第 9 章 半导体存储器

1、EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT概述概述第第 9 章章半导体存储器半导体存储器 本章小结本章小结随机存取存储器随机存取存储器( (RAM) ) 只读存储器只读存储器( (ROM) ) EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT9.1概述概述 主要要求：主要要求： 了解半导体存储器的了解半导体存储器的作用、类型与特点作用、类型与特点。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT例如计算机中的自检程序、初例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在始化程序便是固化在 ROM 中的。中的。计算机接通电源后，首先运行它，计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始对计算机硬件系

2、统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。计算机才能正常工作。二、二、半导体存储器的类型与特点半导体存储器的类型与特点 只读存储器只读存储器( (ROM，即即Read- -Only Memory) )随机存取存储器随机存取存储器( (RAM，即即Random Access Memory) ) RAM 既能读出既能读出信息信息又能又能写入写入信息。信息。它用于存放需经它用于存放需经常改变的信息，常改变的信息，断电后其数断电后其数据将丢失据将丢失。常用于存放临时。常用于存放临时性数据或中间结果。性数据或中间结果。例如例如 计算机内存就是计算机内

3、存就是 RAM ROM 在工作时在工作时只能读出只能读出信息而不能写入信息。信息而不能写入信息。它用于它用于存放固定不变的信息，存放固定不变的信息，断电后断电后其数据不会丢失其数据不会丢失。常用于存放。常用于存放程序、常数、表格等。程序、常数、表格等。 一、一、半导体存储器的作用半导体存储器的作用 存放二值数据存放二值数据 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT二、二、半导体存储器的类型与特点半导体存储器的类型与特点 只读存储器只读存储器( (ROM，即即Read- -Only Memory) )随机存取存储器随机存取存储器( (RAM，即即Random Access Memory) )

4、RAM由译码器、由译码器、存储器和读存储器和读/写控制电写控制电路等组成，是路等组成，是一种大规模时序逻辑一种大规模时序逻辑电路。电路。ROM 由与阵列、由与阵列、或阵列和输入、输出或阵列和输入、输出缓冲级等电路构成，缓冲级等电路构成，是一种大规模组合逻是一种大规模组合逻辑电路。辑电路。 一、一、半导体存储器的作用半导体存储器的作用 存放二值数据存放二值数据EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT主要要求：主要要求： 了解了解 ROM 的类型和结构，的类型和结构，掌握其工作原理及特点。掌握其工作原理及特点。 了解集成了解集成EPROM的使用。的使用。 理解理解字、位、存储容量字、位、存储容量

5、等概念。等概念。 9.2只读存储器只读存储器EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT按按数数据据写写入入方方式式不不同同分分固定固定 ROM 可编程可编程 ROM( (Programmable ROM，简称，简称 PROM) ) 可擦除可擦除 PROM( (Erasable PROM，简称，简称 EPROM) ) 电可擦除电可擦除 EPROM( (Electrically EPROM，简称，简称 E2PROM) ) 一、一、ROM 的类型及其特点的类型及其特点 写入的数据可电擦除，用户可以写入的数据可电擦除，用户可以多次改写存储的数据。使用方便。多次改写存储的数据。使用方便。 其存储数据在制

6、造时确定，用其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。户不能改变。用于批量大的产品。 其存储数据其存储数据由用户写入。但由用户写入。但只能写一次。只能写一次。 写入的数据可用紫外线擦除，写入的数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写存储的数据。用户可以多次改写存储的数据。 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT二、二、ROM 的电路结构的电路结构 ROM 的电路结构图的电路结构图 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT1. 电路组成电路组成 三、固定三、固定ROM 的工作原理的工作原理 （一）一） 二极管二极管 ROMD0D1D2D344 二极管二极管 ROM 结构图结构图

7、&A1A0字字线线信信号号位线输位线输出信号出信号&11W3W2W1W0 地址译码器。地址译码器。 A1 、 A0 为地址输入为地址输入端，端，W3 W0 为译码为译码器输出的器输出的 4 条字线。条字线。 存储矩阵存储矩阵由由二极管二极管或或门组成，门组成，D3 D0 为存储为存储矩阵输出的矩阵输出的 4 条条位线。位线。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT1. 电路组成电路组成 D0D1D2D344 二极管二极管 ROM 结构图结构图 &A1A0字字线线信信号号位线输位线输出信号出信号&11W3W2W1W0 W3 W0 中任中任一个输出高电平一个输出高

