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文档简介

P型硅掺杂浓度对多孔硅形貌的影响型硅掺杂浓度对多孔硅形貌的影响组员： 徐凯 伊力旦 刘洋 周子轶1 多孔硅形成机制n关于多孔硅形成机制有很多种不同解释, 其中比较有代表性的是Beale耗尽模型. 其详细解释为:硅原子在HF溶液中被腐蚀掉需要有空穴参与; 初期空穴的随机扩散导致外表的随机腐蚀的孔洞, 具有随机非均匀性; 当外表被有选择地腐蚀后, 情况改变, 表现为孔尖处比其他地方特别是没有被腐蚀的地方更容易被腐蚀.2.建模方法n首先在网格内随机释放空穴, 空穴在活性单元耗尽区之外的网格内随机扩散, 一旦进入耗尽区, 它将定向运动, 相当于被该活性单元捕获; 当空穴扩散到活性单元位置时按一定几率腐蚀一定数目的单元格; 一个空穴扩散到活性单元或者步行完毕后, 下一个空穴产生开场步行. 共释放一定数量空穴, 数量与网格内空穴密度有关.3.改变参数n腐蚀要求空穴从硅的体内输送到外表, 对于P型硅, 硅本身就存在大量空穴, 空穴密度与掺杂浓度有关. 模型用空穴密度, 即二维网格内空穴密度来反映P型硅的掺杂浓度.设M 为分布在网格内的空穴密度, 显然P型硅掺杂程度决定M 的大小, 重掺杂空穴密度大, 也就决定了模型中释放的空穴数多.各参数与多孔硅制备的实验条件对应起来, 模拟的过程那么能表达实验条件对多孔硅形成及孔隙率的影响.孔隙率与掺杂浓度的关系nP型硅掺杂浓度越低, 网格内空穴分布密度越小

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