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文档简介
1、华润华晶华润华晶1Fab 5Silicon FabPlant 3Fab 2R&D CenterMarketing & Sale DeptAdministration DeptsFloor 2 & 3 IGBTIGBT市场调研报告市场调研报告张治华张治华 2011-72011-7Test Plant华润华晶华润华晶2IGBT介绍介绍IGBT市场市场IGBT应用应用IGBT竞争竞争华晶华晶IGBT战略建议战略建议华润华晶华润华晶IGBTIGBT介绍介绍- -定义定义I Insulated nsulated G Gate ate B Bipolar ipolar T Tran
2、sistorransistor绝缘绝缘 栅栅 双极双极 晶体管晶体管华润华晶华润华晶IGBTIGBT介绍介绍- -特点特点电压控制驱动功率:小开关速度:中输入阻抗:大开关损耗:小工作频率:较高耐压 :高电流 :大IGBT融合了融合了MOS和和BJT的特点的特点电压电压300-6500V频率频率几十几十K Hz功率功率不超过不超过1000K VA电流控制驱动功率:大开关速度:慢饱和压降:低耐压 :大电流 :大电压控制驱动功率:小开关速度:快通态电阻:大高压大电流难以满足华润华晶华润华晶IGBTIGBT介绍介绍- -工艺工艺华润华晶华润华晶IGBTIGBT市场市场20092009:全球:全球IGB
3、TIGBT销售销售1313亿美元亿美元 中国销售中国销售3838亿人民币亿人民币, 约占全球市场约占全球市场1/31/320102010:中国销售:中国销售4141亿人民币亿人民币 因为因为09-1009-10年有经济危机影年有经济危机影 响,目前国家重视响,目前国家重视IGBTIGBT的发的发 展,预计今后展,预计今后5-105-10年内会高年内会高 速发展速发展华润华晶华润华晶IGBTIGBT市场市场- -模块与单管模块与单管华润华晶华润华晶IGBTIGBT应用应用华润华晶华润华晶华晶华晶IGBTIGBT汽车电子汽车电子消消费费工工控控华润华晶华润华晶IGBTIGBT竞争竞争- -全球全球华润华晶华润华晶IGBTIGBT竞争竞争- -中国中国华润
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