北京理工大学半导体物理复习

1、半导体物理学半导体物理学考试时间：考试时间：1月月30日日下午下午14:00-16:00考试题型 1、填空： 6分 2、名词解释：15分 3、简答：24分 4、画图：10分 5、推导：20分 6、计算：25分第一章第一章 1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论。3. 推导与计算推导与计算对导（价）带分为无限多无限小的能量间隔的情况有：对导（价）带分为无限多无限小的能量间隔的情况有：E(E+dE)E(E+dE)量子态数：量子态数：dZ=gdZ=gc c(E)dE(E)dE载流子占据能量为载流子占据能量为

2、E E的量子态的概率的量子态的概率f(E)f(E)在能量在能量E(E+dE)E(E+dE)间有载流子数：间有载流子数：f(E) gf(E) gc c(E)dE(E)dE把所有能量区间中的载流子数相加，即从导（价）带底（顶）到把所有能量区间中的载流子数相加，即从导（价）带底（顶）到导（价）带顶（底）对导（价）带顶（底）对f(E) gf(E) gc c(E)dE(E)dE进行进行，得到半导体中导，得到半导体中导（价）带的载流子总数（价）带的载流子总数1. 1.载流子总数载流子总数/ /半导体体积半导体体积=载流子浓度载流子浓度TkEENTkEENnCFcFCc000expexp32/30*)2(2

3、hTkmNnc)exp(22030*023TkEEhTkmpFVp)exp(00TkEENpFVV30*2322hTkmNpV第四章第四章1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论3. 推导与计算推导与计算EnqJEvdnqEpqnqJJJpnpn)(pnpqnq)(pniipnqnpqnq第五章第五章 1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论2. 基本理论基本理论3. 推导与计算推导与计算2000expivcvcnTkEENNpnTkEENnFnCc00exp)exp(00TkEENpVFpVTkEEnTkEEnTkEENniFniFFnFnCc00000expexpexpTkEEnT

4、kEEpTkEENpFpiiFpFVFpV00000expexpexpTkEEnTkEEpnpnFpFniFpFn02000expexp3. 推导与计算推导与计算qTkDnn0qTkDpp0 nnxqnJ0漂 dxxdnqDJnn0扩0扩漂nnnJJJ dxxdnDxnnn00 TkExqVENxncFc00exp dxxdVTkqxndxxdn00000()()pnpnk Tk Td pd nJJJqp Eqn EqdxqdxppppgpxEpxpExpDtp22nnnngnxEnxnExnDtn22第六章第六章 1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论3. 推导与计算推导与计算FpFn

5、DEEqV20ln)(1iADFpFnDnNNqTkEEqV TkqVnnDnp000expTkqVppDnp000expTkqVxqVnTkxEEnxnDncnn0000)(exp)(exp)(TkxqVqVpxpDn00)(exp)(3. 推导与计算推导与计算D0000000()expexp,()()exp1nnnpnnnnnnqVqVqVpxppk Tk TqVpxpxppk T2020nnnppdpppDdx 0expexpnnnPppppxxpxpxpABLDLL，= 000,()expnnnnnnxppqVxxpxpk T ：边边界界条条件件 000exp1 expnnnnpxxqVpxppk TL00( )()(1)npnpnqVpnk TpdpxJxqDxxdxqD peL 0022()()()() ()(1) (1)npppnppnqVpik TniADqVk TsJJxJxJxJxqD nqD neNNJ e第七章第七章 1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论图图7-5 7-5 金属与金属与n n型半导体接触能带图型半导体接触能带图第八章第八章 1. 基本概念基本概念2. 基本理论基本理论 外场作用下半导体表面状态的分析（能带图）；外场作用下半导体表面状态的分析（能带图）；MISMIS结结构的构的C-VC-V特性