第三章微型计算机中的存储器

1、第三章第三章 存储器存储器v 半导体存储器的分类及性能指标半导体存储器的分类及性能指标v RAMv ROMv 存储器的扩展存储器的扩展半导体半导体存储器存储器磁介质存储器（外存）磁介质存储器（外存）光存储器光存储器双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中；高，一般用于大型计算机或高速微机中；MOS型型掩膜掩膜ROM 一次性可编程一次性可编程PROM紫外线可擦除紫外线可擦除EPROM 电可擦除电可擦除E2PROM 可编程只读存储器可编程只读存储器FLASH读写读写存储器存储器RAM只读只读存储器存储器ROM（按读

2、写（按读写功能分类功能分类)（内存）（内存）（按器件（按器件原理分类）原理分类）静态静态SRAM动态动态DRAM： 集成度高但存取速度较低，集成度高但存取速度较低， 一般用于需要较一般用于需要较大大容量的场合。容量的场合。集成集成IRAM：将刷新电路集成在将刷新电路集成在DRAM内内速度较快，集成度较低，功耗较速度较快，集成度较低，功耗较高，一般用于对速度要求高、而高，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。容量不大的场合。(按存储按存储原理分类原理分类)按按存存储储介介质质分分类类3.1半导体存储器的分类及性能指标半导体存储器的分类及性能指标一、半导体存储器分类一、半导体存储器分类二、性能指

3、标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量 存储容量=单元数数据位数 即字数字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取时间、存取周期 存取时间：CPU访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3、可靠性 4、功耗 5、价格3.2 随机存取存储器随机存取存储器3.2.1 SRAM一、基本存储电路行选择线T1T2ABT3T4+5VT5T6CD列选择线T7T

4、8I/OI/O1.T1和和T2组成一个双稳态组成一个双稳态触发器，用于保存数据。触发器，用于保存数据。T3和和T4为负载管。为负载管。2.如如A点为数据点为数据D，则，则B点点为数据为数据/D。3.行选择线有效（高电行选择线有效（高电 平）平）时，时，A 、B处的数据信息处的数据信息通过门控管通过门控管T5和和T6送至送至C、D点。点。4.列选择线有效（高电列选择线有效（高电 平）平）时，时，C 、D处的数据信处的数据信息通过门控管息通过门控管T7和和T8送送至芯片的数据引脚至芯片的数据引脚I/O。基本存储电路简化图SEDoDi它可存储一位信息由若干个基本电路采用同一根选择线，可以组成一个基本

5、存储单元Do2Di2Do1Di1SEDo0Di0Do7Di7它每次可以存储或读出8位信息由若干个存储单元可以组成一个芯片A0Ak片内译码电路存储单元存储单元存储单元SE0SE1 SEiD0D7R/W由若干个芯片可扩展内存（存储体）NblBL芯片容量存储体容量N所需芯片个数为了减小体积，芯片内部通常采用矩阵式结构二、二、SRAM的典型芯片的典型芯片n存储容量为8K8n28个引脚：n13根地址线A12A0n8根数据线D7D0n片选CS1、CS2n读写WE、OE+5VWECS2A8A9A11OEA10CS1D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND1234567

6、8910111213142827262524232221201918171615功能表6264工作方式CS1CS2WEOED7D0未选中未选中读操作写操作1000111001高阻高阻输出输入6264功能表返回3.2.2 DRAM一、基本存储电路一、基本存储电路行选择线行选择线T1B存储存储电容电容CA列选列选择线择线T2I/O刷新放大器刷新放大器1. 电容上存有电荷时，表示存储电容上存有电荷时，表示存储数据数据A为逻辑为逻辑1；2. 行选择线有效时，数据通过行选择线有效时，数据通过T1送至送至B处；处；3. 列选择线有效时，数据通过列选择线有效时，数据通过T2送至芯片的数据引脚送至芯片的数据引

7、脚I/O；4. 为防止存储电容为防止存储电容C放电导致数放电导致数据丢失，必须定时进行刷新；据丢失，必须定时进行刷新；5. 动态刷新时行选择线有效，而动态刷新时行选择线有效，而列选择线无效。（刷新是逐行列选择线无效。（刷新是逐行进行的。）进行的。） 集成度高，但速度较慢，集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。价格低，一般用作主存。 DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容间电容 必须配备必须配备“读出再生放大电路读出再生放大电路”进行刷新进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位每

