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文档简介

1、1第三代功率半导体器件根据器件不同应用范围有所差别? ?功率器件根据其不同的特性有不同的应用范围器件特性Features适用场景SiHVMOSFET中咼功率、咼压、咼频、单器件最咼功率几kWSMPS服务器、通讯、DC/DC、低功率电机控制、OBG充电桩IGBT极咼功率、咼压、中咼频率(咼至50khz)高压电机控制、UPS焊接、感应加热、主驱动SiCMOSFET极咼功率、咼压、咼频、咼温要求咼功率DC/DGUPS充电站、主驱、OBCGaN晶体管极咼频率80kH,中咼功率(单器件咼至几千瓦)SMPS通讯电源、DC/DCOBCLiDAR图:不同器件的功率水平1MW1DOkWHigherpowerca

2、nbereachedwithamodularapproachorparallelin口moredevicesslid1kWSiCMOSFET100wSiMOSFEIGaNTransistor10Hz100Hz1kHz100kHz1MHz2Operatingfrequency3SiC 未来的应用的市场主要集中在电动车领域,保持高速发展? ?SiCSiC 市场未来将能够保持高速发展,根据 STST 数据,20192019 年 SiCSiC 全球市场规模为 9.849.84 亿美元,但到 20252025 年可达 48.348.32 2亿美元, 其中 52%52%的将会应用在汽车领域。 其中细分市场

3、复合增速, 充电桩领域可达到 70.4%70.4%, 商用车领域可达 46.5%46.5%,HEV/EVHEV/EV 领域可达 34.1%34.1%。图:SiC应用领域及细分市场复合增速图:SiC全球市场规模SiCpowersemiconductorsbyapplicationSiCpowersemiconductorsbymacroproductfamily$mCAGR(1Q_2ej$mCAGRjg_2S)25*5%CAGR(1928) Others13.6%Tractpon18.1%AerospaceandMilitary%PVinverters10.0%IndustrialMotorDr

4、ives430%iiEVchargingstations70.4%Commercialvehicles46.5%HEV/EV34.1%UPS17.5%Poersupplies21.0%Modules47.1%MOSFETs20.0%Diodes16.9%CAGRnB-254831.5201920284831.5201920284SiC 器件材料本身拥有更好的特性? ?在新能源汽车电机控制器当中,电力转换是通过控制 IGBTIGBT 的开关来实现的。IGBTIGBT 受材料本身的局限,较难工作在 200200C以上。高功率密度的电机控制器需要高效的电力转换效率和更高的工作温度,这对功率器件也提出了更高的要求,如:更低的导通损耗、耐高温、高导热能力等。? ?而基于碳化硅(SiCSiC)单晶材料的功率器件,具有高频率、高效率、小体积等优点(比 IGBTIGBT 功率器件小70%-80%70%-80%),已经在特斯拉

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