第5章晶体管及交流放大电路

1、1电工学电工学办公室：办公室：10226电话：电话巧玲刘巧玲2第5章 晶体管及放大电路n重点：晶体管电流放大原理n难点：放大电路的静态分析与动态分析n（一）晶体管及基本放大电路（理解）n（二）基本放大电路（掌握）n（三）放大电路的估算法（理解）31 晶体管晶体管.03 2 基本放大电路基本放大电路.28 3放大电路的估算分析方法放大电路的估算分析方法.42 4 静态工作点的稳定静态工作点的稳定.52 第5章 晶体管及放大电路4第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路1 晶体管晶体管 5第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路1 晶体管晶体管 一、分类一

2、、分类按制作材料分为：硅晶体管、锗晶体管按制作材料分为：硅晶体管、锗晶体管按内部杂质区排列分为：按内部杂质区排列分为：NPN管、管、PNP管管按工作频率分为：高频管、低频管按工作频率分为：高频管、低频管按输出功率分为：大功率管、小功率管按输出功率分为：大功率管、小功率管以下若无特殊说明均以以下若无特殊说明均以NPN硅管为例硅管为例6第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路二、内部结构二、内部结构 晶体管的内部结构及电路符号如下图所示，晶体管的内部结构及电路符号如下图所示，晶体管有三个区、两个结及三个电极，分别为：晶体管有三个区、两个结及三个电极，分别为：bbbcbccceeNNNPPP

3、TT7第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路1 1、三个杂质区域、三个杂质区域发射区：发射区在晶体管内部结构图下面的区域发射区：发射区在晶体管内部结构图下面的区域, ,制制 作时要求发射区高浓度掺杂，发射区的作用作时要求发射区高浓度掺杂，发射区的作用 是发射其储存的载流子。是发射其储存的载流子。基区：基区在晶体管内部结构图中间的区域，制作时基区：基区在晶体管内部结构图中间的区域，制作时 要求低浓度掺杂，并且要求基区宽度要非常要求低浓度掺杂，并且要求基区宽度要非常 窄，一般基区的宽度在几个微米，基区的作用窄，一般基区的宽度在几个微米，基区的作用 是分配载流子。是分配载流子。8第第5 5

4、章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路集电区：集电区在晶体管内部结构图的上面区域，集电区：集电区在晶体管内部结构图的上面区域， 集电区的区域面积比较大，其杂质类型与集电区的区域面积比较大，其杂质类型与 发射区相同。集电区的作用是收集载流子发射区相同。集电区的作用是收集载流子2 2、两个结、两个结 发射结：发射区与基区之间的发射结：发射区与基区之间的PN结结集电结：基区与集电区之间的集电结：基区与集电区之间的PN结结9第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3、三个电极、三个电极发射极：与发射区联接的电极，用字母发射极：与发射区联接的电极，用字母E、e 表示表示基极：与基区联接的电极

5、，用字母基极：与基区联接的电极，用字母B、b表示表示集电极：与集电区联接的电极，用字母集电极：与集电区联接的电极，用字母C、c 表示表示10n结构特点结构特点1、三区两结、三区两结2、基区很、基区很薄薄3、e区区重重掺杂掺杂 c区区轻轻掺杂掺杂 b区掺杂区掺杂最轻最轻4、集电区集电区的的面积面积则比发射区做得则比发射区做得大大，这，这是三极管实现电流放大的内部条件。是三极管实现电流放大的内部条件。第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路11第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路三、电流放大原理三、电流放大原理 放大电路如图所示，左侧为放大电路的输入放大电路如图所示，左侧为放大

6、电路的输入回路，右侧为放大电路的输出回路。回路，右侧为放大电路的输出回路。1 1、晶体管放大的条件：、晶体管放大的条件： 发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏12第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2 2、晶体管的电流放大作用、晶体管的电流放大作用晶体管中载流子运动示意图晶体管中载流子运动示意图13第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路1 1）发射结正偏）发射结正偏 正偏的发射结阻挡层变窄，发射区储存的多正偏的发射结阻挡层变窄，发射区储存的多数载流子数载流子- -自由电子开始穿越发射结进入基区，这自由电子开始穿越发射结进入基区，这些带电粒子的定向移动就形成了晶体管的