8、电平时，则在时，则在 D3 D0 4 条线上输出一条线上输出一组组 4 位二进制代位二进制代码，每组代码表码，每组代码表示一个字。示一个字。 （一）一） 二极管二极管 ROMEXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT2. 读数读数 D0D1D2D344 二极管二极管 ROM 结构图结构图 &A1A0字字线线信信号号位线输位线输出信号出信号&11W3W2W1W0 当输入一组地址码时，当输入一组地址码时，则在则在ROM 的输出端可读出的输出端可读出该地址码对应的存储内容。该地址码对应的存储内容。如如A1 A0 = 0000 时，则字线时，则字线 W0 = A1 A0 =1 1，其他

9、字线都，其他字线都为为 0 0，这时和，这时和W0 相连的两相连的两个二极管导通，位线个二极管导通，位线 D2 = 1 1、 D0= 1 1, ,而而 D3 和和D1 都为都为 0 0 , ,在输出端得到在输出端得到D3D2D1D0=01010101数据输出。数据输出。 可见：可见：(1) 交叉处接有二极管的相当于存储交叉处接有二极管的相当于存储1 1，没有接二极管，没有接二极管的相当于存储的相当于存储 0 0。(2) 当某字线被选中时，相应存储单元数据从位当某字线被选中时，相应存储单元数据从位线线D3 D0 输出。输出。 （一）一） 二极管二极管 ROMEXIT 半导体存储器半导体存储器EX

10、IT4 4 存储矩阵示意图存储矩阵示意图 W3W2W1W0D0D1D2D3字字线线位线位线交叉处的圆点交叉处的圆点 “ ”表示存储表示存储 1 1，交叉处无，交叉处无圆点表示存储圆点表示存储 0 0。 交叉点的数目，即交叉点的数目，即存储器中存储单元的数存储器中存储单元的数量，称为存储容量。量，称为存储容量。存储矩阵可简化表示为存储矩阵可简化表示为存储容量存储容量 字数字数 位位数数用用“M”表示表示“1024 K”， 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。对于大容量的对于大容量的 ROM常用常用“K”表示表示“1024”，即，即 1 K = 1024 = 210 ；例如，一

11、个例如，一个 64 K 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 64 K 个字，个字， 字长为字长为 8 位，存储容量是位，存储容量是 64 K 8 = 512 K。 例如，一个例如，一个 32 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 32 个字，个字， 字长为字长为 8 位，存储容量是位，存储容量是 32 8 = 256。 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT（二（二）TTL-ROM 结构图结构图EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT（三（三）MOS-ROM 结构图结构图EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT PROM 出厂时，全部熔丝都连通，全部存储单元相当于出厂时，全部熔丝都连

12、通，全部存储单元相当于存储存储 1 1。用户在编程时，可根据要求，借助编程工具将需要存。用户在编程时，可根据要求，借助编程工具将需要存储储0单元的熔丝烧断即可。单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复，故熔丝烧断后不可恢复，故 PROM 只能进行一次性编程。只能进行一次性编程。 二极管二极管 ROM TTL - - ROM MOS - - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝四、可编程只读存储器四、可编程只读存储器( PROM )EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT用一个特殊的浮栅用一个特殊的浮栅 MOS 管替代熔丝。管替代熔丝。 用紫

13、外线擦除信息的，用紫外线擦除信息的，称为称为EPROM。 用电信号擦除信息的，称用电信号擦除信息的，称为为EEPROM，即，即E2PROM。 按擦除方式不同分按擦除方式不同分 EPROM 只能整体只能整体擦除，擦除时间较长。擦除，擦除时间较长。 E2PROM 中的存储单元可逐个中的存储单元可逐个擦除逐个改写，它的编程和擦除都用擦除逐个改写，它的编程和擦除都用电信号完成，速度比电信号完成，速度比 EPROM 快得多。快得多。五、可擦除可编程只读存储器五、可擦除可编程只读存储器( EPROM ) EPROM集成芯片上有一个石英窗口供紫外线擦集成芯片上有一个石英窗口供紫外线擦除之用。芯片写入数据后，