8、个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用一般采用“位结构位结构”存储体：存储体： 每个存储单元存放一位每个存储单元存放一位 需要需要8个存储芯片构成一个字节单元个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址每个字节存储单元具有一个地址NCDINWERASA0A2A1VDDNCCASDOUTA6A3A4A5VCC12345678161514131211109n存储容量为存储容量为16K1n16个个引脚：引脚：n7根地址线根地址线A6A0n1根数据输入线根数据输入线DINn1根数据输出线根数据输出线DOUTn行

9、地址选通行地址选通RASn列地址选通列地址选通CASn读写控制读写控制WEDRAM芯片2116二、二、DRAM的典型芯片的典型芯片 说明：说明：存储地址需要分两批传送存储地址需要分两批传送行地址选通信号行地址选通信号RASRAS有效，开始传送行地址有效，开始传送行地址随后列地址选通信号随后列地址选通信号CASCAS有效，传送列地址，有效，传送列地址，CASCAS相相当于片选信号当于片选信号读写信号读写信号WEWE读读/ /写有效写有效数据从数据从D DOUTOUT引脚输出或从引脚输出或从D DININ引脚输入引脚输入采用采用“仅行地址有效仅行地址有效”方法刷新方法刷新n行地址选通行地址选通RA

10、SRAS有效，传送行地址有效，传送行地址n列地址选通列地址选通CASCAS无效，没有列地址无效，没有列地址n芯片内部实现一行存储单元的刷新芯片内部实现一行存储单元的刷新n没有数据输入输出没有数据输入输出n存储系统中所有芯片同时进行刷新存储系统中所有芯片同时进行刷新nDRAMDRAM必须每隔固定时间就刷新必须每隔固定时间就刷新三、三、DRAM芯片的刷新芯片的刷新刷新方式刷新方式 集中刷新集中刷新：在：在2ms时间内集中一段时间进行刷新，在时间内集中一段时间进行刷新，在这段时间内存储器不能进行读写操作，将这段时间称为这段时间内存储器不能进行读写操作，将这段时间称为死时间。死时间。 分散刷新分散刷新

11、：在几：在几ms时间内每隔一段时间刷新一次。时间内每隔一段时间刷新一次。（需设刷新与读写选择电路，冲突时会增加读（需设刷新与读写选择电路，冲突时会增加读/写周期的写周期的时间）时间） 异步刷新异步刷新：在每一个指令周期中利用：在每一个指令周期中利用CPU不进行访不进行访问操作的时间进行刷新。问操作的时间进行刷新。3.3 只读存储器只读存储器ROM3.3.1掩膜型ROM 信息制作在芯片中，不可更改Vcc地址选通地址选通1D3 D2 D1 D0 掩膜ROM是靠MOS管是否跨接来决定0、1的，当跨接时对应位信息就是0，当没有跨接时对应信息就是1。 3.3.2可编程只读可编程只读ROM 允许一次编程，

12、此后不可更改D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0Vcc地址选通地址选通1 PROM是靠存储单元中的熔丝是否熔断决定信息0、1的，当熔丝烧断时对应位信息就是0，当没有烧断时对应信息就1。 3.3.3 可擦除可编程只读可擦除可编程只读ROM 一、基本存储电路 用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程。Vcc字线字线数据线数据线 编程是电荷注入浮栅的栅极的过程，此时浮栅导通，选通此位时即读出0；若没有注入电荷浮栅截止，即读出1。当紫外线照射30分钟时，电荷形成光电流消失，恢复原状态1。 浮栅浮栅二、典型二、典型EPROM芯片芯片2764功能表VppA12A7A6A5A4A3A2

13、A1A0D0D1D2GNDVccPGMNCA8A9A11OEA10CED7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615n存储容量为存储容量为8K8n28个个引脚：引脚：n13根地址线根地址线A12A0n8根数据线根数据线D7D0n片选片选CEn编程编程PGMn读写读写OEn编程电压编程电压VPP工作方式工作方式CEOEPGMA9VPPDO7DO0读出读出0015V输出输出读出禁止读出禁止0115V高阻高阻维持维持15V高阻高阻Intel标标识识0012V15V输出编码输出编码编程编程01负脉冲负脉冲21V输入输入编程校验编程校验

