半导体三极管R

1、半导体三极管R五、五、 稳压二极管及应用稳压二极管及应用稳压管的符号稳压管的符号3. 3. 稳压管的稳压条件稳压管的稳压条件必须工作在反向击穿状态；必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在流过稳压管的电流在I IZ Z和和I IZMZM之间之间 。【 】内容内容回顾回顾1.3.1 晶体管的结构和类型晶体管的结构和类型基区基区发射区发射区集电区集电区发射结发射结集电结集电结发射极发射极基极基极集电极集电极bec【 】内容内容回顾回顾1.3 双极型晶体管双极型晶体管PNP型型注意：注意：NPN型与型与PNP型三极管型三极管符号的区别符号的区别【 】内容内容回顾回顾NPN型型发射极箭头的方向发射极

2、箭头的方向为为射极射极电流的方向电流的方向CiEiBiCiEiBi1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是发晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。射结正向偏置且集电结反向偏置。 【 】内容内容回顾回顾1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC一、晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流

3、子的运动二、晶体管的电流分配关系二、晶体管的电流分配关系BCEIIIBEBCI)1(III1.3.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+- 实验线路实验线路mA AVVRBECEBRC1. 1. 输入特性输入特性IB( A)UBE(V)204060800.40.8导通电压：导通电压： 硅管硅管(0.7V) UBE 0.60.8V,锗管锗管(0.2V) UBE 0.10.3V。开启电压：开启电压：硅管硅管0.5V，锗管锗管0.1V。常数CEUBEBufi|UCE增大，特性曲线右移；当增大，特性曲线右移；当UCE1V后，曲线基本不变化后，曲线基本不变化IC(mA )

4、1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域此区域(截止区截止区) IB=0, IC=ICEO0,UBE0 UCEUBEIC只与只与IB有关，有关，IC= IB发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域此区域(饱和区饱和区) ：UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCES 0.3VUCES临界饱和线临界饱和线发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点: : 放大区：发射结正偏，集电结

5、反偏。放大区：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系：电流关系： I IC C= = I IB B , , 且且 I IC C = = I IB B 电压关系：电压关系： （NPN)NPN) （PNPPNP）CBEUUUEBCUUU(3) 截止区：截止区： UBE I IC C 电压关系：电压关系： （NPN)NPN) （PNP)PNP) UCES 0.3V 0.3VECUUUBBCEUUU1.3.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数一、直流参数一、直流参数二、交流参数二、交流参数1. 共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数BCBCEOCIIIII2. 共基直流电流放大系数共基直流电流放大系数E

6、CII1. 1. 共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数= = =常数常数 CEUBCii2. 2. 共基交流电流放大系数共基交流电流放大系数 = = =常数常数 CBUECii通常认为：通常认为： ，三、极限参数三、极限参数1. 最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM3. 特征频率特征频率fT ： 使使的数值下降到的数值下降到1的信号频率的信号频率。2. 最大集电极集电极电流最大集电极集电极电流ICM3. 极间反向击穿电压极间反向击穿电压1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对一、温度对I ICBO的影响的影响温度升高时，温度升高时， I ICBO

7、增大。增大。二、温度对输入特性的影响二、温度对输入特性的影响三、温度对输出特性的影响三、温度对输出特性的影响温度升高时，温度升高时，特性曲线上特性曲线上移移温度升高时，温度升高时， 特性曲线左移特性曲线左移0.7V4V00.7V0.3V0 0 4V00.7V0 4V【例【例1 】判断以下三极管的工作状态。】判断以下三极管的工作状态。放大放大饱和饱和截止截止倒置倒置【例【例3】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。锗管。解题思路解题思路(1)三极管处于放大

8、状态三极管处于放大状态(2)确定基极和发射极确定基极和发射极(3)确定三极管为硅管还是锗管确定三极管为硅管还是锗管(4)确定为何种类型确定为何种类型作业：作业：P70 1.9【例【例3】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。硅管硅管硅管锗管锗管锗管总结：总结： 1、掌握三极管的电流分配关系。、掌握三极管的电流分配关系。 2、掌握三极管的外特性曲线。、掌握三极管的外特性曲线。 3、掌握三极管三种工作状态的电压、掌握三极管三种工作状态的电压 和电流关系及

9、工作状态的判别。和电流关系及工作状态的判别。作业：习题作业：习题P70 1.9 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种场效应管有两种:1.4 场效应管场效应管 ( FET )1.4.1 结型场效应管的结构和工作原理结型场效应管的结构和工作原理 N沟道沟道漏极漏极D源极源极S栅极栅极G一、结构和工作原理一、结构和工作原理P沟道沟道漏极D源极S栅极G二、工作原理二、工作原理 1. 1. U UDSDS0 0，U UGS

10、GS对导电沟道的影响对导电沟道的影响 沟道变窄，沟道变窄，当当 增大到一定增大到一定值，耗尽层闭合。值，耗尽层闭合。 - 夹断电压夹断电压 GSUGSU)(offGSUiD2 2、当、当U UGS(off)GS(off) U UGSGS0,00时，时，U UDSDS i iD D 耗尽层的宽度不耗尽层的宽度不同。同。 当当U UDSDS U UGS(off)GS(off)出出现预夹断，如果现预夹断，如果U UDSDS 夹断区加长，夹断区加长， i iD D不变。不变。综上所述综上所述:在在u uDSDS u uGSGS-U-UGS(off)GS(off)的的情况下情况下, 对应于不同的对应于不

11、同的U UGSGS ，d - s间等效成不同间等效成不同阻值的电阻。阻值的电阻。当当u uDSDS使使u uGDGD = u= uGS(off)GS(off)时，时，d - s之间预夹断。之间预夹断。当当u uDSDS使使u uGDGD uVGS(th) N ， MOS 管导通。管导通。与与 PNP 三极管相似，三极管相似， PMOS 管为电压控制管为电压控制器件，当器件，当 Vgs00时，时，iD0 0。 当当U UDSDS0 0 且且U UGSGS00时，时，iG0,0,形成形成耗尽耗尽层。层。 U UGSGS 形成反型层形成反型层导电沟道，此时的导电沟道，此时的U UGSGS称为开启电压

12、称为开启电压U UGS(th)GS(th) 。耗尽层耗尽层导电沟道的形成导电沟道的形成反型层反型层四、绝缘栅型场效应管的特性曲线四、绝缘栅型场效应管的特性曲线 1.1.输出特性曲线输出特性曲线 常数GSUDSD)u(fiDi 三、特性曲线三、特性曲线 1、输出特性曲线、输出特性曲线夹断区夹断区 三、特性曲线三、特性曲线 1、输出特性曲线、输出特性曲线可变电阻区可变电阻区 三、特性曲线三、特性曲线 1、输出特性曲线、输出特性曲线 恒流区恒流区（饱和区）（饱和区）2 2、转移特性曲线、转移特性曲线 常数DSUGSD)u(fi2)th(GSGSODD1UuIiODI)th(GSU：开启电压开启电压五、场效应管分类五、场效应管分类结型结型场效应管场效应管场效应管的分类场效应管的分类MOSMOS型型场场效应管效应管增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道P沟道沟道六、场效应管的符号及特性曲线六、场效应管的符号及特性曲线输出特性曲线转移特性曲线符号类型P沟道结型场效应管N沟道结型场效应管输出特性曲线转