14、必须用不透光胶纸将石英除之用。芯片写入数据后，必须用不透光胶纸将石英窗口密封，以免破坏芯片内信息。窗口密封，以免破坏芯片内信息。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT六、集成六、集成 EPROM 介绍介绍 27 系列系列 EPROM 是最常用的是最常用的 EPROM，型号从，型号从 2716、2732、2764 一直到一直到 27C040。存储容量分别为。存储容量分别为 2K 8、4K 8一直到一直到 512K 8。下面以。下面以 Intel 2716 为为例，介绍其功能及使用方法。例，介绍其功能及使用方法。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT ( (一一) ) 2716的基本结构和

15、引脚图的基本结构和引脚图存储容量为存储容量为 211=1024 2 =2K 字字 , 16Kbit EXIT 半导体存储器半导体存储器EXITVCCIntel 2716A8A9VPPOEA10CSD7D6D5D4D3A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112242322212019181716151413 A10 A0 为地址码输入端。为地址码输入端。D7 D0 为数据线，工作时为为数据线，工作时为数据输出端，编程时为写入数据数据输出端，编程时为写入数据输入端。输入端。VCC 和和 GND：+5 V 工作电源工作电源和地。和地。VPP 为编程高电平输入端。

16、编程时加为编程高电平输入端。编程时加 +25 V 电压，工作时加电压，工作时加 +5 V 电压。电压。 ( (二二) ) 引脚功能引脚功能 CS 有两种功能：有两种功能： ( (1) )工作时为片选使能端，低电工作时为片选使能端，低电 平有效。平有效。CS = 0 时，芯片被时，芯片被 选中，处于工作状态。选中，处于工作状态。 ( (2) )编程时为编程脉冲输入端。编程时为编程脉冲输入端。OE 为允许数据输出端，低电为允许数据输出端，低电平有效。平有效。OE = 0 时，允许读出数时，允许读出数据；据；OE = 1 时，不能读出数据。时，不能读出数据。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT

17、 ( (三三) )由由 CS、OE 和和 VPP 的不同状态，确定的不同状态，确定 2716 的下列的下列 5 种工作方式种工作方式 ( (1) )读方式：读方式： 当当 CS = 0、OE = 0，并有地址码输入时，并有地址码输入时， 从从 D7 D0 读出读出该地址单元的数据。该地址单元的数据。( (2) )维持方式：当维持方式：当 CS = 1 时，数据输出端时，数据输出端 D7 D0 呈高阻呈高阻 隔离态隔离态，此时芯片处于维持状态，电源电，此时芯片处于维持状态，电源电 流下降到维持电流流下降到维持电流 27 mA 以下。以下。 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT( (3) )

18、编程方式：编程方式：OE = 1，在，在 VPP 加入加入 25 V 编程电压，在地址编程电压，在地址 线上输入单元地址，数据线上输入要写入的线上输入单元地址，数据线上输入要写入的 数据后，在数据后，在 CS 端送入端送入 50 ms 宽的编程正脉宽的编程正脉 冲冲， 数据就被写入到由地址码确定的存储单数据就被写入到由地址码确定的存储单 元中。元中。( (4) ) 编程禁止：编程禁止： 在编程方式下，如果在编程方式下，如果 CS 端不送入编程正脉端不送入编程正脉 冲，冲，而保持低电平，则芯片不能被编程，此时为编而保持低电平，则芯片不能被编程，此时为编程禁止方式，数据端为高阻隔离态。程禁止方式，

19、数据端为高阻隔离态。( (5) ) 编程检验：编程检验： 当当 VPP = +25 V，CS 和和 OE 均为有效电平时，均为有效电平时， 送入地址码，可以读出相应存储单元中的送入地址码，可以读出相应存储单元中的 数据，以便检验。数据，以便检验。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT 下面将根据二极管下面将根据二极管 ROM 的的 结构图加以说明结构图加以说明 ( (已编程二极管已编程二极管 PROM 的的 结构与之同理结构与之同理) ) ： 七、用七、用 PROM 实现组合逻辑函数实现组合逻辑函数1. 为什么为什么用用 PROM 能实现组合逻辑函数？能实现组合逻辑函数？ D3D2D1D0