14、00121V输出输出编程禁止编程禁止121V高阻高阻2764功能表功能表返回3.3.4 电可擦除可编程只读电可擦除可编程只读ROM 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长（10ms）。NCR/BA7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWENCA8A9NCOEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615n存储容量为存储容量为2K8n28个个引脚：引脚：n11根地址线根地址线A10A0n8根数据线

15、根数据线I/O7I/O0n片选片选CEn读写读写OE、WEn状态输出状态输出RDY/BUSY2817A功能表工作方式CEOEWERDY/BUSYI/O7I/O0读出维持字节写入0100110高电平高电平0输出高阻输入EEPROM 2817A的功能返回一、一、 存储器与存储器与CPUCPU的连接要考虑的问题的连接要考虑的问题1 CPU1 CPU总线的负载能力总线的负载能力 CPUCPU在设计时，一般输出线的直流负载能力为带一个在设计时，一般输出线的直流负载能力为带一个TTLTTL负负载，现存储器都为载，现存储器都为MOSMOS电路，直流负载很小，主要的负载是电电路，直流负载很小，主要的负载是电容

16、负载，故在小型系统中，容负载，故在小型系统中，CPUCPU是可以直接与存储器相连的，是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，就要考虑而较大的系统中，就要考虑CPUCPU能否带得动，需要时就要加上能否带得动，需要时就要加上缓冲器，由缓冲器的输出再带负载。缓冲器，由缓冲器的输出再带负载。2 2 存储器的地址分配和片选存储器的地址分配和片选 当多片存储器存在时，如何选片选信号。当多片存储器存在时，如何选片选信号。3 CPU3 CPU与存储器的时序配合问题与存储器的时序配合问题 CPUCPU的访存时间必须大于所用外部存储器的最大存取时间。的访存时间必须大于所用外部存储器的最大存取时间。4 4 控制信

17、号的连接控制信号的连接 如：如： IO/MIO/M、RDRD、WRWR等等 5 5 地址译码方式地址译码方式 线选译码线选译码 部分译码部分译码 全译码全译码3.4 3.4 存储器的扩展存储器的扩展二、位扩展（只加大位长，存储体的字数与存储器芯片字数一致）（只加大位长，存储体的字数与存储器芯片字数一致）用用64K1bit的芯片扩展实现的芯片扩展实现64KB存储器存储器 进行位扩展时，模块中所有芯片的进行位扩展时，模块中所有芯片的地址线和控制线互连地址线和控制线互连形成整个模块的地址形成整个模块的地址线和控制线，而各芯片的线和控制线，而各芯片的数据线并列（位线扩展）数据线并列（位线扩展）形成整个

18、模块的数据线（形成整个模块的数据线（8bit宽宽度）。度）。 本例采用线选方式。本例采用线选方式。 64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O cs cs 64K1I/OD0D7A16M/IOA0 A15RDWR1（设系统为（设系统为8088最小模式）最小模式）三、字扩展（只加大字长，存储体的位数与存储器芯片位数一致）（只加大字长，存储体的位数与存储器芯片位数一致）用用8K8bit的的2764芯片扩展实现芯片扩展实现16KB存储器存储器 进行字扩展时，模块中所有芯片的进行字扩展时，模块中所有芯片的地址线、控制线和数据线互连地

19、址线、控制线和数据线互连形成整个模块形成整个模块的低位地址线、控制线和数据线的低位地址线、控制线和数据线 ， CPUCPU的高位地址线（扩展的字线）被用来译码的高位地址线（扩展的字线）被用来译码以形成对各个芯片的选择线以形成对各个芯片的选择线 片选线片选线 。 本例采用全译码方式。本例采用全译码方式。CS8K*8A0 12 OE D07A0 A12M/IO RDD0 D7CS8K*8A0 12 OE D07译译码码器器Y0Y1Y7A13 A14 A15 GG2AG2BCBAA18 A16 A17 A19 &1四、字位同时扩展用用16K4bit的芯片扩展实现的芯片扩展实现32KB存储器存储器 首先对芯片首先对芯片分分组进行位扩展组进行位扩展，以，以实现按字节