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1、 硅检制绒应知应会 CIB-B 郝宗海硅检目的硅检目的检测不良检测不良不良分不良分类类电阻电阻率率少子少子寿命寿命厚度厚度TTV尺寸尺寸PN型型崩崩边边崩崩点点油油污污线线痕痕台达硅检机全貌台达分选主控机界面检测模组介绍图一图三图二图一为APV（左）和LPV（右）模组主要检测尺寸、缺角和油污、崩点图二为SM模组主要检测线痕，图三为UC模组主要检测隐裂及杂质。Semilab模组硅检流程硅检流程拆盒拆盒上料上料下料下料填写填写流程流程单单退库手插手插片片硅检注意事硅检注意事项项线痕线痕 如图2，机械手抓料后，硅片在行走臂上的线痕方向与行走臂垂直。图2如图3、4，硅片插入小花篮时线痕方向是平行的（小

2、花篮竖直放置）。图3图4小花篮小花篮硅检操作注意事项硅检操作注意事项取原材料硅片盒时，双手最多抱两盒。 取、放承片盒时，注意双手抱对角线位置、轻拿轻放。 陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。制绒原理制绒原理利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。角锥体四面全是由111面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH+H2O Na2SiO3 +2H2 制绒原理制绒原理(100)(110)(111)制绒原理制绒原理制绒原理制绒原理显微镜下图像放大

3、后图像金字塔实貌NaOH溶液浓度反应温度制绒的根本IPA浓度NaSiO3浓度提高溶液浓稠度，控制反应速度硅片表面原始状态硅片表面原始状态氢气泡密度及大小以及在硅片表面停留的时间决定金字塔形貌 搅拌搅拌提高反应物疏运速度，提高氢气泡脱附作用 氢气泡作用各个因素的作用制绒工艺流程制绒工艺流程1槽槽清洗清洗2槽槽漂洗漂洗3槽槽粗粗抛抛4槽槽漂洗漂洗5.6.8.9.10制绒制绒槽槽7.11槽槽漂洗漂洗12槽槽酸碱过酸碱过渡渡13槽槽酸洗酸洗14槽槽漂洗漂洗15槽槽酸洗酸洗16槽槽漂洗漂洗17槽槽慢提慢提拉拉制绒机制绒机慢提拉慢提拉制绒作业注意事项制绒操作注意事项制绒操作注意事项 配制溶液时，严禁容器在半空中倒液。加酸时，防护用具穿戴齐

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