20、44 二极管二极管 ROM 结构图结构图 地地址址译译码码器器A1A0地地址址码码输输入入3103210211010100WAAmWA AmWAAmWA Am 字字 线线 信信 号号位线输出信号位线输出信号D3D2D1D04 4 二极管二极管 ROM 结构图结构图 地地址址译译码码器器A1A0地地址址码码输输入入3103210211010100WAAmWA AmWAAmWA Am 字字 线线 信信 号号位线输出信号位线输出信号 地址译码器地址译码器能译出地址码的全部最小项能译出地址码的全部最小项图中图中 当当 A1 A0 = 11 时，只有时，只有 W3 =1 ，而，而 W0、W1、W2 =

21、0， 即译出最小项即译出最小项 m3 ； 当当 A1 A0 = 10 时，只有时，只有 W2 =1 ，而，而 W0、W1、W3 = 0， 即译出最小项即译出最小项 m2 ； 其余类推。其余类推。存储矩阵构成或门阵列存储矩阵构成或门阵列图中图中 D3 = m3 + m2 +m0 D2 = m2 + m1 D1 = m3 + m0 D0 = m3 + m2 由于由于 PROM 的地址译码器能译出地址码的的地址译码器能译出地址码的全部最小项，全部最小项， 而而PROM 的存储矩阵构成了可编的存储矩阵构成了可编程或门阵列，因此，通过编程可从程或门阵列，因此，通过编程可从 PROM 的位的位线输出端得到

22、任意标准与线输出端得到任意标准与 - - 或式。由于所有组或式。由于所有组合逻辑函数均可用标准与合逻辑函数均可用标准与 - - 或式表示，故理论或式表示，故理论上可用上可用 PROM 实现任意组合逻辑函数。实现任意组合逻辑函数。 1. 为什么用为什么用 PROM 能实现组合逻辑函数？能实现组合逻辑函数？ 七、用七、用 PROM 实现组合逻辑函数实现组合逻辑函数EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT 为了便于用为了便于用 PROM 实现组合逻辑函数，实现组合逻辑函数，首先需要理解首先需要理解 PROM 结构的习惯画法。结构的习惯画法。2. PROM 结构的习惯画法结构的习惯画法AB与与门门和

23、和或或门门的的习习惯惯画画法法CY&ABCY1ABCY&ABCY1EXIT 半导体存储器半导体存储器EXITA1A0地址地址译码器译码器( (为与阵列为与阵列) )D3D2D1D0W3W2W1W0&A1 A0 = m3A1 A0 = m2A1 A0 = m1A1 A0 = m01存储矩阵存储矩阵( (为或阵列为或阵列) )1&A1地址译码器地址译码器( (为与阵列为与阵列) )W3W2W1W0D3 = m3 + m2 + m0D3 = m2 + m1D3 = m3 + m0D3 = m3 + m2 &1&1A0 m3 m2 m1 m01111存储

24、矩阵存储矩阵( (为或阵列为或阵列) )PROM 结构的习惯画法结构的习惯画法EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT3. 怎样用怎样用 PROM 实现组合逻辑函数？实现组合逻辑函数？ 例例 试用试用 PROM 实现下列逻辑函数实现下列逻辑函数 BCACABYCBCAY21解：解：( (1) ) 将函数化为标准与将函数化为标准与 - - 或式或式 )7 , 6 , 5 , 3()6 , 5 , 4 , 1(21mYmY( (2) ) 确定存储单元内容确定存储单元内容由函数由函数 Y1、Y2 的标准与的标准与 - - 或式知：或式知： 与与 Y1 相应的存储单元中，字线相应的存储单元中，字线

