异质外延生长_第1页
异质外延生长_第2页
异质外延生长_第3页
异质外延生长_第4页
异质外延生长_第5页
已阅读5页，还剩10页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、第七章第七章 异质外延生长异质外延生长7.1 异质外延的基本概念与应用简介 7.2 晶格失配与应变7.1 异质外延的基本概念与应用简介异质外延的基本概念与应用简介 异质外延:不同材料之间的外延生长.GaAsAlxGa1-xAsx和1-x分别代表Al和Ga的相对含量AlAs:0.5661nm;GaAs:0.5654nm;AlxGa1-xAs:介于两者之间.基本概念异质外延能够形成自然界中没有的人工结构材料.在半导体应用中，异质外延材料的选择是根据其能隙和晶格匹配来决定的.对光学应用，还需要考虑光子跃迁方式.GaAsSi立方结构六方结构位于同一垂直线上的两种材料提供了进行晶格匹配异质外延生长的机会

2、.电流增益（共基极）：注入效率(发射极)：pEnEnEJJJ对于突变结，ADpEnENNJJ因此要求ND/NA远大于1。但重掺杂发射区发射结电容较大，不利于高频和大电流应用。kTENNJJgADpEnEexp若采用异质结, 发射区采用能带带隙较宽的材料（带隙增大Eg），相对与原来的同质结npn晶体管：室温下，禁带宽度差0.1eV，注入电子和注入空穴的比值增大约320倍。异质结双极晶体管(HBT)用2DEG作沟道取代n型掺杂沟道；1-50 GHz band.；高跨导、高截至频率、低噪声.高电子迁移率晶体管(HEMT)GaAs HEMT 直接广播卫星(DBS)InP HEMT LNAGaN HEMT功率放大器异质结太阳能电池异质结发光二极管假定衬底和外延薄膜都具有立方结构，晶格常数分别为as和ae外延薄膜可以是应变的(也称为赝晶体)，也可以是未应变的(也称为弛豫).定义失配应变：eesaaaff0, 张应变fhc范围内，位于理论曲线以上的实验点代表外延薄膜是亚稳的，即应变能与位错能之间的平衡没有达到最小值。通常是由于发生在低温

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论