7、发射极些带电粒子的定向移动就形成了晶体管的发射极电流电流 。 发射结正偏时，基区的多数载流子发射结正偏时，基区的多数载流子- -空穴也空穴也会穿越发射结，但是这部分载流子的数目太少，会穿越发射结，但是这部分载流子的数目太少，在发射极电流中的比例太小，可以忽略不计。这在发射极电流中的比例太小，可以忽略不计。这样发射极电流可以认为是由发射区出发的自由电样发射极电流可以认为是由发射区出发的自由电子构成。子构成。EI14第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2 2）在基区内）在基区内 基区的多数载流子是空穴，发射区出发的自基区的多数载流子是空穴，发射区出发的自由电子在基区内将会与基区的空穴复

8、合，由自由由电子在基区内将会与基区的空穴复合，由自由电子复合所形成的电流是晶体管的基极电流电子复合所形成的电流是晶体管的基极电流 ，由于基区的杂质浓度很低，所以在基区内被复合由于基区的杂质浓度很低，所以在基区内被复合的自由电子数很少，基极电流的数值就很小。的自由电子数很少，基极电流的数值就很小。 由于基区的宽度很窄，未被复合的自由电子由于基区的宽度很窄，未被复合的自由电子将继续移动到晶体管的集电结。将继续移动到晶体管的集电结。BI15第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3）集电结反偏）集电结反偏 反偏的集电结电场阻碍集电结两侧的多数载流反偏的集电结电场阻碍集电结两侧的多数载流子

9、扩散，促使少数载流子漂移，自由电子在发射区子扩散，促使少数载流子漂移，自由电子在发射区是多数载流子，在基区内就转变为少数载流子，在是多数载流子，在基区内就转变为少数载流子，在集电结电场的作用下，基区内的自由电子将穿越集集电结电场的作用下，基区内的自由电子将穿越集电结形成集电极电流电结形成集电极电流 。 同样，由于集电区的少数载流子数目太少，对同样，由于集电区的少数载流子数目太少，对集电极电流的影响可以忽略，所以集电极电流可以集电极电流的影响可以忽略，所以集电极电流可以认为是由发射区出发的自由电子构成。认为是由发射区出发的自由电子构成。CI16第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路综上

10、所述：综上所述：（1 1）晶体管的三个电极电流之间有）晶体管的三个电极电流之间有（2 2）晶体管的集电极电流与基极电流之间有）晶体管的集电极电流与基极电流之间有式中式中 为常数，其数值大小由晶体管的制造工艺决定。为常数，其数值大小由晶体管的制造工艺决定。EBCIIICBII17第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路（3 3）当改变晶体管发射结正偏电压）当改变晶体管发射结正偏电压 时，晶体时，晶体管的基极电流发生变化，集电极电流随之发生变化，管的基极电流发生变化，集电极电流随之发生变化，但晶体管三个电极电流之间的关系不变。但晶体管三个电极电流之间的关系不变。即下式成立：即下式成立：BE

11、UEBCIII CBII18【例】 一个处于放大状态的晶体管发射极电流为12.1mA，集电极电流为12.0mA，晶体管的 是多少？解求基极电流 BEC12.1 12.00.1(mA)IIICB12(mA)1200.1(mA)II第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路19第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3、晶体管的联接方式、晶体管的联接方式 由于晶体管的不同联接方式，放大电路分为共由于晶体管的不同联接方式，放大电路分为共射极放大电路、共集电极放大电路与共基极放大电射极放大电路、共集电极放大电路与共基极放大电路，如下图所示。不同结构的放大电路工作状态不路，如下图所示。

12、不同结构的放大电路工作状态不同，电路的性能参数也不同。同，电路的性能参数也不同。(a)共射极放大电路共射极放大电路 (b)共集极放大电路共集极放大电路 (c)共基极放大电路共基极放大电路20第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路四、晶体管的特性曲线四、晶体管的特性曲线1 1、输入特性、输入特性在在 时，两个时，两个PNPN结均正偏，晶体管不放大。结均正偏，晶体管不放大。 在在 时，发射结正偏，集电结反偏，晶体管时，发射结正偏，集电结反偏，晶体管 工作在放大状态。工作在放大状态。CEBBEC()UIf UCE0UCE1VU21第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2 2、输出