25、W1、W4、W5、W6 对应的存储单元应为对应的存储单元应为 1；对应对应 m1、m4、m5、m6与与 Y2 相应的存储单元中，字线相应的存储单元中，字线 W3、W5、W6、W7 对应的存储单元应为对应的存储单元应为 1。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT( (3) ) 画出用画出用 PROM 实现的逻辑图实现的逻辑图A11B1C1&1m0m1m2m3m4m5m6m7地地址址译译码码器器Y1Y2EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT主要要求：主要要求： 了解了解RAM 的类型、结构，的类型、结构，掌握其工作原理。掌握其工作原理。 了解集成了解集成 RAM 的使用。的使用。

26、了解了解 RAM 和和 ROM 的异同。的异同。 9.3 随机存取存储器随机存取存储器 理解理解 RAM 的扩展方法。的扩展方法。 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT一、一、RAM 的结构、类型和工作原理的结构、类型和工作原理 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT RAM 的原理结构图的原理结构图 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT RAM 的读写控制电路的读写控制电路 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXITRAM 分类分类静态静态 RAM( (即即 Static RAM，简称，简称 SRAM) )动态动态 RAM( (即即 Dynamic RAM，简称，简称 DRA

27、M) )DRAM 存储单元结构简单，集成度高，存储单元结构简单，集成度高，价格便宜，广泛地用于计算机中，但速度较价格便宜，广泛地用于计算机中，但速度较慢，且需要慢，且需要刷新刷新及读出放大器等外围电路。及读出放大器等外围电路。 DRAM 的存储单元是利用的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻，管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的。由于栅极电容在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的。由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。存在漏电，因此工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。SRAM 存储单元结构较复存储单元结构较复杂，集成度较低，但速度

28、快。杂，集成度较低，但速度快。 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT二、二、 RAM 中的存储单元中的存储单元六管六管 CMOS 静态静态 存储存储 单元单元 ( (一一) )静态随机存取存储器（静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元）的存储单元 由由V1、V2和和V3、V4两个两个CMOS 反相器反相器输出和输入交输出和输入交叉耦合组成的叉耦合组成的基本触发器，基本触发器，可用来存储一可用来存储一位二进制信息。位二进制信息。1. 电路组成电路组成EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT六管六管 CMOS 静态静态 存储存储 单元单元 V5、V6为为由行线由行线 X 控制控制的门控管

29、。的门控管。 V7、V8为为由列线由列线 Y 控制控制的门控管。的门控管。1. 电路组成电路组成( (一一) )静态随机存取存储器（静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元）的存储单元EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT六管六管 CMOS 静态静态 存储存储 单元单元 2. 工作原理工作原理读操作：读操作： 在在X=1 1、Y=1 1时，时，V5、V6和和V7、V8都导通，都导通，触发器和位线触发器和位线接通，数据线接通，数据线和位线也接通，和位线也接通，这时，触发器这时，触发器中存储的数据中存储的数据通过数据线读通过数据线读出。出。( (一一) )静态随机存取存储器（静态随机存取存储器

30、（SRAM）的存储单元）的存储单元EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT六管六管 CMOS 静态静态 存储存储 单元单元 2. 工作原理工作原理写操作：写操作： 在在 X=1 1、Y=1 1 时，将要写入存储时，将要写入存储单元的数据送到数据线单元的数据送到数据线D 和和 D 上。如写数据上。如写数据 1 1时，由于时，由于 V7、V5 导通，导通，D=1 1 通过这两个通过这两个 MOS 管送到管送到 Q 端；由于端；由于 V8、V6 导通，导通，D=0 0 送到送到 Q 端，端，使使 V1 截止、截止、V3 导通，这导通，这时时 Q = D = 1 1、Q = D = 0 0，触发器置

31、触发器置 1 1，表示输入，表示输入的数据的数据 D = 1 1 已被写入已被写入存储单元。存储单元。( (一一) )静态随机存取存储器（静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元）的存储单元EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT （二）（二）动态随机存取存储器（动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元）的存储单元 静态静态 RAM 存储单元的主要缺点是静态功耗存储单元的主要缺点是静态功耗大，使集成度受到限制，采用动态大，使集成度受到限制，采用动态 MOS RAM 可克服这个缺点。动态可克服这个缺点。动态 RAM 存储单元是利用存储单元是利用 MOS 管栅极与源极之间的高阻抗及栅极电容来管栅

