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文档简介

1、普瑞得哈氏實驗教材SP-28光澤錫鉛工藝普瑞得哈氏實驗教材SP-28光澤錫鉛工藝內容n1.簡介n2.組成及操作條件n3.哈氏片外觀n4.總結普瑞得哈氏實驗教材一. 簡 介普瑞得哈氏實驗教材二. 組成及操作條件產品單位最佳條件範圍烷基磺酸g/lg/l142142118165118165烷基磺酸錫g/lg/l484835603560鉛濃度g/lg/l5 53636SP-28-B光澤劑ml/lml/l303030403040SP-28-STR起始劑ml/lml/l8 8410410SP-28-N開缸劑ml/lml/l1010溫度181816401640正常操作條件電流:5A時間:1min溫度: 18

2、攪拌:無普瑞得哈氏實驗教材SP-28-B光澤劑的影響光澤劑過高50ml/lHCD燒焦有針孔光澤劑過低10ml/lLCD白霧23ASD以上燒焦普瑞得哈氏實驗教材SP-28-STR起始劑的影響起始劑過高12ml/lHCD輕微燒焦起始劑過低4ml/lLCD輕微白霧HCD輕微燒焦普瑞得哈氏實驗教材錫的影響錫過高68g/lHCD輕微燒焦LCD光澤情形不佳,白霧錫過低30g/lHCD光澤情形不佳,燒焦LCD白霧普瑞得哈氏實驗教材酸的影響酸過高180g/lHCD輕微燒焦LCD白霧酸過低110g/lHCD輕微燒焦LCD光澤情形不佳,白霧普瑞得哈氏實驗教材鉛的影響鉛過高8g/lHCD輕微燒焦鉛過低1g/lLCD光澤情形不佳,白霧普瑞得哈氏實驗教材四. 結 論 從以上哈氏片外觀結果可總結出:SP-28光澤錫鉛工藝參數作用如下:參數作用問題改善對策偏低偏高烷基磺酸增加導電性高電流區針孔電流密度上限受影響帶出損耗大 分析並調整之烷基磺酸錫提供主鹽高電流區粗糙,鍍層不均勻,沉積速度低高電流區燒焦,帶出損耗大鉛濃度增加鍍層均一性高電流區針點,鍍層均一性差低電流區發濛SP-28-B光澤劑增加低電流區亮度鍍層光亮區窄,電流密度上受影響影響鍍層品質哈氏槽調整(加光澤劑,以2ml/l逐量添加)直到光亮度恢復SP-28-STR起始劑增加電流操

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