13、特性、输出特性晶体管的输出特性为晶体管的输出特性为输出特性曲线是一簇曲线。输出特性曲线是一簇曲线。在在 时，输出电流随时，输出电流随 增加而增大；增加而增大；在在 时，输出电流与时，输出电流与 无关，呈现恒流特性。无关，呈现恒流特性。BCCEC()IIf UUCEICoIB=0IB1截止区饱和区放大区过载区IB2IB3IB4CE1VUCE1VUCEUCEU22第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3、晶体管的工作区、晶体管的工作区1）饱和区）饱和区 位置：靠近纵轴位置：靠近纵轴 原因：两个原因：两个PN结均正偏结均正偏 特点：在饱和区晶体管的电流数值较大、特点：在饱和区晶体管的电

14、流数值较大、 管压降数值管压降数值1V，晶体管不放大。，晶体管不放大。23第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2）截止区）截止区 位置：靠近横轴位置：靠近横轴 原因：两个原因：两个PN结均反偏结均反偏 特点：在截止区晶体管的电流近似为零、特点：在截止区晶体管的电流近似为零、 管压降数值较高，晶体管不放大。管压降数值较高，晶体管不放大。24第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3）放大区）放大区位置：在特性曲线的中间部位位置：在特性曲线的中间部位原因：发射结正偏、集电结反偏原因：发射结正偏、集电结反偏 特点：集电极电流随基极电流而变，与晶体管的管压特点：集电极电流随基极

15、电流而变，与晶体管的管压 降无关，晶体管对接收到的微小电流信号进行降无关，晶体管对接收到的微小电流信号进行 放大。放大。 25第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路4 4）过载区）过载区位置：放大区的上部位置：放大区的上部特点：晶体管工作时产生的功率损耗大于晶体管自身特点：晶体管工作时产生的功率损耗大于晶体管自身 能够散发掉的热量，过载区的晶体管会因为过能够散发掉的热量，过载区的晶体管会因为过 热而损坏。热而损坏。 26第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路五、主要参数五、主要参数1 1、电流放大倍数、电流放大倍数 直流电流放大倍数直流电流放大倍数交流电流放大倍数交流电流放

16、大倍数由于上两式计算后的数值接近，通常认为由于上两式计算后的数值接近，通常认为CBIICBII27第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2 2、极间反向漏电流、极间反向漏电流1 1）集）集- -基间反向漏电流基间反向漏电流 是由集电区的少数载流子形成的反向漏电，是由集电区的少数载流子形成的反向漏电，其量纲是其量纲是CBOIACBOI28第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路2 2）集）集- -射极间反向漏电流射极间反向漏电流 是由集电极流向发射极的反向漏是由集电极流向发射极的反向漏电，通常也称为晶体管的穿透电流。电，通常也称为晶体管的穿透电流。穿透电流穿透电流 与集与集-

17、-基极间反向漏电基极间反向漏电 之间的关系为：之间的关系为：硅管：硅管： 约为几个微安约为几个微安锗管：锗管： 约为几十约为几十- -几百微安几百微安CEOICBOICEOICEOCBOCBOCBO(1)IIIICEOICEOI29第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路3 3、集电极最大电流、集电极最大电流定义：晶体管电流放大倍数值下降到正常值的定义：晶体管电流放大倍数值下降到正常值的2/32/3倍倍 时的集电极电流为晶体管集电极电流的最大时的集电极电流为晶体管集电极电流的最大 值。值。晶体管正常工作时应取：晶体管正常工作时应取：CMICCMII30第第5 5章章 晶体管及放大电路晶

18、体管及放大电路4 4、晶体管最大耗散功率、晶体管最大耗散功率 晶体管的耗散功率由晶体管的外表面能够晶体管的耗散功率由晶体管的外表面能够散发的热量决定，正常工作时，晶体管的功率散发的热量决定，正常工作时，晶体管的功率CMPCMPP31第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路5 5、反向击穿电压、反向击穿电压CEO(BR)UCCCEO(BR)12()23UUCECEO(BR)UUCEO(BR)U定义：定义： 为晶体管工作时集电极与发射极之间允为晶体管工作时集电极与发射极之间允 许施加的最大反向电压，如果许施加的最大反向电压，如果 , ,晶体晶体 管的管的PNPN结将会出现击穿。结将会出现击