32、极与源极之间的高阻抗及栅极电容来存储信息的。由于电容存在漏电，栅极电容上存储信息的。由于电容存在漏电，栅极电容上存储的信息不可能长期保存，为了防止信息丢存储的信息不可能长期保存，为了防止信息丢失，必须定时给电容补充电荷。失，必须定时给电容补充电荷。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT四管四管 MOS 动态动态 存储存储 单元单元 C1、C2为为 MOS 管的栅极管的栅极输入电容，数输入电容，数据以电荷的形据以电荷的形式存储在式存储在 C1、C2 上。上。 （二）（二）动态随机存取存储器（动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元）的存储单元EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT单管单管

33、 MOS 动态存储单元动态存储单元 （二）（二）动态随机存取存储器（动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元）的存储单元EXIT 半导体存储器半导体存储器EXITRAM 与与 ROM 的比较的比较 相相同同处处 都含有地址译码器和存储矩阵都含有地址译码器和存储矩阵 寻址原理相同寻址原理相同 相相异异处处 ROM 的存储矩阵是或阵列，的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路是组合逻辑电路。 ROM 工作时工作时只能读出不能写入。掉电后数据只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失不会丢失。 RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成，成， 是时序逻辑电路是时序逻辑电路

34、。RAM 工作时工作时能读出，能读出， 也能写入也能写入。读或写由读。读或写由读 / 写控制电路进行控制。写控制电路进行控制。 RAM 掉电后数据将丢失掉电后数据将丢失。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT三、集成三、集成 RAM 2114A介绍介绍 A0 A9 为地址码输入端。为地址码输入端。4 个个 I/O 脚为双向数据线，用脚为双向数据线，用于读出或写入数据。于读出或写入数据。VDD 接接 +5 V。R/W 为读为读/写控制端。当写控制端。当 R/W = 1 时，从时，从 I/O 线读出数据；当线读出数据；当 R/W = 0 时，将从时，将从 I/O 线输入的数线输入的数据写入据写

35、入RAM。VDDIntel 2114A7A8A9I/OI/OI/OI/OR/WA6A5A4A3A0A1A2CSGND1234567891817161514131211101 K 4 位位 SRAM Intel 2114 引脚图引脚图信号与信号与 TTL 电平兼容。电平兼容。CS 为片选控制端，低电平有为片选控制端，低电平有效。效。CS = 1 时，读时，读/写控制电路处写控制电路处于禁止状态，不能对芯片进行读于禁止状态，不能对芯片进行读/写操作。当写操作。当 CS = 0 时，允许芯片时，允许芯片读读/写操作。写操作。存储矩阵有存储矩阵有 1 K 个字，每个字个字，每个字 4 位。位。1K =

36、 1024 = 210，故需，故需 10 根地址输入线。根地址输入线。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT四、四、RAM 的扩展的扩展 ( (一一) ) RAM的位扩展的位扩展如一片如一片 RAM 的字数已够用，而每个字的位数不够用，的字数已够用，而每个字的位数不够用，则采用位扩展的方法来扩展每个字的位数。其方法是将各片则采用位扩展的方法来扩展每个字的位数。其方法是将各片 RAM 的地址输入端、读的地址输入端、读/写控制端写控制端 R/W 和片选端和片选端 CS 对应地对应地并接在一起。并接在一起。RAM 的的 位位 扩扩 展展 接接 法法 EXIT 半导体存储器半导体存储器EXITRA

37、M的字扩展接法的字扩展接法 ( (二二) ) RAM的字扩展的字扩展如一片如一片RAM的的位数已够用，而字数位数已够用，而字数不够用，则采用字扩不够用，则采用字扩展的方法来扩展存储展的方法来扩展存储器的字数。字扩展通器的字数。字扩展通常需用外加译码器来常需用外加译码器来控制芯片的片选输入控制芯片的片选输入信号信号 CS 实现。实现。如字数和位数都如字数和位数都不够用，则可将字数不够用，则可将字数和位数同时进行扩展，和位数同时进行扩展，便组成了大容量的存便组成了大容量的存储器。储器。EXIT 半导体存储器半导体存储器EXIT半导体存储器由许多存储单元组成，每个存半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数储单元可存储一位二进制数 。根据存取功能。根据存取功能的