、负担。在IGBT关断时,通过D给电容放电,以降低IGBT集电极的电压上升率dv/dt。这样,就将开关损耗从IGBT转移到了电阻R上。双向箝位稳压管2CW15A和Ro1k可提高IGBT栅极抗干扰能力。 电容值为 Ip原边电流=20.84A,集电极电流下降时间=0.5T=25us,Vceo(所用晶体管的Vceo额定值)=600V电阻值为器件参数器件符号名称参数封装类型耐压功率价格R30K1/4WR01K1/4WR1811/4WR2811/4WRg1251/4WRg2251/4WC1000uF50VC110VC210VC310uF10VC49000uF250VC59000uF250VIGBTSKM 50GB123D600VDIODEMUR200 40CT40VVT2CW15AL整流桥MDC 40A/800V800V8设计体会通过这次课程设计,我了解了一件产品的根本设计流程,同时,也对所学的知识有了更进一步的了解以及体会。在设计过程中,认识了自己的很多缺乏之处。因此,由于时间以及自身知识的欠缺,这次设计的产品有点粗糙,有许多缺乏之处。所以,通过这次设计,让我受益匪浅。参考文献张占松 ?开关电源的原理与设计? 电子工业出版社 1998 莫正康 ?电力电子应用技术? 机械工业出版社 2000 王维

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论