19、穿。 为使晶体管不会被过电压击穿损坏，一般取晶体为使晶体管不会被过电压击穿损坏，一般取晶体管的工作电源电压：管的工作电源电压： 32第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路一、放大电路的组成一、放大电路的组成T ：放大元件，电流放大元件：放大元件，电流放大元件Ucc ：工作电源，为放大电路提供能量：工作电源，为放大电路提供能量RB ：偏置电阻，为晶体管提供偏置电流：偏置电阻，为晶体管提供偏置电流RC ：集电极电阻，将放大后的电流信号转换为电压信号：集电极电阻，将放大后的电流信号转换为电压信号C1、C2 ：耦合电容，隔断直流、导通交流：耦合电容，隔断直流、导通交流+UCCC1C2RBRC

20、uoTesRLRsuiciib+-+UCCC1C2RBRCu+sTeoiRsu-icibUBB+-2 基本放大电路基本放大电路 33第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路二、偏流的作用二、偏流的作用 由于晶体管不放大交流信号，交流信号需要叠由于晶体管不放大交流信号，交流信号需要叠加在偏流加在偏流 上才能被放大上才能被放大UBEuiBEQIiBoottoIBBQQ21UUBEuioottoIBiBB0I B0I BI34n直流通路：直流通路：直流电源作用下直流电流流直流电源作用下直流电流流经的道路经的道路n画直流通路的原则画直流通路的原则C C开路开路L L短路短路输入信号为输入信号为

21、0 0（保留内阻）（保留内阻）RCVRBUCCuoC2RLuiC1 阻容耦合共射放大电路 第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路三、放大电路的直流通路与交流通路三、放大电路的直流通路与交流通路35RCVRBUCCuoC2RLuiC1 阻容耦合共射放大电路 RBUCCRC (a)直流通路直流通路 第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路直流通路直流通路36n交流通路：交流通路：只考虑交流信号的分电路只考虑交流信号的分电路n画交流通路的原则画交流通路的原则C C短路短路直流电源对地短路直流电源对地短路（恒压源处理）（恒压源处理）RCVRBUCCuoC2RLuiC1 阻容耦合共射放

22、大电路 第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路37RCVRBUCCuoC2RLuiC1 阻容耦合共射放大电路 RCuousRsRBRLIiIo (b)交流通路交流通路第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路38直流通路直流通路交流通路交流通路练习：请画出下面电路的直流通路的交流通路。练习：请画出下面电路的直流通路的交流通路。39直流通路直流通路交流通路交流通路40第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路四、晶体管参数的书写符号四、晶体管参数的书写符号直流信号：使用大写字母、大写下标直流信号：使用大写字母、大写下标交流瞬时值：使用小写字母、小写下标交流瞬时值：使用小写字

23、母、小写下标交流有效值：使用大写字母、小写下标交流有效值：使用大写字母、小写下标交、直流叠加：使用小写字母、大写下标交、直流叠加：使用小写字母、大写下标BIBEUCICEUbibeuciceubIbeUcIceUBiBEuCiCEu41第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路 晶体管是非线性元件，但是在晶体管的输入、晶体管是非线性元件，但是在晶体管的输入、输出特性中均有线性区间，如果可以使晶体管工作在输出特性中均有线性区间，如果可以使晶体管工作在特性曲线的线性区间，就可以使用工程估算方式进行特性曲线的线性区间，就可以使用工程估算方式进行放大电路的性能分析。放大电路的性能分析。 （a）输

24、入特性）输入特性 （b）输出特性）输出特性UBEUCEIIBCoo线性段线性段3 放大电路的估算分析方法放大电路的估算分析方法 42第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路一、静态分析一、静态分析 输入回路的电压输入回路的电压 ，可以认为是已知数，这样由输入、输出可以认为是已知数，这样由输入、输出回路的回路的KVL方程方程 及及 就可以得到放大电路静就可以得到放大电路静态工作点的参数：态工作点的参数：BE(0.50.7)VUCCBBBEUI RUCCCCCEUI RUCCBEBBUUIRCBIICECCCCUUI R43第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路例例:如图如图,已

25、知已知=37.5,RC=4k , UCC=12V,RB=300k ,试求放大电路的静态值。试求放大电路的静态值。解解:直流通路直流通路:(见右上见右上)共射极放大电路共射极放大电路uSuiC1C2iBiEuBEuCEuoRCRSRL+TRB+-+UCC+-+iC-+RB 直流通路直流通路ICIBIEUBEUCERCT+UCC+-+-44第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路CCCCB BBEBB BB,UR IURIIURCBII637.5 40 101.5mA UCE= UCC ICRC.V121 54645第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路二、微变等效电路二、微变等

26、效电路1 1、微变等效电路成立的条件、微变等效电路成立的条件 电路的输入信号为微变量。这时电路输入信号的幅值很小，电路的输入信号为微变量。这时电路输入信号的幅值很小，输出信号变化的动态范围也很小，晶体管的工作区间在特性曲输出信号变化的动态范围也很小，晶体管的工作区间在特性曲线的线性段，晶体管可以等效视为线性元件。线的线性段，晶体管可以等效视为线性元件。2 2、电路等效转换的条件、电路等效转换的条件 等效转换前电路端口上的电压、电流与等效转换后电路端等效转换前电路端口上的电压、电流与等效转换后电路端口上的电压、电流数值相等，转换后的电路即为转换前电路的口上的电压、电流数值相等，转换后的电路即为转

27、换前电路的等效电路。等效电路。46第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路晶体管的微变等效电路如图所示晶体管的微变等效电路如图所示 （a a）晶体管）晶体管 （b b）晶体管的微变等效电路）晶体管的微变等效电路晶体管的等效输入电阻：晶体管的等效输入电阻： uberbeibibbiicuuubececeicTbeE26200(1)rI47第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路三、动态分析三、动态分析1 1、放大电路的电压放大倍数、放大电路的电压放大倍数 电压放大倍数反映电路的放大能力电压放大倍数反映电路的放大能力2 2、放大电路的等效输入电阻、放大电路的等效输入电阻 等效输入电

28、阻数值越高，信号源提供的信号电流数值就越等效输入电阻数值越高，信号源提供的信号电流数值就越小，信号源负担小小，信号源负担小3 3、放大电路的等效输出电阻、放大电路的等效输出电阻 等效输出电阻数值越小，电路的负载电阻变化对电压放大等效输出电阻数值越小，电路的负载电阻变化对电压放大倍数的影响就越小，电路的输出电压数值越稳定倍数的影响就越小，电路的输出电压数值越稳定48第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路固定偏置放大电路的微变等效电路固定偏置放大电路的微变等效电路（a）原电路）原电路 （b）交流通路）交流通路 （c）微变等效电路）微变等效电路 放大电路的微变等效电路传递交流信号，应当在电

29、路的放大电路的微变等效电路传递交流信号，应当在电路的交流通路的基础上画出来的，作图时先画出晶体管的微变交流通路的基础上画出来的，作图时先画出晶体管的微变等效图，再将放大电路的外接电阻联接在图中。等效图，再将放大电路的外接电阻联接在图中。+UCCC1C2RBRCRLuoTesRsui+-ioiiicibTRCRLRBRsesuiuo+-ibiiicioRCRLRBRsEsUiUorbeIbIcIb-+49 放大电路交流性能指标的计算 计算电压放大倍数beLbebbiOubebiLbLCbLCCOiOurRrIRIUUArIURIRRIRRIUUUA/uAuA ：衡量电压放大能力第第5 5章章 晶

30、体管及放大电路晶体管及放大电路50 计算输入电阻计算输入电阻Ri:从放大器输入端看进去的交流等效电阻从放大器输入端看进去的交流等效电阻，对前级产生影响对前级产生影响bebiiirRIUR/CORUORRIURLS , 0 计算输出电阻计算输出电阻Ro放大电路的内阻，带负载能力放大电路的内阻，带负载能力求输出电阻求输出电阻Ro常采用外加电源法：常采用外加电源法：保留信号源内阻RS0, 0, 0bCbSIIIU第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路51 源电压放大倍数源电压放大倍数usA考虑信号源内阻时的电压放大倍数考虑信号源内阻时的电压放大倍数siiSisiiUSiUSiiOSOUSR

31、RRUURRRAUUAUUUUUUA第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路52总结总结确定静态值确定静态值CCBBUIRCBIIUCE=UCC ICRC基本交流放大电路基本交流放大电路usuiC1C2iBiEuBEuCEuoRCRSRL+TRB+-+ +UCC+-+iC+-RB 直流通路直流通路ICIBIEUBEUCERCT+UCC+-+-53总结总结:动态分析动态分析oALubeiRUrU/iiBbebeiUrRrrIoooCUrRI基本交流放大电路基本交流放大电路usuiC1C2iBiEuBEuCEuoRCRSRL+TRB+-+ +UCC+-+iC+-rbe ibube+-uce

32、+-iUiIbIcIoUbISUrbeRBRCRLEBC+-+-+-RS54第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路 例例 图示电路，写出电路静态工作点的计算式；画图示电路，写出电路静态工作点的计算式；画出电路的微变等效电路；写出电路电压放大倍数及输出电路的微变等效电路；写出电路电压放大倍数及输入、输出电阻的计算式。入、输出电阻的计算式。解：解：静态时静态时+UCCC1C2RBRCRLuouiTREiciiibioCCBEBBE(1)UUIRRCBIICECCCCEECCCCE()UUI RI RUIRR55第第5 5章章 晶体管及放大电路晶体管及放大电路动态时电路的微变等效电路如图动

33、态时电路的微变等效电路如图电路的动态参数：电路的动态参数：RCRLRBRsEsUiUorbeIcIbRE+-IbIiocLLuib beeEbeE(1)UI RRAUI rI RrR iBbeE/(1)rRrRoCrR56RB1RCRB2REIB UBE +UCE IC I1 IE I2 直流通直流通路路 +UCC-+-解解: :(1).用估算法确定用估算法确定静态静态值值B2CCBB1B2V4VRURR 1 7BBEEE.AVUImR1 7 .ACEIIm52(). VCECCCECUURR IVB/34 ABCII静态静态值值例例1:如图如图,UCC=12V,RB1=20k,RB2=10k

34、, RC=2k, RE=2k,RL=3k,=50, UBE=0.6V。试求。试求(1).静态值静态值;(2).画画出微变等效电路出微变等效电路;(3).计算计算AU,ri和和ro。 +UCCRB1RCRSRB2RERLC1 +C2+ CEiB uCE uBE uS uo ui 分压式偏置放大电分压式偏置放大电路路+-+-+-57解解:(2).画出微变等效电路画出微变等效电路 +UCCRB1RCRSRB2RERLC1 +C2+ CEiB uCE uBE uS uo ui 分压式偏置放大电分压式偏置放大电路路+-+-+-RB1RCRSRB2rbeRL+ + - 微变等效电路微变等效电路+-+iU

35、oU iI bI cI oI iU SU 例例1:如图如图, ,已知已知UCC=12V,RB1=20k,RB2=10k, RC=2k, RE=2k,RL=3k,=50, UBE=0.6V。试求。试求(1).静态值静态值;(2).画画出微变等效电路出微变等效电路;(3).计算计算AU,ri和和ro。58rir ro o解解:(3).计算计算AU,ri和和roLCL/1.2RRRk Lbe61.2uRAr beE26( V)20010.98( A)mrkIm 0B1B2be/.85irRRrk2corRkRB1RCRSRB2rbeRL+ + - 微变等效电路微变等效电路+-+iU oU iI bI

36、 cI oI iU SU 例例1:如图如图, ,已知已知UCC=12V,RB1=20k,RB2=10k, RC=2k, RE=2k,RL=3k,=50, UBE=0.6V。试求。试求(1).静态值静态值;(2).画画出微变等效电路出微变等效电路;(3).计算计算AU,ri和和ro。59总结：分压式偏置放大电路确定静态值总结：分压式偏置放大电路确定静态值B2BCCB1B2RVURRCBIICECCCEC()UURR I估算法：估算法：BBECEEVUIIR +UCCRB1RCRSRB2RERLC1 +C2+ CEiB uCE uBE uS uo ui 分压式偏置放大电分压式偏置放大电路路+-+-+-VBRB1RCRB2REIB UBE +UCE IC I1 IE I2 直流通直流通路路 +UCC-+-60 +UCCRB1RCRSRB2RERLC1 +C2+ CEiB uCE uBE uS uo ui 分压式偏置放大电分压式偏置放大电路路+-+-+-LubeRAr 12/iBBberRRroCrR总结：分压式偏置放大电路动态分析总结：分压式偏置放大电路动态分析RB1RCRSRB2rbeRL+ + - 微变等效电路微变等效电路+-+iU oU iI bI cI oI iU SU 61 作业题作业题1 电路如图电路如图, 已知已知=50，rbe=1k